产品开发教育训练

产品开发教育训练RD产品开发龚涛目录1.TouchPanel简介1.1.电容式TP特点1.8.电容TP产品基本结构（三）1.2.电容式TP工作原理1.9.电容TP产品1.3.电容式TP分类1.20.TP常用术语1.4.投射电容与表面电容对比1.21.无尘室级别的划分1.5.自电容与互电容结构1.22.生产线代数和玻璃尺寸1.5.1.自电容1.23.TP行业知名厂商（一）1.5.2.互电容1.24.TP行业知名厂商（二）1.6.电容TP产品基本结构（一）1.7.电容TP产品基本结构（二）1.TP技术起源触控面起源于1970年代美国军方用途开发,1980年代移转至民间后,日本开始发展触控面板2.TP的分类进行触控技术依感应原理可分为电阻式（Resistive）、电容式（Capacitive）、表面音波式（SurfaceAcousticWave）、光学式（Optics）和电磁式（Digizer）等几种.3.电容式TP的发展历程电容式触控技术于20多年前诞生，早期由美商3M（明尼苏达矿业制造）公司独占整个电容式触控面板的国际市场。在几年前由于基本专利到期，全球触控面板的生产业者纷纷加入开发电容式触控面板事业领域中，期待有所发挥。1.TouchPanel简介注：目前我司主要从事电容式触控面板的开发和制造。1.1.电容式TP特点电容式触控产品具防尘、防火、防刮、强固耐用及具有高分辨率等优点，但也有价格昂贵、容易因静电或湿度造成触控失误等缺点。1.2.电容式TP工作原理电容式触摸屏是利用人体的电流感应进行工作的。人是接地物(即导电体)，给工作面通一个很低的电压，当用户触摸荧幕时，手指头吸收走一个很小的电流，这个电流分别从触控面板四个角或四条边上的电极中流出，并且理论上流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成比例，控制器通过对这四个电流比例的精密计算，得出触摸点的位置。在触控屏角落加入小量电压在触控屏角落加入小量电压在触控屏角落加入小量电压在触控屏角落加入小量电压手指接触触控屏时从四个角落传到接触点的微量电流被带走产生压降控制器由接触点压降程度计算出X/Y坐标位置再传给计算机主机I1I2I3I4表面电容式由一个普通的ITO层和一个金属边框，当一根手指触摸屏幕时，从面板中放出电荷。感应在触摸屏的四角完成，不需要复杂的ITO图案投射电容式（感应电容式）采用1个或多个精心设计的、被蚀刻的ITO层，这些ITO层通过蚀刻形成多个水平和垂直电极投射电容式根据不同工作原理又分：自感应电容式（自电容）互感应电容式（互电容）1.3.电容式TP分类TypeItem投射式电容（ProjectiveCapacitance）表面式电容（SurfaceCapacitance）结构优点多点触控（Multi-Touch）Z轴感应分辨（ProximitySensing）S/N够大即可分辨触控位置布线较投射式电容简单缺点布线较表面式电容复杂电磁场,高频干扰造成游标飘移或误动作单点触控（SingleTouch）需常进行位置校准应用智能型手机数位相机笔记型计算机销售点管理系统（POS）售票机博奕游戏/娱乐机1.4.投射电容与表面电容对比1.5.自电容与互电容结构轴交错式自电容以ITOpattern来看又可分为：1.轴交错式、2.独立短阵式两类，当手指Touch时，手指与电极间会感应成一个耦合电容，经由量测电容值变化，计算触控点坐标。互电容的ITOlayer被制成驱动线路和感测线路pattern，在线路互相交叉处形成耦合电容节点，当手指Touch时，会造成耦合电容值改变，再经由控制器测得触控点坐标。独立矩阵式自电容的触摸感应检测方法需要每行和每列都进行检测行与列之间存在多个固有的寄生电容(CP)行与列距离越近,寄生电容CP越大自电容行或列感应检测1.5.1.自电容行行行行列列列列列列ITOPattern1.5.2.互电容当行列交叉通过时,行列之间会产生互电容驱动和感应单元之间形成边缘电容行列交叉重叠处会产生耦合电容感应单元的自感应电容依然存在,但不必进行测量互电容感应检测点行行行行列4-CMCMITOPattern1.6.电容TP产品基本结构（一）1.GG结构：即为CoverGlass（盖片玻璃）+SensorGlass(感应玻璃)构成TouchPanel。1.7.电容TP产品基本结构（二）1.8.电容TP产品基本结构（三）1.OGS结构：将CoverGlass与SensorGlass合二为一成为一体式电容TP，即为OneGlassSolution（单片玻璃解决方案）1.9.电容TP产品随着TP的发展各种各样的TP产品出现在我们的生活里，你喜欢哪一个？产品结构类其它类CoverGlass：盖板玻璃Sensor：传感器IC：集成芯片Substrate：基板PF：保护膜FPC：可挠性印刷线路板DesignFeasibilityReviewPhase：可行性评估阶段ProtoPhase：规划阶段EVT：工程验证阶段ACF：异方性导电胶OCA：光学透明胶LOCA/OCR：液态光学透明胶ASF：防爆膜Sponge：泡棉DVT：设计验证阶段PVT：试产验证阶段MP：量产阶段ProcessFlow：制程流程ITOPattern：ITO图形ITOJumper：ITO跳线/桥线PI：光阻绝缘层Icon：图标MetalTrace：金属线路Sputter：溅镀Washclean：清洗Coating：涂布Pre-bake：软烤MetalJumper：金属跳线/桥线Passivation：保护层SilverGlue：银浆VA：视区IRHole：红外孔AA：功能区Exposure：曝光Developer：显影Postbake：硬烤Etcher：蚀刻Etcher：蚀刻Stripping：剥膜StackUp：堆叠图TraceWidth：线路宽度TraceSpace：线路间距ITOBondingPad：ITO邦定区Oven：高温烘烤FMAE：失效模式与效应分析CP：制程能力指数CPK：量产规格限度基本类CS:表面应力DOL：强化深度CT：压缩应力、拉深应力AG：抗炫AR：抗反射AS：抗污AF：抗指纹ITO：氧化铟锡BM：黑色材料Metal：金属（Mo-Al-Mo）SiO2：二氧化硅IM：Nb2O5+SiO2PR：光阻POL：偏光片CF：彩色滤光片LCD/LCM：液晶显示器、模组Barcode：条形码Spec：规格Mask：光罩Mark：靶标VMI：目检ESD：静电释放GND：地线Shielding：防护、屏蔽HardCoatingFilm：硬化涂层TFT：薄膜电晶体Cell：液晶填充制程OD：光学密度1.20.TP常用术语1.21.