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Match&Noise蒋苓利2020/4/1Devicesformatch：电流镜（MOS、电阻）用于分压的电阻（AD/DA）差分对电压/电流基准源用于运放加/减比例设置的电阻用于电流比例设定的电阻……电流镜（MOS、电阻）用于分压的电阻（AD/DA）Rulesformatch：PlacedevicesclosetoeachotherKeepthedeviceinthesameorientationChooseamiddlevalueforrootcomponentInterdigitatingdeviceDummydeviceforover-etchingCommoncentroid&SymmetryDeviceinthesamesizeMatchtheparasiticparameterPlacedevicesclosetoeachotherRulesformatchx,yx-x,y+yx+x,y-yy1y2x1x2UpperLimitLowerLimit•Thecloserbetweenthetwocomponents,themoresimilarforthesetwocomponents.•Thedistancebetweenthedevicesshouldbethesame.•Inthesmallregion,thecharacteristiccurvecanbeviewedas“linear”.RulesformatchKeepthedeviceinthesameorientation标准尺寸：20/5横向放置20/4RulesformatchDeviceinthesamesizeTwoinseriesTwoinparallelFourinparallelRulesformatchChooseamiddlevalueforrootcomponentMatchforR1=4kR2=16kWhichoneisbetter？RulesformatchChooseamiddlevalueforrootcomponent阻值居中长度、宽度在精度范围内所占面积最小经验值（0.5um）：最窄2um，仅用于无需任何阻值精度要求的大电阻普通匹配3~4um高精度匹配5~6um有精度要求者，方块值最好在6个以上50～60um左右为佳，太长易断宽度：长度：RulesformatchChooseamiddlevalueforrootcomponentMatchforR1=1kR2=100kRulesformatchInterdigitatingdeviceRulesformatchCommoncentroid&SymmetryRulesformatchDummydeviceforover-etchingPbase电阻：接到地电位Poly电阻：可作为一个连接通道可用顶层金属连接，预留修条Dummy电阻的连接自身短接M3MatchtheparasiticparameterRulesformatch！！！！对精度要求极高的电阻应该使contact孔和via孔带来的寄生电阻以及由于金属走线带来的寄生电阻也对应成比例需要精确匹配的器件之间的缝隙不应该用来走线金属走线一般不应该大范围的从电阻上方跨过RulesformatchRulesformatchSomethingEspecialforMOSdeviceRulesformatchWhichoneisbettermatched？SomethingEspecialforMOS请注意ring！MergedRulesformatchImplantImplantSourceAsymmetryDrainABSourceDrainDrainSomethingEspecialforMOSRulesformatchThisoneisbetter！！！SomethingEspecialforMOSM=1的两个器件进行匹配一般不要将其mergeRulesformatchCommonCentroidSymmetryLayout（ABBA）SomethingEspecialforMOSM=2，merge栅、源接衬底电位网表修改版图设计者不得自行修改网表！RulesformatchCommonCentroidSymmetryLayout（AB/BA）DummyViaSomethingEspecialforMOS器件未加DummyRulesformatchCommonCentroidSymmetryInterdigitationLayoutSomethingEspecialforMOSRulesfornoise如何获得一个安静的环境？选择一个安静的地段请邻居把音响开小声点回到自己的房间关好门窗请邻居回到房间关好门窗在floorplan中使噪声模块远离敏感模块降低信号摆幅用guardring将敏感模块包围起来用guardring将噪声模块包围起来CommonSenseNoiseSolutionRulesfornoiseGuardRing对差分对及其他需要严格匹配的器件需要用其衬底环包围起来CMOS工艺，每一个模块尽量都加上环进行保护BICMOS工艺，对噪声模块和敏感模块加保护环噪声模块通常包括：大功率器件、数字开关部分、振荡器敏感模块通常包括：电压基准、电流偏置电路、运放CMOS工艺（P衬底），模块保护环应该打P+接地电位功率管、基准保护环常做成两层结构：一层打P+接地，一层打N+接电源保护环的电位不与器件内部电源相接，而是在I/O端单独引出RulesfornoiseGuardRing！！GuardRing必须封闭应该采用后者RulesfornoiseCoaxialShieldingM3M2SignalM1M2GND！！绕线时，先走Shielding结构，再绕其他线！如果需要shielding结构，请电路设计者事先告知via2via1RulesfornoiseDifferentialSignalA：B：A－B：！！差分输入对管的输入信号线要按最小间距走差分输入对管要尽量精确匹配RulesfornoiseDecoupledPowerRailsQuietV+V-Noise大耦合电容除非特别说明，该电容不必在版图设计开始时即确定大小、位置，通常在版图最终拼整图时，利用“边角余料”空隙画上即可。RulesfornoiseStackedPowerRailsM3M2M1GNDGNDVDD小电容层叠电源线和地线，会形成许多小电容对于高频噪声的泄放很有用在做sealring时，除非工艺方有特定要求，往往都做成电源线与地线层叠的形式：方便ESD走线增大寄生电容。RulesfornoiseIndividualPowerRail干扰较大的模块和敏感模块需要从I/O端单独加电源模块间保护环需要从I/O端单独加电源ABDCA与D之间的相互干扰最小C与D之间的相互干扰最大PAD缺点：减小了A支路上电源金属的电流承载能力增大了A支路上的寄生电阻，并产生较大压降后话：Layout内容很多，但知识点结构相当散，很难系统的总结在画的过程中应该尽量参考以前的版图，做到“面面俱到”以上内容是针所有版图和电路设计者而言必须掌握的