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是的，在低压下igbt相对mos管没任何优势（电性能上没有，价格上更没有，所以你基本上看不到低压igbt，并不是低压的造不出来，而是毫无性价比）。在600v以上，igbt的优势才明显，电压越高，igbt越有优势，电压越低，mos管越有优势。开关速度，目前mos管最快，igbt较慢，大概慢一个数量级（因为igbt原理是mos管驱动三极管，mos要先导通然后导通电流驱动三极管导通，三极管导通比mos慢很多）。导通压降，一般低压mos管使用都控制在0.5v以下（基本不会超过1v的）。比如ir4110，内阻4毫欧姆，给它100a的导通电流，导通压降是0.4v左右。mos开关速度快，意味着开关损耗小（开关发热小），同样电流导通压降低，意味着导通损耗小（还是发热小）。上面说的是低压状况。高压情况就差很多了。开关速度无论高压低压都是mos最快。但高压下mos的导通压降很大，或者说mos管内阻随耐压升高迅速升高，比如600v耐压的coolmos，导通电阻都是几百毫欧姆或几欧姆，这样它的耐流也很小（通过大电流就会烧掉），一般耐流几安或者几十安培。而igbt在高耐压压下，导通压降几乎没明显增大（原因还是主要导通电流是通过三极管），所以高压下igbt优势明显，既有高开关速度（尽管比mos管慢，但是开关比三极管快很多），又有三极管的大电流特性。IGBTPKMOSFET,需要耐压超过150V的使用条件，MOS管已经没有任何优势！以典型的IRFS4115为例：VDS-150V，ID-105A（Tj=25摄氏度,这个唬人指标其实毫无实际使用价值），RDS-11.8m欧姆;与之相对应的即使是第四代的IGBT型SKW30N60对比；都以150V,20A的电流，连续工况下运行，前者开关损耗6mJ/pulse,而后者只有1.15mJ/pulse，不到五分之一的开关损耗！就这点，能为用户省去多少烦恼？要是都用极限工作条件，二者功率负荷相差更悬殊！其实，很多时候，我们的影像中，还停留在多年前的IGBT的概念中。。。更不必比较现在的六，七代及以后的IGBT技术指标了！正因为如此，有大功率需求的诸如冶金，钢铁，高速铁路，船舶。。。等领域已广泛应用IGBT元器件，而已经很少采用MOSFET来作为功率元器件。而我们热衷的事实只是人家淘汰下来的过剩东西的“合理”利用罢了，绝对算不上啥宝贝。令吾辈感叹地是，由这些“宝贝”堆积起来的所谓大功率（其实按工业标准也就3~5KW）的控制器，能卖到5，6千乃至8，9千元，不得不佩服资本的力量！不知你怎么得来的同样电流下开关损耗mos管比igbt还大。mos管的最大优势就是开关速度快。开关损耗低。劣势是雪崩能量低。如果这个mos管本来开关时间20ns，你非得通过驱动电路限流把开关时间搞成2us，当然开关损耗很大（但这不是管子本身造成的，是实际使用条件限制）。另外同样电流下，低压igbt没性价比。（比如200v100a应用场合，igbt会比mos贵很多）。所以一般igbt击穿电压起步是600v的。600v以上优势明显。mos管最高电压一般也在600v-650v，这时要用coolmos技术降低导通电阻。英飞凌to-220封装ipp075n15，耐压158v，典型内阻6毫欧姆，单管能搞定100a电流（保守期间，60a）。我这里并不是说mos怎么好，igbt怎么不好。而是两者都有各自的优势。mos管，igbt，三极管比较，mos开关速度最快，三极管最慢，而igbt内部是靠mos管先开通驱动三极管开通（这个原理决定了它的开关速度比mos慢，比三极管快,和几代技术无关）。mos管的最大劣势是随着耐压升高，内阻迅速增大（不是线性增大），所以高压下内阻很大，不能做大功率应用。随着技术发展,无论mos管还是igbt管，它们的各种参数仍在优化。目前igbt技术主要是欧美和日本垄断，国内最近2年也几个公司研究工艺，但目前都不算成熟，所以igbt基本都是进口。igbt的制造成本比mos高很多，主要是多了薄片背面离子注入，薄片低温退火（最好用激光退火），而这两个都需要专门针对薄片工艺的昂贵的机台（wafer一般厚度150um-300um之间）。我们公司也在做igbt工艺研发，前年有样片出来，性能接近期望目标，不过要想量产还需要进一些设备，另外工艺上还需很多改善。