无尘室级别的划分TP的制造对环境要求很高，必须在洁净度很高的无尘室环境下进行作业。（美国联邦标准NO.209B-1973）（个数/ft3）微粒子净化等级101001000100001000000.5μm以上10以下100以下1000以下10000以下100000以下5.0μm以上------10以下65以下700以下注：目前我司TP无尘室主要为千级，部分贴合区域可达百级1.22.生产线代数和玻璃尺寸第1代(1990)300X400第2代(1993)360X465370X470400X500第3代(1995)550X650550X670600X720620X750第4代(2000)680X880730X920第5代(2002.5)1000X12001100X12501100X1300第6代(2003.5)1500X18001500X1850第7代(2004.5)1870X2200注：目前我司TP生产线为3代线，玻璃基板尺寸：550x650mm1.23.TP行业知名厂商（一）1.24.TP行业知名厂商（二）2.TP各站制程简介2.1.黄光制程（前制程）2.11.Sputter机台（一）2.2.黄光制程流程2.11.Sputter机台（二）2.2.黄光制程流程（详解）2.12.WashClean（清洗）2.2.黄光制程流程（细化）2.13.清洗机台与清洗液2.3.Sputter（溅镀）2.14.Coating（涂布）2.4.Sputter主要控制参数2.15.Coating制程控制点2.5.ITOSputter应用2.16.Pre-bake（软烤）2.6.MetalSputter应用（一）2.17.软烤机台与目的2.6.MetalSputter应用（二）2.18.Exposure（曝光）2.7.SiO2Sputter应用2.19.曝光技术解析（一）2.8.Sputter相关问题2.20.曝光技术解析（二）2.9.Sputter制程管控参数2.21.曝光机台与光罩2.10.Sputter靶材与机台2.22.Developer（显影）目录2.23.显影机台与流程2.36.涂布异常图片2.24.Postbake（硬烤）2.37.显影异常图片2.25.硬烤机台与作用2.38.ITO蚀刻异常图片2.26.Etching（蚀刻）2.39.Metal蚀刻异常图片2.27.蚀刻机台与蚀刻液2.40.其它异常不良图片2.28.Stripe（剥膜）2.41.可剥胶印刷2.29.剥膜机台与剥膜液2.42.可剥胶印刷制程参数及异常2.30.Oven（高温烘烤）2.43.可剥胶印刷流程与作用2.31.高温烘烤机台2.44.可剥胶制程管控项目2.32.黄光制程产品（一）2.45.可剥胶机台2.33.黄光制程产品（二）2.46.后段制程2.34.黄光制程化学用品2.47.切割2.35.黄光制程常见不良2.48.切割成形与机台目录2.49.清洗2.50.FOG2.51.FOG邦定制程2.52.FOG邦定分解图2.53.ACF贴附主要参数及不良2.54.FPC热压主要参数及不良2.55.FOG相关材料及机台2.56.OCA贴合工艺流程2.57.OCA贴合制程（一）2.58.OCA贴合制程（二）2.59.Final（最终）目录2.1.黄光制程（前制程）黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻并最终获得永久性的图形的过程。为什么光刻区采用黄光照明？因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光，就象洗像的暗房采用暗红光照明，并且黄光对人体危害性最小。2.2.黄光制程流程以上为黄光基本制程，详细制程需根据产品结构来制定Oven（高温烘烤）Exposure（曝光）Pre-bake（软烤）Coating（涂布）WashClean（清洗）Sputter（溅镀）Stripe（剥膜）Etching（蚀刻）Postbake（硬烤）Developer（显影）2.2.黄光制程流程（详解）镀膜（Sputter）上光阻（Coater）光罩（Mask）显影（Developer）显影液曝光（Exposure）蚀刻（Etch）去光阻（Stripper）蚀刻液素玻璃剥膜液2.2.黄光制程流程（细化）镀膜、上光阻曝光、显影蚀刻剥膜2.3.Sputter（溅镀）溅镀原理：靶材接阴极，基板接正极或接地，导入氩气,利用低压气体（Ar）放电现象:电子在电场的作用下加速飞向基板的过程中与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar+和e-，形成等离子体(电浆)。Ar+在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)在基板上沉积成膜。玻璃基板靶材靶材原子被Ar+打出靶材表面而沉积到基板2.4.Sputter主要控制参数参数意义设定范围参数名称加热玻璃基板一般0~350℃ITO：300℃左右SiO2：110℃左右Metal：70℃左右温度Temperature1.产生ArPlasma，提供Ar离子撞击Target，溅射出的Target原子在基板表面沉积。2.提供反应气体,如O2数10~200Sccm气体流量ArFlowRate保证稳定的Plasma和膜质。0.1~？Pa保证稳定的膜厚和阻抗。0~？KW制程压