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1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（C）a、700b、650c、100d、-1002.当输入信号频率为fL或fH时，电压增益的幅值约下降为中频时的（B）a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时,电压增系下降了(B)。A、2dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C）a、10KΩb、2KΩc、1KΩd、0.5KΩ5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOAVOB，由此可知A比B（B）a、一样b、差c、好d、无法判别6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB，都接入负载RL时，测得VOAVOB，由此必须A比B（C）a、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A）a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A）a、0Vb、3Vc、6Vd、9V9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（C）a、9Vb、6Vc、0Vd、3V10.设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与VN、VP分别成（D）a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（D）A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、微分运算电路D、积分运算电路半导体12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）。a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素13.半导体中有两种载流子，它们分别是（C）a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（B）a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷15.在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C）a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子16.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（A）a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同b、空穴增多，自由电子数目不变c、自由电子增多，空穴数目不变d、自由电子和空穴数目都不变二极管17.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B）a、只从P区流向N区b、等于零c、只从N区流向P区d、无法判别18.流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（A）a、减小b、增大c、基本不变d、无法确定19.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（C）a、不变b、变宽c、变窄d、无法判别20.二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为（B）a、5%b、大于5%c、小于5%d、不确定21.温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（A）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能22.利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（D）a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性23.PN结形成后，PN结中含有（D）a、电子b、空穴c、电子和空穴d、杂质离子24.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（A）a、相等b、大于c、小于d、无法确定25.稳压管能够稳定电压，它必须工作在（D）a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态26.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（C）a、2CZ11b、2AP6c、2CW11d、2CP1027.在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。如图所示符号为（C）。A、理想模型B、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管28.放大电路的静态是指（A）a、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零29.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C）a、低b、中c、高d、以上均可30.三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（D）a、反偏，反偏b、反偏，正偏c、正偏，反偏d、正偏，正偏31.三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（D）a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编32.NPN型和PNP型三极管的区别是（C）a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同d、以上均否33.温度升高时，三极管的输出特性曲线将（A）a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能34.温度升高时，三极管极间反向电流将（A）a、增大b、减小c、不变d、无法确定35.某三极管的极限参数PcM=150mW，IcM=100mA，V（BR）CEo=30V，若它的工作电压VcE=10V,则工作电流Ic不得超过（C）a、100mAb、50mAc、15mAd、1mA36.某三极管的极限参数PCM=150mw，ICM=100mA，V（BR）cEO=30V，若它的工作电压VCE=1V，则工作电流不得超过（D）a、1mAb、15mAc、40mAd、100mA37.某三极管的极限参数PCM=150mw,ICM=100mA,V(BR)CE0=30V,若工作电流IC=1mA,则工作电压不得超过（A）a、30Vb、15Vc、10Vd、1V38.