SDTXXXXSA产品说明书

深圳市新达微电子有限公司XXXA-SM-A0SDTXXXXSA产品说明书编制日期1审核日期0批准日期0深圳市新达微电子有限公司深圳市新达微电子有限公司-1-系列一、特点1、双向浪涌电流吸收2、最大峰值脉冲电流：IPP=75A(10/700μs，4KV)3、最小击穿电压范围：VBR=6V～320V4、最大转折电压范围：VBO=25V～400V5、最小维持电流：IH=50mA（6V、25V），150mA6、极低的截止漏电流：IRM≤10μA二、描述SDTXXXXSA系列是双向瞬态浪涌吸收器件，它主要在通讯设备（例如调制解调器、线卡、传真机、其他电话终端设备、T1/E1、SLIC、XDSL和ISDN等）中起过电压保护作用，使敏感的通信设备免受雷击和其他瞬态电压的冲击。器件外形和等效结构如图1和图2所示。图1、SMB（DO-214AA）三、电学特性1、额定参数符号参数数值单位10/700μs3000VIPP最大峰值脉冲电压/电流（注释）5/310μs75ATI焊接温度t=10s260°CTstg存储温度范围-55～150°CTj最高结温150°C注释：脉冲波形tr：上升时间（μs）,tp：脉冲延迟时间（μs）如脉冲波形为5/310μs，则tr=5μs、tp=310μs图3、脉冲波形曲线深圳市新达微电子有限公司-2-、特性曲线符号参数VRM断态电压IRM断态电流VBO转折电压IBO转折电流IH维持电流IPP最大峰值脉冲电流C电容3、电学参数VRMIRMVBOIBOIHC(注)maxmaxminmaxminmax产品型号VuAVmAmAmApFSDT0080SA6102515080050100SDT0300SA25104015080050110SDT0640SA58107715080015050SDT0720SA65108815080015050SDT0900SA75109815080015050SDT1100SA901013015080015040SDT1300SA1201016015080015040SDT1500SA1401018015080015030SDT1800SA1801022015080015030SDT2300SA2001026015080015030SDT2600SA2201030015080015030SDT2800SA2401032015080015030SDT3100SA2751035015080015030SDT3500SA3201040015080015030注：测试条件：VR=2V，f=150kHz。深圳市新达微电子有限公司-3-双向对称瞬态过电压保护器四、测试电路及方法1、VBO和IBO测试电路图5、IBO和VBO的测试电路图注意：1）测试周期为tp=20ms；2）对于双向器件，开关K闭合。2、IH测试电路图6、IH测试电路图注意：（1）浪涌电流=10A(10/1000μs)；（2）被测器件在最多50ms时间内要回到断态。深圳市新达微电子有限公司-4-双向对称瞬态过电压保护器五、器件封装及尺寸本器件采用SMB(DO-214AA)封装，外形及尺寸如图所示：六、产品互换对照表公司产品型号ST产品型号PI产品型号TECCOR产品型号PROTEK产品型号SDT0080SAP0080SASDT0300SAP0300SASDT0640SASMTPA62TISP4070M3BJP0640SAPP0640SASDT0720SASMTPA68TISP4080M3BJP0720SAPP0720SASDT0900SATISP4095M3BJP0900SAPP0900SASDT1100SASMTPA100TISP4115M3BJP1100SAPP1100SASDT1300SATISP4145M3BJP1300SAPP1300SASDT1500SATISP4185M3BJP1500SAPP1500SASDT1800SASMTPA180TISP4240M3BJP1800SAPP1800SASDT2300SASMTPA200TISP4265M3BJP2300SAPP2300SASDT2600SASMTPA220TISP4290M3BJP2600SAPP2600SASDT2800SASMTPA240TISP4300M3BJP2800SASDT3100SASMTPA270TISP4350M3BJP3100SAPP3100SASDT3500SATISP4395M3BJP3500SAPP3500SA深圳市新达微电子有限公司-5-双向对称瞬态过电压保护器七、典型保护电路1.MODEM内线保护2.ISDN保护3.线卡RING/TEST保护深圳市新达微电子有限公司-6-双向对称瞬态过电压保护器八、命名规则九、标识型号标识封装订购号包装数量SDTXXXXSAPXXASMBSDTXXXXSAR卷带2500