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SPLLL90_3HybrideImpuls-LaserdiodemitintegrierterTreiberstufe70WSpitzenleistungHybridPulsedLaserDiodewithIntegratedDriverStage70WPeakPowerLead(Pb)FreeProduct-RoHSCompliant2007-04-041BesondereMerkmale•KleineskostengünstigesPlastik-Gehäuse�IntegriertsindeinFETundKondensatorenzurImpulsansteuerung�InAlGaAs/GaAskompressivverspannteQuantenfilmstruktur�Hochleistungslasermit„Large-Optical-Cavity“(LOC)Struktur�NanostackLasertechnologiebeinhaltetmehrereepitaktischintegrierteEmitter�Laserapertur200µmx10µm�SchnellerBetrieb(30nsImpulsbreite)�NiedrigeVersorgungsspannung(20V)Anwendungen�Entfernungsmessung�Sicherheit,Überwachung�Beleuchtung,Zündung�Test-undMesssystemeSicherheitshinweiseJenachBetriebsartemittierendieseBauteilehochkonzentrierte,nichtsichtbareInfrarot-Strahlung,diegefährlichfürdasmenschlicheAugeseinkann.Produkte,diedieseBauteileenthalten,müssengemäßdenSicherheits-richtlinienderIEC-Norm60825-1behandeltwerden.TypTypeEmitteranzahlNumberofEmittersOpt.Spitzenaus-gangsleistungOpt.PeakPowerWellenlängeWavelengthBestellnummerOrderingCodeSPLLL90_3370W905nmQ65110A1009Features�Lowcost,smallsizeplasticpackage�IntegratedFETandcapacitorsforpulsecontrol�StrainedInAlGaAs/GaAsQW-structures�Highpowerlarge-optical-cavitylaserstructure�Nanostacklasertechnologyincludingmultipleepitaxiallystackedemitters�Laseraperture200µmx10µm�High-speedoperation(30nspulsewidth)�Lowsupplyvoltage(20V)Applications�Rangefinding�Security,surveillance�Illumination,ignition�TestingandmeasurementSafetyadvicesDependingonthemodeofoperation,thesedevicesemithighlyconcentratednonvisibleinfraredlightwhichcanbehazardoustothehumaneye.ProductswhichincorporatethesedeviceshavetofollowthesafetyprecautionsgiveninIEC60825-1“Safetyoflaserproducts”.2007-04-042SPLLL90_3Grenzwerte(kurzzeitigerBetrieb)(TA=25°C)MaximumRatings(shorttimeoperation)ParameterParameterSymbolSymbolWerteValuesEinheitUnitmin.max.SpitzenausgangsleistungPeakoutputpowerPopt–80WLadespannung(VG=15V)Chargevoltage(VG=15V)VC20VGate-SpannungGatevoltageVG–20+20VTastverhältnisDutycycled.c.–0.1%BetriebstemperaturOperatingtemperatureTop-40+85°CTemperaturdespn-Übergangs1)Junctiontemperature1)1)limitedduetoplasticpackage,notduetolaserchipTj–+105°CLagertemperaturStoragetemperatureTstg-40+100°CLöttemperatur(tmax=10s)Solderingtemperature(tmax=10s)Ts–+260°CSPLLL90_32007-04-043OptischeKennwerte(TA=25°C)OpticalCharacteristicsParameterParameterSymbolSymbolWerteValuesEinheitUnitmin.typ.max.ZentraleEmissionswellenlänge1)Emissionwavelength1)λ895905915nmSpektralbreite(Halbwertsbreite)1)Spectralwidth(FWHM)1)Δλ–7–nmSpitzenausgangsleistung1)Peakoutputpower1)Popt607080WLadespannunganderLaserschwelleChargeVoltageatlaserthresholdUC,th4.04.55.0VPulsbreite(Halbwertsbreite)1),2)Pulsewidth(FWHM)1),2)tp374043nsAnstiegs-undAbfallzeit(10%…90%)1),2)Riseandfalltime(10%…90%)1),2)tr,tf74010451350nsnsJitter(bzgl.TriggersignalundoptischemPuls)Jitter(regardingtriggersignalandopticalpulse)tj170500psAustrittsöffnungAperturesizew×h–200×10–μm2Strahldivergenz(Halbwertsbreite)parallelzumpn-Übergang1)Beamdivergence(FWHM)paralleltopnjunction1)θ||121518Graddeg.Strahldivergenz(Halbwertsbreite)senkrechtzumpn-Übergang1)Beamdivergence(FWHM)perpendiculartopn-junction1)θ⊥273033Graddeg.TemperaturkoeffizientderWellenlängeTemperaturecoefficientofwavelength∂λ/∂T–0.300.33nm/KThermischerWiderstandThermalresistanceRth–200–K/WEinschaltpunktderGate-SpannungSwitchongatevoltageVGon–5.0–V1)WertebeziehensichauffolgendeStandardbetriebsbedingung:50nsPulsbreite,1kHzPulswiederholrate,18.5VLadespannung,15VGate-Spannungund25°CUmgebungstemperatur.DerLaserwirdangesteuertmitdemMOSFET-TreiberElantecEL7104C.Valuesrefertothefollowingstandardoperatingconditions:50nspulsewidth,1kHzpulserepetitionrate,18.5Vchargevoltage,15Vgatevoltageand25°Cambienttemperature.ThelaserisdrivenbytheMOSFETdriverElantecEL7104C.2)DieSchaltgeschwindigkeitistabhängigvonStromundGeschwindigkeit,mitderdieGate-Kapazität(typ.300pF)desinternenTransistorsgeladenwird.KürzerePulsbreiten,Anstiegs-undAbfallzeitenerhältmanbeiTrigger-Pulsbreiten50ns.DiesbewirktjedochaucheinereduzierteoptischeSpitzenleistung.Switchingspeedatgatedependsoncurrentandspeed,chargingthegatecapacitance(typ.300pF)oftheinternaltransistor.Reducedpulsewidths,riseandfalltimesoccurattriggerpulsewidths50ns.Thisalsoreducestheopticalpeakpower.SPLLL90_32007-04-044OpticaloutputpowerPoptvschargevoltageVc(tp=30ns)Far-fielddistributionparalleltojunctionIrelvs.angleθ||(Popt=70W,tp=30ns)Opticalspectrum,relativeintensityIrelvs.wavelength(Popt=70W,tp=30ns)λFar-fielddistributionperpendiculartojunctionIrelvs.angleθ⊥(Popt=70W,tp=30ns)00VPoptOHL01909C510152025102030405060708090VW1kHz25kHz-400OHL01906relIθ-30-20-1001020Deg400.250.500.751.008600OHL01910relIλ880900920nm940255075100-400OHL01907relIθ-30-20-1001020Deg400.250.500.751.00SPLLL90_32007-04-045OpticaloutputpowerPoptvschargevoltageVc(tp=30ns,PRF=1kHz)atdifferentambienttemperatureTambPeakoutputpoweratmaximumchargevoltageVc,maxvs.ambienttemperatureTambatvariousreprates(tp=30ns)MaximumallowedchargevoltageVc,max