TTL与非门的基本结构及工作原理

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TTL与非门的基本结构及工作原理1.TTL与非门的基本结构以DTL与非门电路为基础,根据提高电路功能的需要,从以下几个方面加以改进,从而引出TTL与非门的电路结构。+VV123123D12313CC(+5V)R130ΩABCTTTRT4kΩRb11243c2c4Re2oVVc2e2输入级中间级输出级1.6kΩ1kΩ图2.2.1TTL与非门电路图2.2.2TTL与非门输入级的由来(a)二极管与门(b)多发射极三极管拉电流与灌电流:输出为高电平时,向负载输出的电流称为拉电流;输出端L为低电平时,负载电流流入输出端L并经T4流向地端,称为灌电流。BAC+V+V13RPCC(+5V((+5V(CCABCTPPPNNNNb1R12.TTL与非门的逻辑关系因为该电路的输出高低电平分别为3.6V和0.3V,所以在下面的分析中假设输入高低电平也分别为3.6V和0.3V。(1)输入全为高电平3.6V时。T2、T3导通,VB1=0.7×3=2.1(V),从而使T1的发射结因反偏而截止。此时T1的发射结反偏,而集电结正偏,称为倒置放大工作状态。由于T3饱和导通,输出电压为:VO=VCES3≈0.3V。这时VE2=VB3=0.7V,而VCE2=0.3V,故有VC2=VE2+VCE2=1V。1V的电压作用于T4的基极,若要T4和二极管D导通,T4的基极要1.4V,现在1V1.4V,所以使T4和二极管D都截止。可见实现了与非门的逻辑功能之一:输入全为高电平时,输出为低电平。+VV3.6V13123123D123(+5V)CCRACBTTTRT1KRb11243c2c4e2Ro2.1V1.4V0.7V1V0.3V倒置状态饱和饱和截止截止4kΩ1.6kΩ130Ω图2.2.3输入全为高电平时的工作情况(2)输入有低电平0.3V时。+VV0.3V3.6V13123123D123Ro130Ω1c2c43BACCT2RCRRT4b1TT4kΩe21V5V3.6V饱和截止截止导通导通4.3V1.6kΩ1kΩ图2.2.4输入有低电平时的工作情况T1发射结导通,T1的基极电位被钳位到VB1=1V。T2、T3都截止。由于T2截止,流过RC2的电流仅为T4的基极电流,这个电流较小,在RC2上产生的压降也较小,可以忽略,所以VB4≈VCC=5V,使T4和D导通,则有:VO≈VCC-VBE4-VD=5-0.7-0.7=3.6(V)可见实现了与非门的逻辑功能的另一方面:输入有低电平时,输出为高电平。综合上述两种情况,该电路满足与非的逻辑功能,是一个与非门。

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