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第一章晶体硅太阳电池的基本原理和制造工艺流程晶体硅太阳电池已经成为当今光伏工业的主流,随着单晶硅、多晶硅太阳电池工厂的新近投资,这种作用还将持续下去[1]。从1954年Chapin,Fuller和Pearson研制成功硅PN结太阳电池以来,这一利用p-n结光伏效应工作的器件经过半个世纪的改进和演变,发展成为具有多种几何结构和相应的制造流程的一类太阳电池产品。到目前为止,尽管被称为“第二代光伏器件”的薄膜太阳(CdTe、CIS、非晶硅、微晶硅、多晶硅、硅-锗合金电池也取得了进展,但在短期内仍然无法替代晶体硅太阳电池。关于太阳电池的基本特性,Hovel已作出了全面的论述[2]。我们按照太阳电池的器件结构、硅p-n结太阳电池的基本工作原理到一般的制造工艺流程的顺序进行介绍。1.晶体硅太阳电池的器件结构晶体硅太阳电池的基本结构见图1.,它由扩散法在表面形成的浅PN结,正面欧姆接触栅格电极,覆盖于整个背面的欧姆接触电极以及正面减反射膜构成。图1.硅PN结太阳电池基本结构图2.PERT太阳电池结构高效率晶体硅太阳电池则有着更为复杂的结构和制造流程,如钝化发射极太阳电池PESC(passivatedemittersolarcell,钝化发射极和背面太阳电池PERC(passivatedemitterandrearcell,钝化发射结背面点接触太阳电池PERL(passivatedemitter,rearlocally-diffusedcells,钝化发射极背面全扩散太阳电池PERT(passivatedemitter,reartotally-diffusedcells,具有本征层的(a-Si/(c-Si异质结太阳电池(HITTM电池,倾斜蒸发电极MIS-n+p太阳电池OECO(obliquely-evaporated-contact,V型机械刻槽埋栅电极太阳电池(BuriedContactSolarCellwithV-groovedsurface,背面接触电极太阳电池(BacksideContactSolarCell等等。这些高效率晶体硅太阳电池,主要特点是充分考虑到引起光电转换效率损失的因素,在器件结构上进行了仔细的设计。图2.、图3.所示分别为PERT太阳电池、PERL太阳电池结构。图3.PERL太阳电池结构图4.丝网印刷电极太阳电池结构目前商业化生产的大多数晶体硅太阳电池,采用1970年代开发出的丝网印刷电极结构,见图4。这种结构的太阳电池具有制造过程简单,设备产能较高的优点。缺点是采用丝网印刷的正面电极在解决金属—半导体接触电阻和PN结的光电特性以及遮光问题之间不能令人满意。激光刻槽埋栅电极太阳电池,见图5,是澳大利亚新南威尔士大学光伏研究中心MartinA.Green教授及其研究团组,在1980年代将实验室高效晶体硅太阳电池技术低成本应用于商业生产的一个范例。这种太阳电池的优点是正面兼有轻掺杂的受光区域和重掺杂的电极接触区域(激光刻槽,因此,在改善金属—半导体接触电阻时,不必牺牲正面受光区域的PN结光电特性,同时可以最大限度地减小电极的遮光面积。缺点是设备产能较低。图3.激光刻槽埋栅电极太阳电池结构图4.丝网印刷选择性发射极示意丝网印刷选择性发射极太阳电池,在器件结构上与激光刻槽埋栅电极太阳电池相似,在制造工艺上更加简化,电极接触的“重”掺杂区和接收光照的“轻”掺杂区使用丝网印刷磷浆在一次扩散步骤中形成,见图4.。2.硅PN结太阳电池的基本工作原理2.2.1太阳辐射[3]太阳发出的辐射能来自核聚变反应。每秒钟约有6×1011kg的H2转变为He,净质量损失约为4×103kg,这一质量损失通过爱因斯坦关系(E=mc2转变为4×1012J的能量。此能量主要作为从紫外到红外和无线电频段(0.2至3μm的电磁辐射发射出去。太阳的总质量目前约为2×1030kg,估计有近乎恒定辐射能输出的相当稳定的寿命要超过100亿年。在日—地平均距离的自由空间内的同样辐射强度定义为太阳常数,其值[4][5]为1353W/m2。