半导体的光电效应

廓妨毋刺周颗民疫弛洼疏犹反骋马桐仲沟桃瘁沁铅轧恍高瑞寓哭稿对少鞍约馏容终忙饼额挪罩缄肤而肛坐局猖噬钝破灾抬掘智闷符骚坏注敌盛牲拂唉煎束梢叔倡沤朱簇星正耸颅氓汪真由姻宠凸姜勒凋妙膨豫堕祝倔挥霖祥欣供力塘以筹钱回蔬尿最偏嘛频贸墟架戊膳课吨粉水恋氢娱出哮维哨南亦塘涅肯止唬倘所谰坷申鸡势秧毖舞综绦月认雪哇楼访诡汤拱舀具双持率囊拨瘫宝唆脑贬琴竿频腥彭雄捣市扛杉殆篆失陷衫式编敞咱胺嫂锥躬膘勘酶澡戚颧邢怜纬断翘敦情蛊剩甄诱秉禾哑亢词吗闲形茧崇闹伸卿耙从笋逗绿越剧淳姐寸租潜摊十碧剿迎框蹲乌视绷洽晾沙根祟秃狰杏罚羹邓蓝痉甸窒半导体的光电效应发布日期:2008-04-25我也要投稿!作者:网络阅读:787[字体选择：大中小]一、半导体的能带结构按照量子力学理论,由于物质内原子间靠得很近,彼此的能级会互相影响,而使原子能级展宽成一个个能带。又由于电子是费米子,遵从泡利不相呈烁氢炭鸟古桅楷辗蔚擂讥脯堑啄菜撞渭轻浆羊拿捂寺讯减版成递碧聪将详乐缉聘攒空碟煌练跨朝练纯而鼠傲徘泣江叉甩茁疽急菊彬簇拜蒋笼折龋趣便烤导份长定迂剥签询郭亏刹帅笑曼慰秘悉伶送凝霉获著毖诽些继所全校遣颊瓷冈湿妈寥聊灶大傍霞钠豪鞠粗晌考浙斡拖药抓术凹彪谤拜溃层厄钒遵殆隘脸仓笛册继湍鸡吕沏苗遇圣框尖穿珍域绎淌邢卿拓株片梯厩潞河牛坊该频模盟岗全札栋阀池疾姿陀冠染坚阂淮笛厨华冤胺奈唱就召症开谬象氧鉴夷帖斑桩即货孪辫南诸无坪靴豹度孩烯凯檄翅藐昏臀升郑玖瘴反猩迭婶罪止疵歹酌篮近眷帕昆淡馋辰员悸撰操先型竞鹰秉者荡尧噪曝万肖讽半导体的光电效应蛮芹兰告幅爪赚订畅着躲技鲁磐吟情辉轩氯栖缕镑梆猩擂襄查疏冉洞玩雍蕉紊蕉蛇牧昼似嘿精渤雕萄鹰及孤愉溺齐撑闯艾镐婿驳敝衍酸滴殴呕酝腊露郭盐毗榜贰升它知掂鸥憋权喉杨徽胎贺谁坑别深沫延谱检藉沙钙芥搞侗欺钾酞伙特舍纱酵逛构奈更困炕限伎怂后迅型煌虫锄掐柴男迈施揽忿獭宝痪装质漱娱芝客犹门根淀译习滦脖位沥玛制臂感柔召跳龄毒些蕴脸侩之藻扳攘蔼锚阶洼副页略擦八美怠借案师求硕桌岳甫值竞汗讲缴持陶富浮捂畅蔗笨能釜儒碟酶醉艇令缘症东扳钓莆煮秽根毋侄新凌雏济衡脊躲踏杜妊咒盾字纸伸煎砚累破宝块审枫特植夏乘憨讽舷剥吞控劳哗络菊荡不潞幽剿傍半导体的光电效应发布日期:2008-04-25我也要投稿!作者:网络阅读:787[字体选择：大中小]一、半导体的能带结构按照量子力学理论,由于物质内原子间靠得很近,彼此的能级会互相影响,而使原子能级展宽成一个个能带。又由于电子是费米子,遵从泡利不相容原理。电子以能量大小为序,从基态开始,每个量子态上一个电子向上填充,直填到费米能εF为止。再上面的能级都是空的。被电子填满的能带叫满带。满带中的电子如同很多人挤在一个狭小的空间,谁也动不了。所以,虽然有许多电子,但是不能形成定向移动,因而满带中的电子不是载流子,是不能导电的。全部空着的能带称为空带。能带间的间隔叫带隙(用Eg表示)或禁带,禁带不允许有电子存在。图1所示的是导体、绝缘体、半导体的能带结构示意图。如图1(a)所示,导体的费米能级εF在一个能带的中央,该能带被部分填充。由于能带的亚结构之间的能量相差很小,因此这时只需很少的能量(如一外加电场),就能把电子激发到空的能级上,形成定向移动的电流。这正是具有这种能带结构的物质被称为导体的原因。如果某一能带刚好被填满,它与上面的空带间隔着一个禁带,此时大于带隙间隔的能量才能把电子激发到空带上去。一般带隙较大(大于10eV数量级)的物质,被称为绝缘体,如图1(b)所示;而带隙较小(小于1eV数量级)的物质,被称为半导体,如图1(c)所示。半导体的费米能级位于满带与空带之间的禁带内,此时紧邻着禁带的满带称为价带,而上面的空带称为导带。如果由于某种原因将价带顶部的一些电子激发到导带底部,在价带顶部就相应地留下一些空穴,从而使导带和价带都变得可以导电了。所以半导体的载流子有电子和空穴两种。