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DS18B20内部结构：主要由4部分组成：64位ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码，每个DS18B20的64位序列号均不相同。64位ROM的排的循环冗余校验码（CRC=X^8＋X^5＋X^4＋1）。ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。开始DS18B20复位写入跳过ROM操作指(0XCC)写入转换温度指令(0X44)DS18B20复位写入跳过ROM操作指令(0XCC)写入读取ROM指令(0XEE)读取转换结果的低字节读取转换结果的高字节求得十进制值结束延迟750-900微秒DS18B20复位整合低字节和高字节的数据是否为正数求反补一否是DS18B20温度读取函数流程图单片机读取总线低电平DS18B20拉低信号应答释放总线单片机拉低总线480-950微秒复位成功定时60-240微秒释放总线是低电平？定时时间到？是是开始否否DS18B20复位流程图单片机拉低电平10-15微秒单片机拉高电平20-45微秒单片机持续拉低电平20-45微秒写逻辑0？释放总线是否写入了8个字节否是写字节函数流程图读逻辑0？单片机拉低电平1微秒单片机释放总线读取总线电平DS18B20拉低电平DS18B20拉高电平延长40-45微秒读入8个字节？是是否否读字节函数流程图