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S-8211E系列©SeikoInstrumentsInc.,2009-2010Rev.2.0_00精工电子有限公司1S-8211E系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的IC。本IC最适用于监视1节电池用锂离子可充电池/锂聚合物可充电池电池组的过充电和过放电。特点(1)高精度电压检测电路·过充电检测电压3.6V~4.4V(以5mV进阶)精度±25mV(＋25°C)精度±30mV(－5°C~＋55°C)·过充电解除电压3.5V~4.4V*1精度±50mV·过放电检测电压2.0V~3.0V(以10mV进阶)精度±50mV·过放电解除电压2.0V~3.4V*2精度±100mV(2)各种检测延迟时间仅通过内置电路即可实现(不需要外接电容)精度±20%(3)宽工作温度范围－40°C~＋85°C(4)低消耗电流·工作时3.0µA典型值、5.5µA最大值(＋25°C)·过放电时2.0µA典型值、3.5µA最大值(＋25°C)(5)无铅、Sn100%、无卤素*3*1.过充电解除电压=过充电检测电压－过充电滞后电压(过充电滞后电压为0V或者可在0.1V~0.4V的范围内，以50mV为进阶单位进行选择)*2.过放电解除电压=过放电检测电压＋过放电滞后电压(过放电滞后电压为0V或者可在0.1V~0.7V的范围内，以100mV为进阶单位进行选择)*3.详情请参阅“产品型号的构成”。用途·锂离子可充电池电池组·锂聚合物可充电池电池组封装·SOT-23-5·SNT-6A1节电池用电池保护ICS-8211E系列Rev.2.0_002精工电子有限公司框图－＋－＋VMVSSVDDCODO过充电检测比较器控制输出电路分频器控制逻辑过放电检测比较器振荡器控制逻辑备注图中的二极管全部为寄生二极管。图11节电池用电池保护ICRev.2.0_00S-8211E系列精工电子有限公司3产品型号的构成1.产品名（1）SOT-23-5封装时S-8211Exx−M5T1U封装简称和IC的包装规格*1M5T1﹕SOT-23-5、卷带产品序列号*2按AA~ZZ顺序设置环保标记U:无铅、无卤素*1.请参阅卷带图。*2.请参阅“3.产品名目录”。（2）SNT-6A封装时S-8211Exx−I6T1x封装简称和IC的包装规格*1I6T1﹕SNT-6A、卷带产品序列号*2按AA~ZZ顺序设置环保标记U:无铅(Sn100%)、无卤素G:无铅(详情请向本公司营业部咨询)*1.请参阅卷带图。*2.请参阅“3.产品名目录”。2.封装图面号码封装名封装图面卷带图面带卷图面焊盘图面SOT-23-5MP005-A-P-SDMP005-A-C-SDMP005-A-R-SD－SNT-6APG006-A-P-SDPG006-A-C-SDPG006-A-R-SDPG006-A-L-SD1节电池用电池保护ICS-8211E系列Rev.2.0_004精工电子有限公司3.产品名目录（1）SOT-23-5封装表1产品名／项目过充电检测电压[VCU]过充电解除电压[VCL]过放电检测电压[VDL]过放电解除电压[VDU]延迟时间的组合*1S-8211EAC-M5T1U3.600V3.600V2.00V2.00V（1）*1.延迟时间的组合项目中的（1），请参阅表3。备注1.用户需要上述以外检测电压的产品的情况下，请向本公司营业部咨询。2.用户需要Sn100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。（2）SNT-6A封装表2产品名／项目过充电检测电压[VCU]过充电解除电压[VCL]过放电检测电压[VDL]过放电解除电压[VDU]延迟时间的组合*1S-8211EAA-I6T1x4.220V4.220V2.00V2.00V（2）S-8211EAB-I6T1x4.270V4.270V2.00V2.00V（2）S-8211EAD-I6T1x4.220V4.220V2.50V2.50V（2）S-8211EAE-I6T1x4.220V4.220V2.30V2.30V（2）*1.