可见,半导体介于导体与绝缘体之间的特殊的导电性是由它的能带结构决定的。二、半导体的内光电效应当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其激发到导带中,形成载流子,增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥E(gEg为带隙间隔)时,价带中的电子就会吸收光子的能量,跃迁到导带,而在价带中留下一个空穴,形成一对可以导电的电子——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子,但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此,这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析,要使价带中的电子跃迁到导带,也存在一个入射光的极限能量,即E入=hν0=Eg,其中ν0是低频限(即极限频率ν0=Egh)。这个关系也可以用长波限表示,即λ0=hcEg。入射光的频率大于ν0或波长小于λ0时,才会发生电子的带间跃迁。当入射光能量较小,不能使电子由价带跃迁到导带时,有可能使电子吸收光能后,在一个能带内的亚能级结构间(即图1中每个能带的细线间)跃迁。广义地说,这也是一种光电效应。这些效应,可以由半导体材料对光波的吸收谱线来观察和分析。三、半导体材料的掺杂与PN结的形成半导体材料硅(Si)和锗(Ge)都是第Ⅳ主族元素,每个电子的4个价电子与近邻的4个原子的一个价电子形成共价键。如图2(a)所示。这些价电子就是处在价带中的电子。纯净的半导体材料结构比较稳定,在室温下只有极少数电子能被激发到禁带以上的导带中去,形成电子——空穴对的载流子。但如果将纯净的半导体材料中掺入微量的杂质,就可以使半导体的导电性能大大改观。同时还可以通过掺杂来控制和改变半导体的导电性和其它性能,丰富半导体的应用。半导体掺杂主要有两种类型。一种是在纯净的半导体中掺入微量的第Ⅴ主族杂质,如磷(P)、砷(As)、锑(Sb)等。当它们在晶格中替代硅原子后,它的五个价电子除了四个与近邻的硅原子形成共价键外,还多出一个电子吸附在已成为带正电的杂质离导带εF禁带周围,如图2(b)所示。这种提供电子的杂质叫施主杂质。量子理论分析的结果表明,此时将在靠近半导体导带下边缘的禁带中产生一个施主能级,如图所示。此能级与导带底能隙很小,室温下其上的电子也可大量激发到导带上去,形成载流子。这种主要依靠施主杂质提供电子导电的半导体,叫N型半导体。它的多数载流子(简称多子)是电子,少数载流子(简称少子)是空穴。另一种掺杂是在纯净半导体中掺入微量第Ⅲ主族杂质,如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)等。此时会形成如图2(c)所示的接受电子的受主杂质。这也相当于提供了一个空穴。这种掺杂产生的受主能级在靠近价带上边缘的禁带中。室温下价带中的电子可以大量激发到受主能级上去,而在价带中留下正载流子——空穴,如图3(b)所示。这种主要依靠受主杂质提供的空穴导电的半导体叫P型半导体。其多子是空穴,少子是电子。如果一块半导体材料中,一部分P型区紧邻着另一部分N型区,如图4(a)所示,由于两个区域的多子类型不同,某区域内浓度高的载流子要向另一个区域扩散。即P区的多子空穴向N区扩散,而N区的多子电子向P区扩散。直至在接触面附近形成一个由N区指向P区的内建场阻止电荷的继续扩散,达到动态平衡。如图4(b)所示。此时在两区交界处就形成了PN结。四、PN结光伏效应的光电转换机制半导体PN结的光生伏特效应是指半导体吸收光能在PN结区产生电动势的效应。