化学制粉_B掺杂C3N4的光催化性能及其前驱体的制备

C3N4半导体材料的光催化性能以及介孔B-dopedC3N4前驱体的制备一、C3N4半导体材料的光催化性能试剂：C3N4光催化材料；蒸馏水仪器：磁力搅拌器；LED光源系统操作：秤取50mgC3N4粉末，置于100mL烧杯，加搅拌子，超声分散5min，放在磁力搅拌器上开启搅拌，加入0.5mLRhB溶液，打开光源，每20min观察溶液颜色变化，直至溶液变为无色。二、介孔B-dopedC3N4前驱体的制备试剂：硼酸；三聚氰胺；蒸馏水仪器：恒温水浴搅拌器；烧杯；量筒；锥形瓶，玻璃棒；磁力搅拌子；药匙步骤：1.称取1.92g三聚氰胺放入锥形瓶中，加入100mL蒸馏水，放入一枚磁力搅拌子，在恒温水浴搅拌器中加热搅拌直至完全溶解；2.称取1.86g硼酸缓慢加入到锥形瓶中，继续加热搅拌直至完全溶解；3.将锥形瓶中的溶液转移到烧杯中并静置，在冷却过程中析出针状晶体即为所得的介孔B-dopedC3N4纤维状前驱体。（观察晶体析出的速度、形状、尺寸。）4.用布氏漏斗抽滤，滤饼放入烘箱80℃干燥。（a）SEMmorphologyoftheprecursor（b）TEMmorphologyoftheprecursor100nm（a）SEMmorphologyoftheC3N4（b）TEMmorphologyoftheC3N4