延迟时间的组合项目中的（2），请参阅表3。备注1.用户需要上述以外检测电压的产品的情况下，请向本公司营业部咨询。2.x:G或U3.用户需要Sn100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。表3延迟时间的组合过充电检测延迟时间[tCU]过放电检测延迟时间[tDL]（1）1.2s150ms（2）573s300ms备注可更改在下述范围内的延迟时间，请向本公司营业部咨询。表4延迟时间记号选择范围备注过充电检测延迟时间tCU143ms573ms1.2s从左项中选择过放电检测延迟时间tDL38ms150ms300ms从左项中选择备注粗线框内表示为标准产品的延迟时间。1节电池用电池保护ICRev.2.0_00S-8211E系列精工电子有限公司5引脚排列图SOT-23-5Topview54321表5引脚号符号描述1VMCO端子负电源端子2VDD正电源输入端子3VSS负电源输入端子4DO过放电检测输出端子(CMOS输出)5CO过充电检测输出端子(CMOS输出)图2表6SNT-6ATopview123465引脚号符号描述*11NC无连接2过充电检测输出端子(CMOS输出)CO3过放电检测输出端子(CMOS输出)DO4负电源输入端子VSS5VDD正电源输入端子图36CO端子负电源端子VM*1.NC表示从电气的角度而言处于开路状态。所以，与VDD或VSS连接均无问题。1节电池用电池保护ICS-8211E系列Rev.2.0_006精工电子有限公司绝对最大额定值表7(除特殊注明以外﹕Ta=25°C)项目符号绝对最大额定值适用端子单位VDD端子-VSS端子间输入电压VVDSVDDSS－0.3~VSS＋12VVM输入端子电压－28~V＋0.3VVVMVDDDDVMVDO输出端子电压VDODOSS－0.3~V＋0.3VDDCO输出端子电压VCOCOVVM－0.3~V＋0.3VDD*1－600SOT-23-5mW容许功耗PD*1－400SNT-6AmW－工作环境温度－40~＋85T°Copr－保存温度－55~＋125T°Cstg*1.基板安装时[安装基板](1)基板尺寸：114.3mm×76.2mm×t1.6mm(2)名称：JEDECSTANDARD51-7注意绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。万一超过此额定值，有可能造成产品劣化等物理性的损伤。0501001507004000容许功耗(PD)[mW]环境温度(Ta)[°C]200600500300100SNT-6ASOT-23-5图4封装容许功耗(基板安装时)1节电池用电池保护ICRev.2.0_00S-8211E系列精工电子有限公司7电气特性1.检测延迟时间以外(25°C)表8(除特殊注明以外﹕Ta=25°C)项目符号条件最小值典型值最大值单位测定条件测定电路检测电压3.60V~4.40V,可调节VCU－0.025VCUVCU＋0.025V11过充电检测电压VCU3.60V~4.40V，可调节Ta=−5°C~+55°C*1VCU－0.03VCUVCU＋0.03V11VCL≠VCU时VCL－0.05VCLVCL＋0.05V11过充电解除电压VCL3.50V~4.40V,可调节VCL=VCU时VCL－0.05VCLVCL＋0.025V11过放电检测电压VDL2.00V~3.00V,可调节VDL－0.05VDLVDL＋0.05V22VDU≠VDL时VDU－0.10VDUVDU＋0.10V22过放电解除电压VDU2.00V~3.40V,可调节VDU=VDL时VDU－0.05VDUVDU＋0.05V22输入电压VDD端子VSS端子间工作电压-VDSOP1－1.5－8V－－输入电流－工作时消耗电流IOPEVDD=3.5V，VVM=0V1.03.05.5μA32过放电时消耗电流IOPEDVDD=1.5V，VVM=0V0.32.03.5μA32输出电阻CO端子电阻“H”RCOHVCO=3.0V，VDD=3.5V，VVM=0V2.5510kΩ43CO端子电阻“L”RCOLVCO=0.5V，VDD=4.5V，VVM=0V2.5510kΩ43DO端子电阻“H”RDOHVDO=3.0V，VDD=3.5V，VVM=0V2.5510kΩ53DO端子电阻“L”RDOLVDO=0.5V，VDD=1.8V，VVM=0V2.5510kΩ53*1.