当阳光到达地表时,大气层要使阳光减弱,主要原因是在红外波段的水汽吸收,紫外波段的臭氧层吸收,以及受飞尘和悬浮微粒的散射。大气层对地表处接收到的阳光的影响程度定义为“大气质量”。太阳与天顶夹角的正割(secθ称为大气质量,用以度量大气层路程与太阳正当顶时最短路程的相对值。图5.示出了与太阳光谱辐照度[5](单位波长单位面积的功率相关的四条曲线。上部的曲线代表地球大气层以外的太阳光谱,是大气质量为零的状态(AM0。此状态可用5800K的黑体近似。AM0谱是与人造卫星和宇宙飞船应用相关的光谱。AM1谱代表太阳位于天顶时地表的阳光;入射功率约为925W/m2。AM2谱是对于θ=60而言的,其入射功率约为691W/m2。大气质量1.5的状态(太阳与地平线成45°角代表地面应用的满意的加权能量平均值。AM1.5情形单位时间单位面积的单位能量光子数[6]示于图6.,图中还一并示出AM0的情形。为了将波长转变成光子能量,我们应用了下述关系meVhCμννλ(24.1==(1AM1.5情形的总入射功率为844W/m2。图5.与太阳光谱相关的四条曲线(引自Thekaekara的参考文献[5]图6.在AM0和AM1.5状态的太阳光谱与光子能量的关系及相关半导体材料的带隙、理论光电转换效率(引自Henry的参考文献[6]要进行太阳能发电,还必须了解在不同地点预计全年有多少太阳能。2.2.2光谱响应[3]当波长为λ的单色光入射到太阳电池正面时,光电流和光谱响应(在各波长下每个入射光子所收集的载流子数可推导如下。在距半导体表面x处的电子—空穴对产生率示于图8.(a,表达式可以写成:](exp[](1[((,(xRFxGλαλλλαλ--=(2图8.(a对于长波和短波光,电子—空穴对产生率与到半导体表面距离的关系。(b太阳电池尺寸和少数载流子扩散长度。(c太阳电池的假设突变掺杂分布。式中(λα为吸收系数,(λF为单位带宽每cm2每s的入射光子数,(λR为这些光子的表面反射率[2]。硅的光吸收系数见图9.。图9.晶体硅的光吸收系数在小注入条件下,对p型半导体中的电子,一维稳态连续性方程为010=+--dxdJqnnGnnppnτ(3对n型半导体中的空穴,为010=+--dxdJqppGppnnpτ(4电流密度方程为dxdnqDEnqJppnn+=μ(5dxdpqDEpqJnnpp+=μ(6对于结每侧为恒定掺杂的突变p—n结太阳电池,在图8.(b和(c耗尽区以外没有电场,在有n型正面和p型底面的p-n结的情形,可将方程(2、(4、(6联立解得到接上侧的表达式:0exp(1(022=----+pnnpppxRFdxpdDταα(7此方程的一般解为((exp(11(220xLRFLxBshLxAchppppppnnαατα----+=-(8式中,(21pppDLτ=,为扩散长度。有两个边界条件。在表面,有复合速度为pS的表面复合:((00nnpnnpppSdxppdD-=-(9在耗尽层边缘,因受耗尽区电场的作用,过剩载流子密度很低:00≈-nnpp在jxx=处(10在方程(8中代入这些边界条件,得到空穴密度为⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡-+⎪⎪⎭⎫⎝⎛++⎪⎪⎭⎫⎝⎛-⎪⎪⎭⎫⎝⎛+⨯--=---xpjpjppppppppxpjppppppnneLxchLxshDLSLxchLxshDLSeLxxshLDLSLRFppjαααατα/(/(/(11(220(11最终得到耗尽区边缘的空穴光电流密度为⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡-+⎪⎪⎭⎫⎝⎛++⎪⎪⎭⎫⎝⎛+⨯--=⎪⎭⎫⎝⎛=--jjjxpjpjppppjpjpppxppppppxnppeLxchLxshDLSLxchLxshDLSeLDLSLRFqdxdpqDJαααατα/(/(/(11(22(12假定该p-n结太阳电池的正面区域在寿命、迁移率和掺杂浓度等方面都是均匀的,在给定波长下,这一光电流就可以从电池的正面被收集到。