数字电子技术自测练习第7章

第1页数字电子技术自测练习第7章半导体存储器单项选择题填空题第2页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题1、可由用户以专用设备将信息写入，写入后还可以用专门方法（如紫外线照射）将原来内容擦除后再写入新内容的只读存储器称为()。MROMA×PROMB×EPROMC√EEPROMD×分析提示MROM：掩膜ROM，完全只读存储器。PROM：可编程只读存储器，但只能一次编程。EPROM：用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。EEPROM：用电信擦除的可擦除可编程只读存储器。第3页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题2、下列存储器中，存储的信息在断电后将消失，属于“易失性”存储器件的是()。半导体ROMA×半导体RAMB√磁盘存储器C×光盘存储器D×分析提示半导体RAM分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。静态RAM(SRAM)，以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。动态RAM(DRAM)，利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息，电荷不能长期存储。半导体RAM属于“易失性”存储器。第4页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题3、动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅—源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为()。刷新A√存储B×充电C×放电D×分析提示动态RAM(DRAM)中，MOS管的栅极电容的容量很小而漏电流不绝对为零，电荷保存的时间有限，需定时对栅极电容补充电荷，以避免所存储的信息丢失。这一操作称为刷新。第5页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题4、有10位地址和8位字长的存储器，其存储容量为()。256×10位A×512×8位B×1024×10位C×1024×8位D√分析提示10位地址所对应存储字数为：210=1024每个字的字长为：8位存储容量=字数×字长=1024×8位第6页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题5、某ROM有11条地址线和8条数据线，其存储容量为()。2048×8位A×112×8位B×11×8位C×2048×8位D√分析提示11条地址线对应11位地址，所存储字数为211=20488条数据线对应每个字的字长为8位存储容量=字数×字长=2048×8位第7页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题6、容量为2048×4位的RAM，其地址线和数据线的条数为()。4，4A×2048，4B×10，4C×11，4D√分析提示存储容量=字数×字长=2048×4位因211=2048所以有11条地址线因字长=4位所以有4条数据线第8页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题7、容量为256×4位的RAM，每个给定一个地址码所选中的基本存储电路个数为()。4个A√8个B×256个C×2048个D×分析提示存储容量=字数×字长=256×4位，RAM有256个字、字长为4位，每个字需用4个基本存储电路存储。每个给定一个地址码读、写一个字，所选中的基本存储电路个数为4个。第9页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题8、容量为1024×4位的RAM，含有基本存储电路的数量为()。1024个A×10B×4个C×4096D√分析提示存储容量=字数×字长=1024×4位，RAM有1024个字、字长为4位。每个字需用4个基本存储电路存储，1024个字需用1024×4=4096个基本存储电路存储。第10页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题9、具有对存储矩阵中的存储单元进行选择作用的是存储器中的()。地址译码器A√读写控制电路B×存储矩阵C×片选控制D×分析提示地址译码器对地址码进行译码，产生对存储矩阵中的存储单元进行选择的选择信号，实现从存储矩阵中选择出存储单元。第11页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题10、随机存储器RAM的I∕O端口为输入端口时，应使()。A0/,0WRCS√B1/,0WRCS×C0/,1WRCS×D1/,1WRCS×分析提示片选信号=0，RAM处于工作状态；读/写控制信号=0，RAM进行写操作，I/O端口为输入端口。CSWR/第12页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题11、正常工作状态下，可以随时进行读、写操作的存储器是()。EPROMA×PROMB×MROMC×RAMD√分析提示RAM为随机存取存储，正常工作状态下，可以随机选择存储单元进行读、写操作。第13页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题12、用户不能改变存储内容的存储器是()。MROMA√PROMB×EPROMC×以上均对D×分析提示MROM：掩膜ROM，完全只读存储器。PROM：可编程只读存储器，但只能一次编程。EPROM：用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。第14页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题13、随机存储器RAM在正常工作状态下，具有的功能是()。只有读功能A×只有写功能B×即有读功能、又有写功能C√无读写功能D×分析提示RAM为随机存取存储器，正常工作状态下，可以随机选择存储单元进行读、写操作。第15页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题14、只读存储器ROM，当电源断电后再通电时，所存储的内容()。全部改变A×全部为0B×不确定C×保持不变D√分析提示只读存储器ROM，利用二极管、三极管或MOS管作存储元件，存储矩阵的字、位线交叉处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是0或1，连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变。第16页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题15、随机存储器SRAM，当电源断电后再通电时，所存储的内容()。