用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大，测试结果为VoA＞VoB,这是由于(C)a、输出电阻小b、输出电阻高c、输入电阻高d、输入电阻小39.三极管输入电阻rbe与静态电流IE的大小有关，因而rbe是(C)a、交、直流电阻b、直流电阻c、交流电阻d、以上均否40.如图示Us2=0，从集电极输出，则该电路属于（C）a、无法确定b、共集c、其基d、共发41.检修某台无使用说明书的电子设备时，测得三极管各电极对地电压数据为VB=-0.2V,VC=-5V,VE=0,则该三极管为（B）a、NPN型,锗管b、PNP型,锗管c、NPN型,硅管d、PNP型,硅管42.某放大电路，IA=1.5mA，IB=0.03mA,Ic=-1.53mA，则A，B，C中极性分别是（D）a、（e、b、c）b、（b、c、e）c、（c、e、b）d、（c、b、e）43.有二只半导体三极管，A管子的β=200，IcEo=240μA，B管子的β=100，IcEo=20μA其他参数一样，则管子的好坏为（C）a、均一样b、A管好c、B管好d、无法判别44.三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度（A）a、窄b、中c、宽d、以上均可45.在单管共射极电路中，换上β减小的管子，VCEQ将（C）a、不变b、减小c、增大d、无法确定46.三极管放大电路的三种组态（D）a、都有电压放大b、都有电流放大c、只有共射极才有功率放大d、都有功率放大47.如图示，US1=0，US2≠0从集电极输出，则该电路属于（）a共射b、共基c、共集d、无法判别48.如图所示，US1=0，US2≠0，从发射极输出，则该电路属于（C）a、共射b、共基c、共集d、无法判别49.检修某台无使用说明书的电子设备时，VB=2.73V，VC=2.3V,VE=2V，则该三管类型为（D）a、NPN型，锗管b、PNP型，硅管c、PNP型锗管d、NPN型硅管50.某放大电路，IA=-1.8mA,IB=-0.06mA,Ic=1.86mA，则A、B、C中极性分别为（A）a、（c、b、e）b、（b、e、c）c、（c、e、b）d、（e、c、b）51.三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积（C）a、小b、一样c、大d、无法确定52.三极管工作在放大区时，流过发射结电流和流过集电结的电流主要是（D）a、均为扩散电流b、均为漂移电流c、漂移电流、扩散电流d、扩散电流、漂移电流53.温度升高时，VBE随温度上升而发生（A）a、减小b、增大c、不变d、无法确定54.某三极管各极对地的电压为VB=-0.3V，VC=-5.1V，VE=-0.1V，则该三极管结构及工作状态为（D）a、NPN型放大b、PNP型饱和c、NPN型饱和d、PNP型放大55.晶体三极管的关系式iB=f(uBE)︱VCE,它代表三极管（D）a、共基极输入特性b、共集电极输入特性c、共射极输出特性d、共射极输入特性56.对于基本共射放大电路，当RC增大时，其输出电阻（C）a、不变b、减小c、增大d、无法确定57.单管共射极电路中，输入f=1KHZ的正弦电压信号后，分别用示波器观察输入信号和输出信号，则二者波形应该是（A）a、相差180°b、相差90°c、相差45°d、同相58.对于基本共射放大电路，负载RL减小时，输出电阻（C）a、增大b、减小c、不变d、无法确定59.在单管射极放大电路，Rb、Rc分别是基极和集电极偏置电阻，用直流电压表测出VCEQ≈VCC，有可能因为（B）a、Rb短路b、Rb开路c、RC开路d、β过大场效应管60.场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的（A）a、电场b、磁场c、电流d、以上均否61.场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成，这种载流子是（B）a、少子b、多子c、两种载流子d、正负离子62.三极管和场效应管应分别是（A）a电流和电压控制器件b、电压和电流控制器件c、均为电流控制器件d、均为电压控制器件63.N沟道场效应管的漏极电流是由载流子的漂移形成的，这种载流子是（D）a、正负离子b、电子和空穴c、空穴d、电子64.一场效应管的转移特性曲线如图示，则它属于类型为（A）a、N沟道结型管b、P沟道结型管c、P沟道MOS管d、N沟道MOS管65.一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、ＩDSS分别为（B）a、VP=-4V,IDSS=0b、VT=-4V,IDSS=0c、VP=-4V,IDSS=3mAd、VT=-4V,IDSS=3mA66.结型场效应管改变导电沟道的宽度是利用栅源极间所加电压为（B）a、正向b、反向c、以上均可d、以上均否67.MOS管中的漏极电流（C）a、穿过PN结和衬底b、穿过衬底c、不穿过PN结d、穿过PN结功率放大电路68.在甲类、乙类、甲乙类放大电路，效率最低的是（B）a、一样b、甲类c、乙类d、甲乙类69.在甲类、乙类、甲乙类放大电路中，属于OCL电路是（B）a、甲类b、乙类c、甲乙类d、均不是70.一场效应管的转移特性如图示，则它属于类型为（）a、P沟道耗尽型管b、N沟道耗尽型管c、P沟道增强型管d、N沟道增强型管71.互补对称功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（B）a、甲类放大b、甲乙类c、乙类放大d、以上均可72.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导电角较小的是（D）a、一样b、甲类c、甲乙类d、乙类73.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压（A）a、提高b、降低c、保持稳定d、无法确定74.由于功放电路中的三极管常处于接近极限工作状态，因此在选择三极管时必须特别注意的参数之一为（D）a、IcBob、βc、ƒTd、PcM功放电路输入幅度大，增益高，因此常采用的分析方法是（C）a、微变等效法b、π型法c、图解法d、叠加法75.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，存在交越失真的电路是（B）a、甲类b、乙类c、甲乙类d、均存在76.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中效率最高是（C）a、甲类b、甲乙类c、乙类d、无法确定77.在功放电路中属于OTL电路的是（B）a、双电源甲乙类b、甲类c、双电源乙类d、以上均否78.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压（A）a、提高b、降低c、保持稳定d、无法确定79.（互补对称）功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（B）a、甲类放大b、甲乙类c、乙类放大d、以上均可负反馈80.已知信号源内阻很小，要求充分发挥负反馈作用，应选（B）。A、并联负反馈B、串联负反馈C、电压负反馈D、电流负反馈81.为稳定静态工作点，应选择的负反馈组态为（A）a、直流负反馈b、交流负反馈c、电压负反馈d、电