并没有在高温以及低温的条件下进行筛选，因此只保证在此温度范围下的设计规格。1节电池用电池保护ICS-8211E系列Rev.2.0_008精工电子有限公司2.检测延迟时间以外(－40°C~＋85°C*1)表9(除特殊注明以外﹕Ta=－40°C~＋85°C*1)测定项目符号条件最小值典型值最大值单位测定条件电路检测电压过充电检测电压VCU3.60V~4.40V,可调节VCU－0.060VCUVCU＋0.040V11VCL≠VCU时VCL－0.08VCLVCL＋0.065V11过充电解除电压VCL3.50V~4.40V,可调节VCL=VCU时VCL－0.08VCLVCL＋0.04V11过放电检测电压VDL2.00V~3.00V,可调节VDL－0.11VDLVDL＋0.13V22VDU≠VDL时VDU－0.15VDUVDU＋0.19V22过放电解除电压VDU2.00V~3.40V,可调节VDU=VDL时VDU－0.11VDUVDU＋0.13V22输入电压VDD端子VSS端子间工作电压-VDSOP1－1.5－8V－－输入电流工作时消耗电流IOPEVDD=3.5V，VVM=0V0.73.06.0μA32过放电时消耗电流IOPEDVDD=1.5V，VVM=0V0.22.03.8μA32输出电阻CO端子电阻“H”RCOHVCO=3.0V，VDD=3.5V，VVM=0V1.2515kΩ43CO端子电阻“L”RCOLVCO=0.5V，VDD=4.5V，VVM=0V1.2515kΩ43DO端子电阻“H”RDOHVDO=3.0V，VDD=3.5V，VVM=0V1.2515kΩ53DO端子电阻“L”RDOLVDO=0.5V，VDD=1.8V，VVM=0V1.2515kΩ53*1.并没有在高温以及低温的条件下进行筛选，因此只保证在此温度范围下的设计规格。1节电池用电池保护ICRev.2.0_00S-8211E系列精工电子有限公司93.检测延迟时间(1)S-8211EAC表10项目符号条件最小值典型值最大值单位测定条件测定电路延迟时间（Ta=25°C）过充电检测延迟时间tCU－0.961.21.4s64过放电检测延迟时间tDL－120150180ms64延迟时间（Ta=−40°C~+85°C）*1过充电检测延迟时间tCU－0.71.22.0s64过放电检测延迟时间tDL－83150255ms64*1.并没有在高温以及低温的条件下进行筛选，因此只保证在此温度范围下的设计规格。(2)S-8211EAA、S-8211EAB、S-8211EAD、S-8211EAE表11项目符号条件最小值典型值最大值单位测定条件测定电路延迟时间(Ta=25°C)过充电检测延迟时间tCU－458573687ms64过放电检测延迟时间tDL－240300360ms64延迟时间（Ta=−40°C~+85°C）*1过充电检测延迟时间tCU－334573955ms64过放电检测延迟时间tDL－166300510ms64*1.并没有在高温以及低温的条件下进行筛选，因此只保证在此温度范围下的设计规格。1节电池用电池保护ICS-8211E系列Rev.2.0_0010精工电子有限公司测定电路注意在未经特别说明的情况下，CO端子的输出电压(VCO)、DO端子的输出电压(VDO)的“H”、“L”的判定是以N沟道FET的阈值电压(1.0V)为基准。此时，CO端子请以VVM为基准、DO端子请以VSS为基准进行判定。(1)过充电检测电压、过充电解除电压(测定条件1、测定电路1)在V1=3.5V设置后的