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STM32的FLASH擦写次数有限（大概为1万次），所以为了延长FLASH的使用时间，我们平时调试时可以选择在SRAM中进行硬件调试。除此之外，SRAM存储器的写入速度比在内部FLASH中要快得多，所以下载程序到SRAM中的速度较快。所以我们很有必要建立两个版本的工程配置，在SRAM中调试程序完毕后，再把代码下载到FLASH中即可。这篇笔记主要分享在keil5中配置FLASH调试与SRAM调试的详细配置方法及如何切换两种配置。本篇笔记以STM32F103ZET6为例。其FLASH大小为512KB，SRAM的大小为64KB。FLASH基地址为0x08000000，SRAM基地址为0x20000000。在STM32F10XXX里，可以通过BOOT1、BOOT0引脚来选择三种不同的模式：我们要在FLASH中进行硬件仿真调试还是在RAM中进行硬件仿真调试需要对这两个boot脚进行对应的设置以及程序下载的地址进行设置。在FLASH中进行硬件仿真调试1、硬件设置BOOT0配置为0，BOOT1随意设置。2、keil设置本文以keil5为例。步骤如下：（1）点击如下按钮，修改target的名称：target的名称是可以随意更改的，这里我们改为FLASH。（2）点击Project-OptionsforTargetFlash...（也可以点击魔术棒那个图标）进行配置。首先对Target选项卡设置：设置IROM1的起始地址为0x8000000，大小为0x80000，即FLASH的基地址与大小。设置IRAM1为0x20000000，大小为0x10000，即SRAM的基地址与大小。（3）Debug选项设置：调试器根据实际进行选择，我们这里使用的调试器是ULINK2。其它的按默认设置即可，然后点击Settings:（4）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面：然后点击全速运行：在Disassembly窗口中可看到地址为0x0800xxxx，说明代码烧进了FLASH中，这时候就可以像使用其他C语言IDE调试C语言程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。在SRAM中进行硬件仿真调试在SRAM的仿真调试配置比FLASH中的配置要麻烦一点~1、硬件设置BOOT0配置为1，BOOT1配置为1。2、keil设置（1）新建一个target，并修改名称为SRAM：（2）切换至SRAMTarget：（3）点击Project-OptionsforTargetSRAM...（也可以点击魔术棒那个图标）Target选项卡设置：设置IROM1的起始地址为0x2000000，大小为0x8000（32KB）；设置IRAM1的起始地址为0x2008000，大小为0x8000（32KB）。即把64KB的SRAM分为32KB的FLASH（当然这是SRAM虚拟出来的FLASH，掉电易失）和32KB的RAM。（4）C/C++选项设置：为什么在RAM中调试要设置这个宏而在FLASH中调试却不需要？这是因为我们的中断向量表默认位于FLASH中，而此时我们要在RAM中进行调试，所以需要把中断向量表拷贝到RAM中，相关代码在system_stm32f10x.c的SystemInit函数中：其实system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM相关的代码：把这行代码打开即可把中断向量表拷贝到RAM中。但是这里选择在C/C++选项选项里添加宏，因为这样可以保证SRAM版本与FLASH版本代码的一致性。（5）Debug设置：与在FLASH中调试不同的是，这里需要加入.ini文件：这个.ini可以自己创建（也可以在芯片支持包里找到），这里我们建为Dbg_RAM.ini。文件里的内容如下：其中这里的第11行是需要根据实际进行修改的，需要把工程编译得出的.axf格式文件的路径及其文件名填到这里。这里因为我们这里的的.ini文件在.axf的上一级目录：所以此处以./Objects来表示。如果觉得麻烦的话，可以把.axf文件与.ini放在同一个目录下。其它的按默认设置即可，然后点击Settings，并进行如下设置:图中我们需要勾选VerifyCodeDownload及DownloadtoFLASH选项，也就是说点击调试按钮后，本工程的程序会被下载到内部SRAM中，只有勾选了这两个选项才能正常仿真。(至于为什么FLASH版本的程序不需要勾选，不太清楚)。DownloadFunction中的擦除选项配置为DonotErase。这是因为数据写入到内部SRAM中不需要像FLASH那样先擦除后写入。ProgrammingAlgorithm的地址要与我们Target选项卡里设置的地址一致，否则可能会出现如下错误：（6）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面，然后点击全速运行：在Disassembly窗口中可看到地址为0x2000xxxx，说明代码烧进了SRAM中，这时候就可以像使用其他C语言IDE调试C语言程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。以上就是在FLASH中调试与在SRAM中调试的设置方法，调试代码时可以选择SRAM版本的配置，调试完成再切换回FLASH版本的配置，把程序下载到FLASH中。切换方法：在RAM中调试的优缺点优点：1、载程序非常快。RAM存储器的写入速度比在内部FLASH中要快得多，且没有擦除过程，因此在RAM上调试程序时程序几乎是秒下的，对于需要频繁改动代码的调试过程，能节约很多时间，省去了烦人的擦除与写入FLASH过程。另外，STM32的内部FLASH可擦除次数为1万次，虽然一般的调试过程都不会擦除这么多次导致FLASH失效，但这确实也是一个考虑使用RAM的因素。2、不改写内部FLASH的原有程序。3、对于内部FLASH被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到RAM上，进行解锁。缺点：1、存储在RAM上的程序掉电后会丢失，不能像FLASH那样保存。2、SRAM空间较小。