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黑龙江省专业技术人员继续教育知识更新培训化工专业2013年作业说明：初级职称学员“专业课作业一”为第1-8题；“专业课作业二”为9-16题。中、高级职称学员“专业课作业”为17-26题；同时提交3000字左右“学习心得”一篇。所有学员均需按要求提交“公需课作业”。作业提交时间：以网站通知为准。1.表面和界面性质的最基本的问题或核心内容是（表面的原子结构）和（电子态）2.超疏水表面是指与水的接触角大于（150°）,超亲水表面是指与水的接触角小于（5°）。3.Si(111)-(7×7)表示（Si(111)晶面上的再构，再构的基矢与衬底(111)面基矢平行，前者长度为后者长度的7倍）Si(111)-(√3×√3)-30°-P表示（Si(111)面上铅原子的吸附结构，铅原子二维点降的格子为衬底格子长度的√3倍，转动了约30°）4.二维晶体表面结构由（网格的点降）和（基元）描述5.低能电子衍射技术的英语缩写是（LEED），可以用来分析固体（晶体结构）和（超晶格结构）6.X射线光电子能谱的英语缩写是（XPS），可以用来分析固体（表面结构）、（表面组成）和（电子态）7.非化学比化合物是固态物质的一种性质，产生原因一般有3种，分别是（一种原子一部分从有规则的结构位置中失去）、（存在超过结构所需的原子）和（被另一种原子取代）。8.一般干净的金属表面，其低密勒指数面的表面单胞多为（1×1）结构，表面单胞与体相单胞在表面上的投影（相等）（填相等或不相等）。其表面键长类似于体相键长，最上层在z方向（垂直表面的方面）上与第二层的间距（接近）于体相值，变动在5%以内。9.固体表面重排机理（表面弛豫作用）、（表面重构）、（表面相转变）和（表面化学组成变化）10.化学吸附气体的排列规则有（紧密堆积规则）、（转动对称性相同的规则）和（单胞矢量类似的原则）11.许多单晶体表面实际上不是原子级的平坦，TLK表面模型中的T表示（平台），L表示（台阶），K表示（扭折）。TKL就是三个单词的第一个字母组合12.清洁表面的本征表面态（酸或碱位置）、（离子表面态(也称为塔姆态)）和（共价固体的悬挂键表面态(即肖克莱态)）13.“清洁表面”一般是新电子态下对应的（没有任何杂质玷污的）表面。一般实现方法有（超高真空下解理）、（真空下加热样品使温度长升高到足以蒸发掉表面污染物）、（离子轰击加退火）和（场致蒸发）等14.固体表面的突出特点是表面的（不均匀性）性和（不完整性）性，还有（固体表面力）15.粗糙表面的结构往往决定着疏水性能的优劣，通常将粗糙表面分为三类，即（规则的粗糙表面），（无规则粗糙表面）和（分型结构表面）。16.一些低密勒指数的半导体表面发生（表面重组）的现象很普遍。不同类型的表面结构具有各自很明确的（稳定性温度）范围，（当温度高或低于）这个范围，表面就从某一表面结构转变为另一结构。17.纯净底物表面当有气体吸附时后，对底物表面结构将产生不同程度和不同类型的影响。现将这些影响大致归纳为三个方面：（1）（改变Z轴伸缩）（2）（本征的表面重组发生改变和破坏）（3）（诱导表面重组及发生化学反应）18.化学吸附与物理吸附异同比较项物理吸附化学吸附吸附热（近似液化热（1～40KJ·mol-1））（近似反应热（40～400KJ·mol-1））吸附力（范德华力弱）（化学键力强）吸附层（单分子层或多分子层）（仅单分子层）吸附选择性（无）（有）吸附速率（快）（慢）吸附活化能（不需）（需要、很高）吸附温度（低温）（较高温度）吸附层结构（基本同吸附质分子结构）（形成新的化合态）19.TA1钛基体生长二氧化钛纳米管阵列的影响因素有（钛片酸洗抛光处理及酸浓度对TiO2纳米管形貌影响），（氧化时间的影响），（电压的影响）和（煅烧温度对TiO2纳米管的影响）。20.煅烧温度对TA1钛合金表面生长的二氧化钛纳米管阵列晶相组成有很大的影响，实验表明未经煅烧的膜层为（透明的青黄色），当煅烧温度在300时膜层为锐，400ºC煅烧后膜层为（颜色逐渐加深），当煅烧温度升高到500ºC时，膜层为（灰白色）。21.TA1钛合金表面生长的二氧化钛纳米管阵列时，氧化时间为1min时，膜层表面呈现出（不规则的凹槽状形貌），膜层厚度在（100nm）左右，氧化时间增加到30min时，膜层表现出（纳米管结构），管长约为（450nm）左右，氧化时间增加到90min时，（纳米管的孔径）与30min相比变化不大，同时管长继续增加到（700nm）左右，继续增加氧化时间，纳米管的管长变化基本维持不变，表明TiO2纳米管的溶解速度与生长速度达到平衡。21.实验表明通过溶剂热法制备了TiO2纳米管阵列负载硫化铟锌系固溶体，研究表明TiO2纳米管阵列与ZnS-In2S3和ZnS-In2S3-Ag2S硫化物固溶体之间存在界面键合作用：TiO2纳米管阵列与ZnS-In2S3界面间是通过（Zn-O-Ti和In-O-T）键合生成Zn-O-Ti和In-O-Ti键，而ZnS-In2S3-Ag2S固溶体与TiO2纳米管界面之间通过（S-Ti-O）键合生成S-Ti-O键。22.三元硫化物固溶体与TiO2纳米管阵列通过固溶体阴离子键合，其吸收边红移大，比较Cu2+、Ni2+和Ag+三种离子与ZnS-In2S3制备三元固溶体，在固溶体与TiO2纳米管界面之间同样存在S-Ti-O键，但是相同摩尔量的不同离子与In2S3-ZnS形成的固溶体的吸收带边红移程度不同，其顺序为（Cu2+＞Ag+＞Ni2+）。23.气体化学吸附形成共吸附的表面结构时，一般要求两个被吸附的气体具有大致相等的（吸附强度）。24.超晶格是指（固溶体发生有序化转变后不同种原子在晶格中呈有秩序排列的晶体结构），一般分为（组分超晶体）（掺杂超晶体）（多维超晶体）和（应变超晶体）四类。25.目前半导体键合技术有（热键合技术）（静电键合技术）（低温真空键合技术）（薄膜直接键合技术）和（粘合键合技术）五大类。26.半导体键合界面空洞形成的主要原因有（表面平整度）（粒子玷污）和（表面挥发物质）