1第五章习题21.晶格常数为a的一维晶体中,电子的波函数为(1)(2),f是某一函数,求电子在以上状态中的波矢。3()coskxixa()()klxfxla3由《固体物理教程》(5.14)式[求解]()()nikRknkrRer()()ikakkxaex33()cos[()]cos()3cos()kxaixaixaaixa1ikae35,,,kaaa可知,在一维周期势场中运动的电子波函数满足由此得于是(1)35,,,kaaa因此得4若只取布里渊区内的值:kaaka()()[(1)]kllxafxalafxla'1ll()(')()()ikakkklxafxlaxex1ikae2460,,,,kaaa则有(2)令得由上式知所以有由此得在布里渊区内的值为k=0。52221[()],()20,(1)mWbxnanabxnabVxnabxnab2.一维周期势场为其中a=4b,W为常数,试画出此势能曲线,并求出势能的平均值。6图:一维周期势场2221[()],()20,(1)mWbxnanabxnabVxnabxnab[求解]72211()()4ababVVxdxVxdxab22211[]42bbmWbxdxb223221[]8316bbmWbxxbmWb由图所示,由于势能有周期性。因此只有一个周期内求平均即可,于是得2221[()],()20,(1)mWbxnanabxnabVxnabxnab83.用近自由电子模型求解上题,确定晶体的第一及第二个禁带宽度。92221()ainxanaVVxedxa22112122()aixagaEVVxedxa2222112()42ixbbbmWbxedxb2222231182()cos()422bbmWbmWbxxdxbb根据教科书(5.35)式知禁带宽度的表达式为Eg=2|Vn|,其中Vn是周期势场V(x)付里叶级数的系数,该系数可由《固体物理教程》(5.22)式[求解]求得第一个禁带宽度为1042222122()aixagaEVVxedxa222112()42ixbbbmWbxedxb222112()cos()42bbmWbxxdxbb222mWb第二禁带宽度为115.对简立方结构晶体,其晶格常数为a。(1)用紧束缚方法求出对应非简并s态电子能带;(2)分别画出第一布里渊区[110]方向的能带、电子的平均速度、有效质量以及沿[110]方向有恒定电场时的加速度曲线。12()nikRatssSSnEkECJe(,0,0)a(0,,0)a(0,0,)a()(coscoscos)atssSSxyzEkECJkakaka[求解]非简并s态电子的能带式中Rn是晶格参考格点的最近邻格矢。对于简单立方晶体,任一格点有6个最近邻,取参考格点的坐标为(0,0,0),6个最近邻坐标为简单立方晶体非简并s态电子的能带则为1320,2zyxkkkk02()4(cos)2sSkaEkEJ(2)在[110]方向上能带变成其中02atsSSEECJ在[110]方向上,在第一布里渊区内,电子的能带如图所示14电子的平均速度2212sin()2SJaEkavk平均速度曲线15有效质量曲线电子的有效质量2222222cos()2SmEkaJak16在[110]方向上有恒定电场情况下,电子受的力Fe2222cos()2SkaeJaFam电子的加速度设电场方向与[110]方向相反,加速度曲线则如图177.用紧束缚方法处理体心立方晶体,求出(1)s态电子的能带为()8coscoscos;222yatxzssSskakakaEkECJ(2)画出第一布里渊区[111]方向的能带曲线;(3)求出带底和带顶电子的有效质量.18(1)用紧束缚方法处理晶格的s态电子,当只计及最近邻格点的相互作用时,其能带的表示式为(),natikRssSsnEkECJenR[解答]是最近邻格矢.