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和芯微电子Flash学习文档第1页共22页1Flash分类根据接口类型和操作时序的不同，主要讨论以下三种Flash。各种Flash支持的功能及工作特点简要如下列出：●NormalFlash►page(cache)read/program►randomdatainput/output►blockerase►Mult_planeoperation●Toggle►Togglemodeinterface►datatransferattherisingandfallingedgeofDQS►randomdatainput/output►blockerase►interleavedoperation●ONFI►ONFIinterface►sourcesynchronous/asynchronousdatainterface►timingmode0,1,2,3,4,5►page(cache)read/program►pausingdatatransfer►randomdatainput/output►blockerase►interleavedoperation和芯微电子Flash学习文档第2页共22页2Flashmemoryorganization块结构是Flash存储空间的基本组成单元，块也是擦除操作的最小单位，不能进行页擦除。块由许多Page组成，page是Flash编程和读操作的最小寻址单元。Flash读写都是基于page的操作。Page由多个字节或字组成。和芯微电子Flash学习文档第3页共22页3Flashfunctionalblockdiagram●Normal和芯微电子Flash学习文档第4页共22页●Toggle●ONFI和芯微电子Flash学习文档第5页共22页4Addressmap●Normal不同容量的HynixFlash的地址有效位数不一样，使用前阅具体产品资料地址说明。HY27UG084G2MAddressMap其中：Lmustsettobe“Low”●Toggle同HynixFlash一样，不同容量的Flash的地址有效位数不一样，使用前阅具体产品资料地址说明。K9PFGD8X5MAddressMapRowaddress：3cycle，columnaddress：2cycleColumnaddress:1~2cycleaddressRowaddress:3~5cycleaddress其中Pageaddress：A14~A20Planeaddress：A21Blockaddress：A22~A33*Lmustbesetto“Low”●ONFIRowaddress：3cyclesColumnaddress：2cyclesRowaddress分三部分：LUNaddress，blockaddress，pageaddressLUNaddressBlockaddressPageaddressIO0IO1IO2IO3IO4IO5IO6IO71stcycleA0A1A2A3A4A5A6A72ndcycleA8A9A10A11LLLL3rdcycleA12A13A14A15A16A17A18A194thcycleA20A21A22A23A24A25A26A275thcycleA28A29LLLLLLIO0IO1IO2IO3IO4IO5IO6IO71stcycleA0A1A2A3A4A5A6A72ndcycleA8A9A10A11A12A13LL3rdcycleA14A15A16A17A18A19A20A214thcycleA22A23A24A25A26A27A28A295thcycleA30A31A32A33A34LLL和芯微电子Flash学习文档第6页共22页5TimingDiagrams5.1commandlatch●Normal/Toggle/ONFIasynCLE=1ALE=0WE↑●ONFIsynCLE=1ALE=0W/R=1CLK↑DQSdon'tcare和芯微电子Flash学习文档第7页共22页5.2Addresslatch与地址锁存时序几乎相同，只是ALE，CLE的组合状态有区别。Commandlatch中CLE有效，ALE无效。Addresslatch中CLE无效，ALE有效。●Normal/Toggle/ONFI（asyn）CLE=0ALE=1WE↑●ONFI(syn)CLE=0ALE=1W/R=1CLK↑和芯微电子Flash学习文档第8页共22页5.3Datainput●Normal/ONFI(asyn)CLE，ALE=0WE↑●ToggleCLE，ALE=0WE，RE=1，DQS↑↓和芯微电子Flash学习文档第9页共22页●ONFI(syn)CLE=1ALE=1（CLK↑↓）DQS↑↓注：发送有些命令时发送或回复的数据需要repeatedbytes传输。接收端（hostordevice）只锁存其中一字节，数据格式为D0D0D1D1D2D2，命令有：Setfeature，ReadID，ReadstatusandReadstatusenhanced。Datainput（clkstopped）ALE，CLEDon'tcare和芯微电子Flash学习文档第10页共22页意义：停止时钟，降低功耗。当CLK置高时，数据写入dataregister，当R/B拉低时，数据存入Flasharray。5.4Dataoutput●Normal/ONFI(asyn)ALE=0CLE=0WE=1RE↑和芯微电子Flash学习文档第11页共22页●ToggleALE=0CLE=0WE=1RE↑↓DQS↑↓●ONFI(syn)CLE=1ALE=1W/R=0CLK↑↓DQS↑↓和芯微电子Flash学习文档第12页共22页6Deviceoperation●pagereadNormal/Toggle/ONFI(asyn,syn)00haddresscycles30h—1pagedatatothedataregisters(RB#=0)—70h—readstatus—00h—readdatatoI/Obus1234567891000haddr30hDoutTimeGencycletypeI/O(DQ)●pageprogramNormal/Toggle/ONFI(asyn,syn)80h—addresscycles—1pagedatatothedataregister—10h—R/B#=0—70h,Readstatus1234567891080haddrdin10hTimeGencycletypeI/O(DQ)和芯微电子Flash学习文档第13页共22页●Pagecacheprogram80h—5addresscycles—data—15h—80h—addresscycle—15h—..........80h—5addresscycle—10h（alldatasintoflashcell，R/B#=0）—70h,readstatusI/OsuccessfulorfailNormalONFI异步时序同上，同步接口时，数据采用DDR传输Toggle(Notoftenused)和芯微电子Flash学习文档第14页共22页●Pagecachereadcache操作分两步，startcacheread，endcacheread[ONFI:3FhNormal:34h)31h—dataregistertothecacheregister,nextsequentialpagedatafromarraytothedataregister（R/B#=0）—3Fh—thelastpageofdatafromthedataregistertothecacheregisterNormal/ONFI（asyn）♦StartSequential(31h)Random(00h--31h)和芯微电子Flash学习文档第15页共22页♦EndONFI（syn）略Toggle（notoftenused）和芯微电子Flash学习文档第16页共22页●randomdatainNormal/Toggle/ONFI●randomdataoutNormal/Toggle/ONFI和芯微电子Flash学习文档第17页共22页●blockerase(60h--D0h)Normal/Toggle/ONFI和芯微电子Flash学习文档第18页共22页Interleavedoperationinterleavedpageprogram●Toggle和芯微电子Flash学习文档第19页共22页●ONFIinterleavedpageread●Toggle将两plane数据下载至各自dataregister。再检测Chip1#，Chip#的状态，然后发命令由columnaddress开始从DataRegister读数据。Interleavedpageread只适用于用interleavedpageprogram编程的块。和芯微电子Flash学习文档第20页共22页和芯微电子Flash学习文档第21页共22页●ONFI在输出数据前应先执行changereadcolumnenhanced操作，确认先出数据的地址，否则输出的数据将是不确定的。（发送读命令）（读数据输出）和芯微电子Flash学习文档第22页共22页InterleavedblockeraseONFI一次性可擦除多块，命令格式为60h-rowaddress-D1h-60h-rowaddress-D1h-......60h-rowaddress-D0hNormalflash有的支持多块擦除功能，命令格式为：1.60h-rowaddress-60h-rowaddress--......60h-rowaddress-D0h