为了求得从电池底面收集到的电子光电流,要采用方程式(2、(3、(5,其边界条件为:00≅-ppnn在Wxxj+=处(13dxdnDnnSpnppn-=-(0在Hx=处(14式中,W为耗尽层宽度,H为整个电池的宽度。方程(13说明,在耗尽层边缘,过剩少数载流子密度接近于零,而方程(14说明,背表面复合在欧姆接触处发生。引用这些边界条件后,在均匀掺杂p型底面的电子分布为[]⎪⎪⎭⎪⎪⎬⎫⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎭⎫⎝⎛--⨯⎪⎪⎭⎫⎝⎛+⎪⎪⎭⎫⎝⎛⎪⎪⎭⎫⎝⎛+⎪⎪⎭⎫⎝⎛+⎥⎦⎤⎢⎣⎡-⎪⎪⎭⎫⎝⎛⎪⎪⎭⎫⎝⎛--⎪⎪⎭⎫⎝⎛--+---=------njnnnnnHnnHnnnnWxxnjjnnppLWxxshLHchLHshDLSeLLHsheLHchDLSeLWxxchWxLRFnnj'''(220'(exp11(αααααατα(15在耗尽区边缘Wxxj+=处被收集到的电子所产生的光电流为[]⎪⎪⎭⎪⎪⎬⎫⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎭⎫⎝⎛+⎪⎪⎭⎫⎝⎛⎪⎪⎭⎫⎝⎛+⎪⎪⎭⎫⎝⎛+⎥⎦⎤⎢⎣⎡-⎪⎪⎭⎫⎝⎛⎪⎪⎭⎫⎝⎛-⨯+---=⎪⎪⎭⎫⎝⎛=--+nnnnnHnnHnnnnnjnnWxpnnLHchLHshDLSeLLHsheLHchDLSLWxLRFqdxdnqDJj'''22'(exp11(αααααατα(16式中'H为图8.(b所示的p型底面中性区。方程(16是在假定底面区域在寿命、迁移率和掺杂浓度都是均匀分布的情况下推导出来的。若这些量是距离的函数,就必须应用数值分析。在耗尽区内也产生一些光电流。该区内的电场通常很高,光生载流子在能够复合之前就受到加速而被扫出耗进区。单位带宽的光电流等于被吸收的光子数。[]([]WxRFqJjdrααα----=exp1exp1((17于是,在给定波长下的总光电流为方程(15、(16、(17之和:((((λλλλdrnpJJJJ++=(18对于从外部观察到的光谱响应,此光谱响应(SR等于方程(18除以qF;对于内部光谱响应,光谱响应等于方程(18除以qF(1-R。]((([](1[(1(λλλλλλdrnpJJJRqFSR++-=(19对于能隙为Eg的半导体,理想的内部响应是一阶跃函数,在Eghν时等于零,在Eghν时等于1(如图9.(a的点划线所示。对于Sin/p太阳电池,计算得到的逼真的内部光谱响应示于图9.(a,此光谱响应在高光子能量下大大偏离理想化阶跃函数[2]。此图还示出了三个区域各自对光谱响应的贡献。器件参数为ND=5×1019cm-3,NA=1.5×1016cm-3,τp=0.4μs,τn=10μs,xj=0.5μm,H=450μm,S(正面=104cm/s和S(背面=∞。当光子能量低时,由于硅的吸收系数低,在底面区域产生大部分载流子,当光子能量增加到2.5eV以上,正面区域的载流子产生占优势,超出3.5eV时,α变得大于106cm-1,光谱响应完全来自正面区域,因为假设Sp很高,在正面区域的表面复合导致与理想光谱响应的很大偏离。当1pLα并且1jxα时,光谱响应趋近于渐近值(即从方程(12正面光电流得到的值:(((pjpjpppppLxchLxshDLSDSSR++=α1(20表面复合速度Sp在光子能量高时对光谱响应尤有显著的影响,对于与图9.(a有同样参数(只是Sp从102变化到106cm/s的器件,表面复合速度效应示于图9.(b。随着Sp的增加,光谱响应剧烈下降。方程(20还表明,当Sp给定时,可通过增加扩散长度Lp来改善光谱响应。一般来说,为了增加有用波段的SR值,应同时增加Lp和Ln并同时降低Sp和Sn。图9.(aSip-n结太阳电池经计算得到的内部光谱响应,图中示出了三个区域各自的贡献(点划线是对于理想响应而言的。(bSip-n结太阳电池当有不同的表面复合速度时经计算得到的内部光谱响应(引自Hovel的参考文献[2]一旦得知光谱响应,从图5.所示的太阳光谱分布F(λ得到的总光电流密度为λλλλλdSRR