对体心立方晶格,取参考格点的坐标为(0,0,0)则8个最近邻格点的坐标为,,222aaa19将上述8组坐标代入能带的表示式,得22222222222()[]2[coscos22nxyzxyzxyzxyzxyzxyzxyzxyzxyxyatikRssssnaaaaaikkkikkkikkkikkkikkkatsssaaaikkkikkkikkkaaikkikkatzzsssaiEkECJeECJeeeeeeeekakaECJeee222coscos]224coscos228coscoscos222xyxyxxakkikkzzaaikikyatzsssyatxzssskakaekakaECJeekakakaECJ20(2)在[111]方向上3,3xyzkkkkxyzkkka3038cos6skaEEJ其中0atsSEEC且第一布里渊区边界在于是能带化成第一布里渊区[111]方向的能带曲线21(3)由能带的表示式及余弦函数的性质可知,当kx=ky=kz=0时,Es取最小值,即kx=ky=kz=0是能带底,电子有效质量为2222202ixxssxkmEJak同理可得2222,.22yyzzssmmJaJa其他交叉项的倒数全为零.22而在布里渊区边界上的222,0,0,0,,0,0,0,aaa处是能带顶,电子的有效质量为其他交叉项的倒数也全为零.222xxyyzzsmmmJa2313.平面正三角形结构,相邻原子间距为a,试求(1)正格矢和倒格矢;(2)画出第一和第二布里渊区,求第一布里渊区内切圆半径.24(1)正格原胞的基矢如图所示取为123,.22aaaiaiaj12,,aak23.2a[解答]i和j是相互垂直的单位矢量.取单位矢量k垂直与i和j构成的体积则倒格原胞的基矢为21122223243akbijaakabja25(2)选定一例格点为原点,原点的最近邻倒格矢有6个,它们是:b1,b2,(b1+b2)22.23bka这6个倒格矢中垂线围成区间构成了两部分:以原点为对称心正六边形是第一布里渊区.正六边形外的6个三角形部分是第二布里渊区。第一布里渊区内切圆半径2619.证明迪·阿哈斯-范阿耳芬效应的周期为12,eBS其中S是kz=0平面在费密球上所截出的面积.27由热力学可知,当磁感应强度B增加dB时,磁场H所作的功,cdUVHdB,cUVHB01.BH[解答]即系统内能的微分其中Vc是晶体体积.由电磁学可知,磁感应强度、磁场和磁化率的关系是28由(1),(2)两式可得01cVBUB123222021().82lcccnVmNEEn其中0是真空中的磁导率.由上式可以看出,磁化率随磁场的倒数作振荡,应是系统内能微商U/B随1/B作振荡的反映.当不存在磁场时,能态在波矢空间分布是均匀的.当由磁场存在时,能态重新分布,磁场的作用使电子的量子态高度简并,此时电子的状态密度为29令322221,.82cccnVmanb323212000032022()3322.FFEllEFnnnnnlnFnnnaEdEUENEdEaEbabEbabEbab3212321200321222223333{2[32[]}2lnnFnnnnnlnnnFnFnnnFnnnnbbUaaEbabbabBBBBBbbBabEbaEbabBBEbbababBB则电子系统的能量对上式求微分30可见,每当时,U/B将成为极大值,磁化率将变成极小值.设B=Bi时,对应磁化率的一个极小值,相邻的一个极小值对应B=Bi+111,22nceBbnnm因为所以式中有一项12nbenBm012212nlnnnFnFabneabbBEbeBmEnm12FeBnEm111,2iFeBnEm12FeBnEm31上式的(1/B)是一个固定的常量,这说明,每当两个1/B的间距(周期)等于这一常量时,磁化率曲线就多一个极小.也就是说,磁化率以磁场倒数(1/B)作振荡.因为kz=0的平面在费密球上截得的圆面积费密能所以有其中我们假设Bi+1大于Bi,由以上两式可得1111,iiFeBBBmE2FSk222FFkEm12.eBSFemE3220.从E=E0到E=EF能带都为22220,2yxzxyzkkkEEmmm03()2cFFVnNEEE其中mx,my,mz都是大于零常数.求电子能态密度其中n为单位体积内的电子数.33由已知条件可将波矢空间内电子能带满足的方程化为2220002221.222yxzxyzkkkmEEmEEmEE2222221xyzabc3203422.3xyzmmmEE[解答]将上式与椭球公式比较可知.在波矢空间内电子等能面是一椭面,与椭球的体积4abc/3比较可得到,能量为E的等能面围成的椭球体积34能量区间E-E+dE内电子的状态数目由上式可得120342.xyzdmmmEEdE12032322,2ccxyzVVdzdmmmEEdE12023()2cxyzVdzNEmmmEEdE0320232()2,3FEccxyzFEVVnNEdEmmmEEVc是晶体体积,电子的能态密度设电子浓度为n,则E0-EF区间电子总数为Vcn且35将上式与能态密度12023()2.cFxyzFVNEmmmEE03()2cFFVnNEEE比较,得