全部改变A√全部为0B×不确定C×保持不变D×分析提示静态RAM(SRAM)，以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息，属于“易失性”存储器。第17页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题16、EPROM的与阵列是()。全译码可编程阵列A×全译码不可编程阵列B√非全译码可编程阵列C×非全译码不可编程阵列D×分析提示ROM在逻辑关系上，等效成与逻辑阵列、或逻辑阵列。与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码，产生以地址为变量的全部最小项，为固定阵列不可编程。第18页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题17、关于PROM和PLA的结构，下列叙述不正确的是()。×APROM的与阵列固定不可编程×BPROM的或阵列可编程×CPLA的与、或阵列均可编程√DPROM的与、或阵列均不可编程分析提示PROM：与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码，产生以地址为变量的全部最小项，固定不可编程；或逻辑阵列实现将某些最小项相或，可编程。PLA：与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编程；或逻辑阵列实现将某些与项相或，可编程。第19页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题18、可编程逻辑阵列PLA的工作特点是()。×A与阵列、或阵列均不可编程×B与阵列可编程、或阵列不可编程×C与阵列不可编程、或阵列可编程√D与阵列、或阵列均可编程分析提示PLA的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编程；或逻辑阵列实现将某些与项相或，可编程。第20页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题19、下列器件可实现组合逻辑函数的是()。DRAMA×SRAMB×EPROMC√以上都对D×分析提示DRAM利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息，电荷不能长期存储。SRAM以寄存器为存储元件，只有在带电状态下才能存储信息。DRAM、SRAM属于“易失性”存储器，不能实现组合逻辑函数。EPROM，利用MOS管作存储元件，存储矩阵的字、位线交叉处接入不接入存储元件的连接方式决定所存储信息的内容是0或1，连接方式确定后所存储的信息可长期保存不变，可实现组合逻辑函数第21页数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题20、用ROM实现组合逻辑函数时，所实现函数的表达式应变换成()。最简与或式A×标准与或式B√最简与非−与非式C×最简或非−或非式D×分析提示ROM的输出是以地址为变量的最小项之和的形式，即标准与或式。用ROM实现组合逻辑函数时，所实现函数的表达式应变换成标准与或式。第22页数字电子技术第7章半导体存储器填空题1、半导体存储器芯片内包含大量的存储单元，每个存储单元都有唯一的代码加以区分，并能存储一位（或一组）信息。参考答案地址二进制分析提示半导体存储器芯片中的地址译码器对地址码进行译码，产生对存储矩阵中的存储单元进行选择的选择信号，实现从存储矩阵中选择出存储单元。每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分。存储单元利用2种状态存储二进制信息。第23页数字电子技术第7章半导体存储器填空题2、RAM的一般结构由、和读∕写控制电路三部分组成。参考答案地址译码器存储矩阵分析提示地址译码器：对地址码进行译码，产生对存储矩阵中的存储单元进行选择的选择信号，实现从存储矩阵中选择出存储单元。存储矩阵：大量存储单元组成，用于存储0、1二进制信息。读∕写控制电路：控制对所选择的存储单元进行读或写操作。第24页数字电子技术第7章半导体存储器填空题3、存储矩阵由若干存储单元组成，一个存储单元存储的内容称为存储器的一个，每个存储单元由若干个可以存放一位二进制信息的基本存储电路组成，一个存储单元所含有的基本存储电路的个数，即能存放的二进制位数称为存储器的。参考答案字字长第25页数字电子技术第7章半导体存储器填空题4、容量为4K×8位RAM存储器芯片，有条地址输入线、条数据输出位线。参考答案128分析提示存储容量=字数×字长=4K×8位因212=4K所以有12条地址输入线因字长=8位所以有8条数据输出位线第26页数字电子技术第7章半导体存储器填空题5、存储器的读/写控制器受片选信号CS和读/写信号R/W控制，当CS=0时，若R/W=1电路执行操作，若R/W=0电路执行操作。参考答案读写分析提示片选信号控制存储器是否工作，时，存储器处于工作状态，才能进行读写操作。读/写信号控制读/写操作，时，执行(R)读操作，时，执行(W)写操作。CS0CSWR/1/WR0/WR第27页数字电子技术第7章半导体存储器填空题6、从存储功能来看ROM的结构，它由地址译码器和只读的存储矩阵两部分组成；从逻辑关系来看ROM的结构，它是由阵列和阵列构成的组合逻辑电路。参考答案与逻辑或逻辑分析提示ROM在逻辑关系上，等效成与逻辑阵列、或逻辑阵列。与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码，产生以地址为变量的全部最小项。第28页数字电子技术第7章半导体存储器填空题7、某ROM的数据存储真值表如表所示，当地址变量A1A0=10时，读出一个字的内容是D3D2D1D0=。A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110数据存储真值表参考答案0100分析提示横向理解真值表，一个地址对应一个所读出的4位字长的字。第29页数字电子技术第7章半导体存储器填空题8、ROM的阵列逻辑图中，阵列形成以地址为变量的全部最小项，阵列实现对某些最小项进行逻辑或运算。参考答案与逻辑或逻辑分析提示ROM在逻辑关系上，等效成与逻辑阵列、或逻辑阵列。与逻辑阵列实现对全部地址变量进行译码，产生以地址为变量的全部最小项。或逻辑阵列实现对某些最小项进行逻辑或运算。第30页数字电子技术第7章半导体存储器填空题9、PLA的可编程与门阵列构成的地址译码器是一个非完全译码器，它输出的每一条字线可以对应一个项，也可以对应一个由地址变量任意组合的项。参考答案最小项与项分析提示PLA的与逻辑阵列可编程，实现产生以某些地址为变量的与项，当与项以全部地址为变量即为最小项。第31页数字电子技术第7章半导体存储器填空题10、PAL由的与门阵列和的或门阵列构成。参考答案可编程可编程分析提示PLA的与逻辑阵列实现产生以某些地址为变量的与项，可编程；或逻辑阵列实现将某些与项相或，可编程。