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2SC3356NPN微波低噪声晶体管北京鼎霖电子科技(NPN)MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR简述：具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波无线射频放大、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器等电路中；集电极-基极击穿电压：BVCEO≥12V，集电极电流：IC≥100mA,集电极功率：PC≥200mW（SOT-323封装PC≥150mW），特征频率：fT=7GHz；封装形式：SC-59（SOT-23-3L）、SOT-23或者SOT-323,本体印字：R23、R24或者R25。极限参数（Tamb=25℃）：参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCEO12V发射极-基极击穿电压BVEBO3V集电极电流IC100mA耗散功率PT200(SC-59、SOT-23)，150(SOT-323)mW最高结温TJ150℃储存温度Tstg-65～+150℃电参数及规格（Tamb=25℃）：额定值参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位集电极-基极击穿电压BVCBOIC=10μA,IE=0mA20--V集电极-发射极击穿电压BVCEOIC=1.0mA,IB=0mA12--V发射极-基极击穿电压BVEBOIE=10μA,IC=0mA3--V集电极截止电流ICBOVCB=10V,IE=0mA--1.0μA发射极截止电流IEBOVEB=1.0V,IC=0mA--1.0μA直流电流放大系数hFEVCE=10V,IC=20mA50120250特征频率fTVCE=10V,IC=20mA-7-GHz反馈电容CreIE=0mA,VCB=10V,f=1MHz-0.551.0pF插入功率增益∣S21e∣2IC=20mA,VCE=10V,f=1GHz-11.5-dB噪声系数NFVCE=10V,IC=7mA,f=1GHz-1.02.0dBCLASSIFICATIONOFhFERange50～10080～160125～250MarkingR23R24R25Lead-freeEmitterSOT-23,SC-59，SOT-323321CollectorBase321R252SC3356NPN微波低噪声晶体管北京鼎霖电子科技(mA)NF(dB)500642531VCE=10Vf=1GHz453210810VCE(V)NF(dB)12159630246F=1GHzIC=20mA￨S21e￨2(dB)￨S21e￨2NF150°180°30°600°-120°-150°120°-90°90°0°-30°-60°2.0GHz51015200.2GHzS21eS21e-FREQUENCYCONDITION:VCE=10V,IC=20mA150°180°30°60°-120°-150°120°-90°90°0°-30°-60°0.250.20.150.10.052.0GHz0.2GHzS12e-FREQUENCYCONDITION:VCE=10V,IC=20mA2SC3356NPN微波低噪声晶体管北京鼎霖电子科技数量/盘Shipping盘/中盒InnerBox中盒/箱CartonSC-593000pcs/Tape&Reel5Tape&Reel12InnerBoxSOT-233000pcs/Tape&Reel10Tape&Reel6InnerBoxSOT-3233000pcs/Tape&Reel5Tape&Reel12InnerBoxSC-59PACKAGEDIMENSIONS(Units:mm)2131.5±0.0252.9±0.051.9±0.050.4TYP.0.4TYP.2.8±0.051.1to1.40.16±0.04PINCONNECTIONS1.Base2.Emitter3.CollectorMarking0.05±0.031.9±0.05MarkingPINCONNECTIONS1.Base2.Emitter3.CollectorSOT-23PACKAGEDIMENSIONS(Units:mm)2131.300±0.032.90±0.051.90±0.030.4±0.030.4±0.052.40±0.05Marking0.970±0.030.100±0.01R0.080.20(MIN)0.1±0.03SOT-323PACKAGEDIMENSIONS(Units:mm)2131.25±0.12.1±0.11.3±0.10.3TYP.0.3TYP.2.3±0.1Marking0.95TYP.0.06±0.04PINCONNECTIONS1.Base2.Emitter3.Collector