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AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源（电压、电流、负载）要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但是在高温工作寿命就需要，温度循环与温度冲击，其试验目的与手法不一样，在温度循环中高低温变化需控制温变率，温度冲击则不用，偏高湿度就是俗称的高温高湿试验，而湿度抵抗就是湿冷冻试验。试验条件注意事项：1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测一、高温储存（MIL-STD-202-108）：[适用设备：THS]1、薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h2、电感、变压器、电阻：125℃/1000h3、变阻器：150℃/1000h4、钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：最大额定温度/1000h二、高温工作寿命（MIL-STD-202-108）：[适用设备：THS]1、网络低通滤波器、网络电阻：85℃/1000hEMI2、干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定IL3、钽电容、陶瓷电容：最大额定温度/1000h/（2/3）负载/额定电压4、铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h5、薄膜电容：1000h/（85℃/125%额定电压、105℃&125℃/100%额定电压）6、自恢复保险丝：125℃/1000h7、电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压8、可变电阻：125℃/1000h/额定功率9、变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流10、陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容11、石英震荡器：125℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容三、温度循环（JEDEC22A-104）：[适用设备：TSR、ESS]1、薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：-55℃（30min）←→85℃（30min）/RAMP（15℃/min）/1000cycles2、钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻：-55℃（30min）←→125℃（30min）/RAMP（15℃/min）/1000cycles3、铝电解电容：-40℃（30min）←→105℃（30min）/RAMP（15℃/min）/1000cycles4、电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40℃（30min）←→125℃（30min）/RAMP（15℃/min）/1000cycles5、网络低通滤波器、网络电阻：-55℃（30min）←→125℃（30min）/RAMP（15℃/min）/1000cycles四、温度冲击（MIL-STD-202-107）：[适用设备：TC、TSK]1、自恢复保险丝：-40℃（15min）←→125℃（15min）/300cycles五、偏高湿度（MIL-STD-202-103）：[适用设备：THS]1、钽电容、陶瓷电容：85℃/85%R.H./1000h/电压1.3～1.5V2、电感&变压器：85℃/85%R.H./1000h/不通电3、铝电解电容：85℃/85%R.H./1000h/额定电压4、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压＆电流5、电阻、热敏电阻：85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%6、自恢复保险丝：85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%7、可变电容、可变电阻：85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%8、网络低通滤波器&网络电阻：85℃/85%R.H./1000h/电压[网络电容（额定电压）、网络电阻（10%额定功率）]9、变阻器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压85％+ma电流10、石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容11、薄膜电容：40℃/93%R.H./1000h/额定电压六、湿度抵抗（MIL-STD-202-106）：[适用设备：THS]1、薄膜电容：（25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle）/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电