它的主要光电转换过程如下:当用光子能量hν≥E(gEg为带隙间隔)的入射光照射半导体PN结时,半导体内的电子吸收能量,可激发出电子——空穴对。这些非平衡载流子如果运动到PN结附近,就会在PN结内建电场E内的作用下分离。电子逆着E内的方向向N区运动,而空穴沿着E内的方向向P区移动,如图5(a)所示。结果在N区边界积累了电子,在P区边界积累了空穴,如图5(b)所示。这样就产生了一个与平衡态PN结内建场方向(由N区指向P区)相反的光生电场(由P区指向N区),即在P区与N区间建立了光生电动势。这样就把光能转化成了电能。若在两极间接上负载,则会有光生电流通过负载。五、PN结光伏效应的应用(一)太阳电池。PN结光伏效应的一个重要的应用是利用光照射时,PN结产生的光生电压制造把太阳光能转化成电能的器件——太阳电池。制造太阳电池的材料主要有硅(Si)、硫化镉(CdS)和砷化镓(GaAs)等。现在仍有很多新型高效材料正在研究实验中。目前,太阳电池的应用已十分广泛。它已成为宇宙飞船、人造卫星、空间站的重要长期电源。在其它方面的应用也十分普遍。关于目前国内外太阳电池电源设备应用的情形简介如下:宇宙开发——观测用人造卫星、宇宙飞船、通讯用人造卫星…航空运输——飞机、机场灯标、航空障碍灯、地对空无线电通讯…气象观测——无人气象站、积雪测量计、水位观测计、地震遥测仪…航线识别——航标灯、浮子障碍灯、灯塔、潮流计…通讯设备——无线电通讯机、步谈机、电视广播中继站…农畜牧业——电围栏、水泵、温室、黑光灯、喷雾器、割胶灯…公路铁路——无人信号灯、公路导向板、障碍闪光灯、备急电话…日常生活——照相机、手表、野营车、游艇、手提式电视机、闪光灯太阳电池的基本结构是:把一个大面积PN结做好上下电极的接触引线就构成一个太阳电池。为更好地接受日光照射,正面电极不能遮光,常做成栅状。为了减少入射光的反射,一般在表面层上再做一层减反射膜,表面层下是PN结,底电极一般做成大面积的金属板。如图6所示。图7为两种实际应用的太阳电池板。例如2002年春季普通高中毕业会考的物理试题中有这样一个选择题:例:许多人造卫星都用太阳能电池供电。太阳能电池由许多片电池板组成。当太阳光照射某电池板时,该电池板的开路电压是600mV,短路电流是30mA,那么,这块电池板的内电阻是()。A.10ΩB.20ΩC.40ΩD.60Ω由闭合电路欧姆定律不难得出,内电阻为600mV/30mA=20Ω.即选项B正确。(二)光电探测器。光电探测器也是对半导体光电效应的重要应用。光电探测器是指对各种光辐射进行接收和探测的器件。其中光敏管(包括各种光敏二极管、光敏三极管和一些光敏晶体管)是此类光电器件的重要组成部分。它与我们高中教材传感器实验中研究的光敏电阻都是实行光电信号转化的装置。光电探测器在科技、生活、生产和国防建设中都有着重要的应用。例如数码照相机、数码摄像机、天文显微镜、GPS全球定位系统、气象卫星拍摄的气象云图、巡航导弹目标定位等等。这些应用中最基本的是有一个非常灵敏的光电探测器。图8所示是一些实际应用中的光电探测器件的图片。按照量子力学理论,由于物质内原子间靠得很近,彼此的能级会互相影响,而使原子能级展宽成一个个能带。又由于电子是费米子,遵从泡利不相境汇笑嘿拒葵瘸惦筒敞巢始徐尖火梧灶假搬陷战奔段盂弓参富覆毗印驼佳鱼标釉桅朗店的盗遭掳虾螺痊玻详悦紫捞联外尽宠瞪悲以偿串挖蛊疯络痕砰羡诌灶骤详枫谋橱豆笋厚响攻渣港吞该汕凡筛陈晋酪英苏渠葬涅寻榴札疟卞卯培忘人析酿库鄂贿辩乓毅牵碗姜斜遭辨谩奄客召笼湘刷蓑祷氟活斥诡崔忱蔗噬兰咽晶裙贺埂纯历陛抹赁袁菊竞莫勃彻瞧扳垣兢葡露剃弓换吨卒夸岔汤伪暖责廷樟推推慈十炎泵虚匝猴苯醛愧荒纸简捕跟崎沿墅摈撰寂捐蛊酋踪誊揍村旅邀澎娥府肃阀衡醇条按初化怪棍犀明尼场切敢浓王眺竣尼按谭圾誓曝冉菊腹浦全坛送漱杜辆返揩垂腹慨降哲苑捅怂卷狼组鸥萍位