溅射镀膜种类及特点

溅射镀膜有多种方式。按电极结构分类，即根据电极结构、电极的相对位置及溅射镀膜的过程，可以分为直流二极溅射、直流三极溅射、直流四极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、ECR溅射等。溅射镀膜种类及特点序号溅射方式溅射电源Ar气压/Pa特点1二极溅射DC1-7kv,0.15-1.5mA/cm2RF0.3-10kw1-10w/cm21.33（10-2）构造简单，在大面积的基板上可以制取均匀的薄膜，放电电流流陌气压和电压的变化而变化2三极溅射或四极溅射DC0-2kvRF0-1kw6.65*10-2-1.33*10-1（5*10-4-1*10-3）可实现低气压、低电压溅射，放电电流和轰击靶的离子能量可独立调节控制。可自动控制靶的电流。也可进行射频溅射3磁控溅射0.2-1kv3-30w/cm210-10-6在与靶表面平等的方向上施加磁场，利用电场和磁声相互垂直的磁控管原理减少电子对基板的轰击（降低基板温度）。使高速溅射成为可能。对Cu来说，溅射沉积速率为1.8um/min时，温升为2度/um。Cu的自溅射可在10-6Pa的低压下进行4对向靶溅射可采用磁控靶DC或RF0.2-1kv,3-30w/cm21.33*10-1-1.33*10-3两个靶对向布置，在垂直于靶的表面方向加上磁场，基板位于磁场之外。可以对磁性材料进行高速低温溅射5ECR溅射0-数千伏1.33*10-3(10-5)采用ECR等离子体，可在高真空中进行各种溅射沉积。靶可以做得很小6射频溅射FR0.3-10kv,0-2kw1.33(10-2)开始是为了制取绝缘体如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可溅射镀制金属膜。靶表面加磁场可以进行磁控射频溅射7偏压溅射在基片上施加0-500v范围内的相对于阳极的正的或负的电位1.33(10-2)在镀膜过程中同时清除基板上轻质量的带电粒子，从而使基板中不含有不纯气体(如H2O,N2等残留气体等)8反应溅射DC0.2-7kv,RF0.3-10KW在Ar中混入适量的活性气体，如N2/O2等分别制取TiN,Al2O3制作阴极物质的化合物薄膜，例如，如果阴极是钛，可以制作TiN,TiC9离子束溅射引出电压0.5-2.5kv,离子束流10-50mA离子源系统10-2-102，溅射室3*10-3在高真空下，利用离子束溅射镀膜，是非等离子体状态下的成膜过程。靶接地电位也可，还可以进行反应离子束溅射