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DY-2000A纳米通用图形发生器操作规范以及注意事项一、电镜开机，依次打开图形发生器、精密压电陶瓷位移台、计算机。二、样品准备：开始曝光测试前，应先把样品放到电镜中。样品通常是表面涂有电子抗蚀剂（如PMMA胶）的硅片。为了便于定位曝光区域和进行聚焦，建议在样品上作标记。将样品放入扫描中，抽真空2h。三、真空抽好后，打开JSM-5600MainMenu软件、DY2000A软件、位移台软件，加速电压设为30KV，打开灯丝，运行到金颗粒位置，利用金颗粒调聚焦和象散，使金颗粒最清楚。向下运行到棋盘格，MicroscopeControl窗口设置放大倍数和场尺寸，在棋盘格上聚焦，然后在设置倍数下在设置倍数下校场。四、校场步骤：1.预备对准区。找到棋盘格上的方形图案，使用电镜的样品台旋转或者扫描旋转，调整图形和屏幕大致平行。2.通过图形发生器扫描成像。将开关控制转到用图形发生器控制电子束扫描，点击文件菜单中的新建图像命令，打开一个空白图像窗口。多次扫描，调出图像，将Agligwritefield窗口中增益U改为0.7，点击发送，移动工件台，使方格交接处与窗口中心重合。3.由位置列表定义标记区。点击文件菜单中的新建位置列表命令，打开空白位置列表，在这里将创建标记扫描区。依次点击滤波器中的DefineMark和MatrixCopy命令得到四个标记区，删除其中一个标记区。4.测量实际标记位置。点击扫描菜单中的全部命令，自动逐一扫描三个标记区。同时按下Ctrl键和鼠标左键，然后拖动鼠标向实际标记位置移动，到达标记中心时释放。此过程中出现对话框，点击继续扫描下一个标记区并重复上述的测量过程。最后完成对位置列表的扫描。5.曝光场校正。点击AlignWritefield窗口中的获取标记图标。点击发送，完成矫正。五、运行到样品，在样品一角聚焦，打点，打点过程：1.模块状态-Beamcontrol-BeamParkPositionX（Y）值改为32767，2.放大倍数改为100000，3.点击BeamBlanking，4.运行到打点位置，5.将开关控制转到用图形发生器控制电子束扫描，6.Beamoff，等几分钟打点。当打出的点符合要求后运行到曝光区域附近打点，通过调焦打出符合要求的点，点击beamblanking，运行到曝光位置，将要刻蚀的图形拖到新建位置列表，曝光层选择0层，设置曝光剂量，计算曝光参数，最后刻蚀图形。六、刻蚀完一个样品后，运行到下一个样品重复之前操作。样品都做完了以后，关灯丝，工件台控制X、Y轴状态改为disable，等10min后放气取样。注意事项：1、打开计算机前先打开图形发生器本身，如果你已经打开了计算机，请在打开图形发生器后再重新启动计算机。2、取样前一定要把工件台控制X、Y轴状态改为disable，以免对精密压电陶瓷位移台造成损伤。3、在样品上移动位置时应该点击BeamBlanking，以免电子束曝光样品。4、暂时不操作时应关闭灯丝，避免灯丝损耗的过快。5、由于做刻蚀需要高真空，抽真空时间要在2h。6、做刻蚀过程中不要触碰电镜，以免影响刻蚀样品。7、不要触摸电源线接口处，以免被高压电电伤。