二极管-三极管-电容-电感-作用及组成的电路

二极管三极管电容电感作用及组成的电路二极管可分为发光二极管(LED),整流二极管,稳压二极管,开关二极管等等.这里只介绍前面说的几种.发光二极管相信大家都见过,一般作为指示灯用,例如电脑的硬盘灯一闪一闪的表示你的硬盘正在工作(如果不闪,则很可能是你的机器忙不过来或者是处在待机状态),还有就是一些随身听上的指示灯,以及充电器的指示灯.发光二极管相对其他二极管正向导通电压较大,一般在1.6V到1.8V间.二其他二极管一般在0.2-0.3V(锗管),0.6-0.8V(硅管)。整流二极管，也是很常见的，利用的是二极管的单向导通特性，从而可以将负极性电信号滤掉---半波整流，也可以进行其它的整流----例如全波整流。二极管还具有稳压作用，这是因为二极管反向接通时，在二极管被击穿的情况下，其电流将瞬间增大，这样在外电压增大时，由于二极管被击穿后增加的电流会通过二极管而不会经过与二极管并联的负载上，从而可以保护与其并联的器件。常见的有保护场效应管，即在场效应管栅极反向并接一个二极管。二极管击穿电压一般在4V-7V.钳位作用：钳位作用就是利用二极管的正向导通电压在导通后维持在0.2-0.4V(锗管)，0.6-0.8V(硅管)，从而使与其连接的器件两端电压维持在一个范围内，最简单就是三极管的BE结电压在导通时可保持在钳位电压，这点常用于三极管的静态分析。一般无特别说明硅管取0.7V，锗管取0.3V。要看具体的电路。二极管的作用是单相导通。电容有储能、滤波等作用，其特点是电压不能突变，另外，电容施加反向电压时，很容易损坏，甚至爆炸。二极管可能是在电路产生反电势或者其它原因出现电容负端电位高于正端电位时，保护电容。1、整流电路里,波形含有许多高频成分.在大电流续流。3、二极管1N5819与一个0.001uF的电容并联,二极管起整流作用，电容起高频功率整流电路里高频成分的能量相对来说比较大,而一般使用的整流管是低频率管,在高频下会很快发烫损坏,因此,这个电容是为保护二极管的.2、这是续流二极管。由于电容两端电压不可以突变，电流可以突变；而电感（即线圈）电流不可突变，电压可以突变。因此二极管在这里可以让旁路作用，如果按电容对於交流电路如短路这话不错，但交流整流器的频率是很低的，才50Hz，0.001uF的电容容量小，低频是过不去的，只有高频才能被通过。电容是滤掉高频信号的，二极管是整流的环形变压器的铁心是用优质冷轧硅钢片（片厚一般为0.35mm以下），无缝地卷制而成，这就使得它的铁心性能优于传统的叠片式铁心。环形变压器的线圈均匀地绕在铁心上，线圈产生的磁力线方向与铁心磁路几乎完全重合，与叠片式相比激磁能量和铁心损耗将减小25%，由此带来了下述一系列的优点。优点一1）电效率高铁心无气隙，叠装系数可高达95%以上，铁心磁导率可取1.5～1.8T（叠片式铁心只能取1.2～1.4T），电效率高达95%以上，空载电流只有叠片式的10%。优点二2）外形尺寸小，重量轻环形变压器比叠片式变压器重量可以减轻一半，只要保持铁心截面积相等，环形变压器容易改变铁心的长、宽、高比例，可以设计出符合要求的外形尺寸。优点三3）磁干扰较小环形变压器铁心没有气隙，绕组均匀地绕在环形的铁心上，这种结构导致了漏磁小，电磁辐射也小，无需另加屏蔽都可以用到高灵敏度的电子设备上，例如应用在低电平放大器和医疗设备上。优点四4）振动噪声较小铁心没有气隙能减少铁心变压器原理：U1：U2=n1：n2220：U2=5：12U2=528V二、电压比的计算方法：比如一个低频变压器它的输入是220V输出上12V30W的变压器。它的电压比是多少。。它的计算方法是：220V:12V=18.3:1220÷12=比值18.3三：效率的计算方法：比如一个是输入220V输出是12V30W的低频变压器，它的效率(η)是多少？是怎么算的。它的计算方法是：η=30/((30/12)*200)在电池两侧并联一个电容，主要是起减少电路电压的波动性保护电器的作用。由C=U/Q可知，当电池的电压下降，电容的电压也下降，电容放电；当电池的电压上升，电容的电压也上升，电容充电。这样可有保护电器。不管是什么电容，它都是由两块极板组成的，在电路中的主要作用是滤波和耦合，它的最大特点是阻直流通交流。耦合是指两个或两个以上的电路元件或电网络的输入与输出之间存在紧密配合与相互影响，并通过相互作用从一侧向另一侧传输能量的现象；概括的说耦合就是指两个或两个以上的实体相互依赖于对方的一个量度。三端稳压管就是用来稳压的嘛！具体有可调的，有固定的，输入电压最好比输出电压差别不要太大，否则，功率损耗太大，额定电流也不要超过，正品原装货性能一般都能达到技术参数所提供的数值，一般的货主要就是抗浪涌差！两只额定电压的电容串联，耐压增大一倍，电容量：1/C=1/C1+1/C2，相同容量而耐压比原来高是可以替换的。：电容器并联的等效电容量为各电容器容量之和,即C=C1+C2.电容器串联的等效电容量的倒数为各电容器容量之倒数和，即1/C=1/C1+1/C2.三极管9013NPN贴片低频放大50V0.5A0.625W三极管的基本作用是电流放大，实际上就是用很小的电流（基极电流）控制较大的电流（集电极电流），由最基本的电流放大功能又可以派生出电压放大、振荡等功能。三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率变换等作用，通常晶体三极管可以处理的功率至几百W，频率至几百MHz左右。均衡器（Equalizer），是一种可以分别调节各种频率成分电信号放大量的电子设备，通过对各种不同频率的电信号的调节来补偿扬声器和声场的缺陷，补偿和修饰各种声源及其它特殊作用，一般调音台上的均衡器仅能对高频、中频、低频三段频率电信号分别进行调节。在通信系统中，在系带系统中插入均衡器能够减小码间干扰的影响。