同济大学模拟电子技术期末试卷(二)

1同济大学模拟电子技术期中试卷前六章基础内容一、选择题。（每题3分，共36分）1.在本征半导体中，电子浓度_______空穴浓度。A.大于B.小于C.等于D.不定2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。A.饱和状态.B.放大状态C.截止状态D.倒置状态3.共模抑制比GMRK是______之比.A．差模输入信号与共模输入信号B．输出量中差模成分与共模成分C．差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)D．交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)4.差动放大电路的主要优点是。A、稳定的放大性能B、较高的输入电阻C、能有效地抑制零点漂移D、有稳定地静态工作点5.稳压管的稳压区是工作在______。A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区6.二极管两端地反向偏置电压增高时，在达到______电压以前，通过的电流很小。A．击穿B．最大C．短路7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻Ri_______。2A．R1B．（1+β）R1C．R1/1+βD．R1/β8.变容二极管在电路中使用时，其PN结是_______。A．正向运用B．反向运用9.当晶体管工作在放大区时，_______。A．发射结和集电结均反偏；B．发射结正偏，集电结反偏；C．发射结和集电结均正偏。10.在非线性失真中，饱和失真也称为（）A．顶部失真B．底部失真C．双向失真11．简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起______形成PN结。A．能够B．不能C．不一定12.当二极管两端正向偏置电压大于______电压时，，二极管才能导通。A．击穿B．饱和C．门槛二、填空题。（每空2分，共12分）1.写出下列正弦波电压信号的表达式：A.峰—峰值10V，频率10kHz()B.均方根值220V，频率50Hz()C.峰—峰值100mV，周期1ms（）D.峰—峰值0.25V，角频率1000rad/s()2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为（）。3.共模信号是指大小相等，极性（）的信号。三、两只处于放大状态的三极管，测得①、②、③脚对地电位分别为-8V、-3V、-3.2V和3V、12V、3.7V，试判断管脚名称，并说明是PNP型管还是NPN型管，是硅管还是锗管？（6分）四、如图所示的电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压的波形。（5分）3iuouDR五、电路如图所示，已知VCC=VEE=15V.晶体管T1,T2的β＝100,rbb=200ΩRC=RL=6kΩ,RE=7.2kΩ1.估算T1,T2管的静态工作点ICQ,VCEQ（5分）2.计算AVD=VO/(Vi1-Vi2),Rid,Rod（8分）+VCCRCRCRL+vO-T1T2vi1vi2Re-VEE六、FET恒流源电路如图，设已知管子的参数mg、dr，试证明AB两端的小信号电阻dmABrRgRr)1(。（8分）DDVSSVABTLRI七、图中RS、Re、Rb1、Rb2、、RC、RL、VCC均已知；求：IC、IB、VCB（8分）4八、已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为)101)(101(101005fjfjfjAV(式中f的单位为Hz)求：1.该电路的上、下限频率；2.中频电压增益的分贝数；3.输出电压与输入电压在中频区的相位差。（12分）