衰减器英文名称：attenuator定义：为使输出端口提供的功率小于输入端口的入射功率而设计的双端口器件。1)控制功率电平：在微波超外差接收机中对本振输出功率进行控制，获得光敏衰减器最佳噪声系数和变频损耗，达到最佳接收效果。在微波接收机中，实现自动增益控制，改善动态范围。2)去耦元件：作为振荡器与负载之间的去耦合元件。3)相对标准：作为比较功率电平的相对标准。（1）扩流。把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其最大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图9（a）。图9（b）为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图9（c）可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。（2）代换。图9（d）中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管；图9（e）中的三极管可代用8V左右的稳压管。图9（f）中的三极管可代用30V左右的稳压管。上述应用时，三极管的基极均不使用。（3）模拟。用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅，用图9（g）电路可作模拟品，调节510电阻的阻值，即可调节三极管C、E两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图9（h）为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是：当加到A、B两端的输入电压上升时，因三极管的B、E结压降基本不变，故R2两端压降上升，经过R2的电流上升，三极管发射结正偏增强，其导通性也增强，C、E极间呈现的等效电阻减小，压降降低，从而使AB端的输入电压下降。调节R2即可调节此模拟稳压管的稳压值。三极管的发射极是输出的意思，就跟水库放水的闸门差不多，闸门只能放在水库的低水位，这样水才能往下流，如果三极管发射极加电阻再接地，相当于闸门往上移，这样水就流不尽，相当于三极管的放大倍数就降低了。这是反相器的典型接法，当基极有电流时，LED发光，同时三极管集电极输出低电平，这种情况下基本没有输出电流或只有很小的输出电流流到负载，电流的主要通路是流向发射极。当三极管基极输入低电压时，三极管截止，集电极输出高电平，这时候电流的主要通路就是从集电极经LED流向后级负载（但是如果后级负载的阻抗很高，也可能使LED处于不导通的状态，这时没有输出电流）。追问按这个图的话，只要上面给了12V的电，LED就会发光是吧。基极有电流，12V是正极，发射极是负极，所以LED一直会发光。回答第一种情况，Vcc=12V，并且三极管有足够的基极电流使三极管进入饱和状态，LED就会发光；第二种情况，如果后级负载直流阻抗很小，LED会一直导通发光，无论三极管的状态如何。开关三极管发射极接地三极管开关原理与场效应管开关原理(看过就全懂了）BJT的开关工作原理：形象记忆法：对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的截止区。如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量，这种情况就是三极管中的饱和区。但是你关小小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与Uce太大），导致不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的反向击穿。PN结的击穿又有热击穿和电击穿。当反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率，直至PN结过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿的过程是可逆的，当加在PN结两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两类，一般两种击穿同时存在。电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主。电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因。在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。比如用单片机外界三极管驱动数码管时，确实会对单片机管脚输出电流进行一定程度的放大，从而使电流足够大到可以驱动数码管。但此时三极管并不工作在其特性曲线的放大区，而是工作在开关状态（饱和区）。当单片机管脚没有输出时，三极管工作在截止区，输出电流约等于0。在制造三极管时，要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大，基区P型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0.7V，锗管要大0.3V）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成Ie；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里，形成Ic；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成Ib。理论记忆法：当BJT的发射结和集电结均为反向偏置（VBE＜0，VBC＜0），只有很小的反向漏电流IEBO和