Date:3/02/2006Createdby:CowinWeiPCBLayoutGuide2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation2目录Spreadtrumsolution的特点PCBSTACKPlacementLayout2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation3SpreadtrumsolutionRFPartMTDOMTDIMTCKMTMSMTRST_NU0TXDU0RXDU0DTRNU0RTSNU0DSRNU0CTSNU1TXDU1RXDSDASCLKEYOUT[5:0]KEYIN[4:0]MCLKIAFCOUTMICPMICNEARPEARNAUXMICPAUXMICNAUXSPPAUXSPNTX/RXIPTX/RXINTX/RXQPTX/RXQNRFCTL[15:0]RFSDARFSCKRFSENPAGSMADCI[4:0]DACLDO1LDO2VBATARM7TDMIEMA[24:0]EMD[15:0]EMBL_NEMBH_NEMOE_NEMWE_NEMCS_N[7:0]Ext.MemInterfaceCLK32ICLK32OSystemControlRST_NXTLENPBINTSIMInterfaceUART0UART1SIKeypadRTCPWMAPWMBPWMA/DD/AJTAGClock&PLLRFControlPAControlBasebandCodecVoiceBandCodecPower/ChargerManagementX/YRAMProgRAMProgROMRAMROMXROMInterruptControlEncryptionEnagineChannelCodecViterbiEqualizerInterruptControlSharedRAMTest/DebugInterfaceAVDDVDDCOREVDDPLLExt.MemInterfaceSystemTimingSSRSTSSCLKSSDRSSDXDAISIMCLKSIMDASIMPESIMRSTVDDIOTeakLiteX-PortandY-PortP-PortZ-PortVdrvU2TXDU2RXDUART2DMAGEATimerSSMD0SSMD1ChargeLi-ionbattery32kcrystal123456789*0#Download&TuningSIMcardMCPBackupBattery2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation4Spreadtrumsolution的特点最大的特点:集成度高,集成了ABB,DBB和PMU给Layout带来:“217Hz”noise问题;电源,数字和模拟部分的相互干扰问题;更复杂的EMI/EMC问题;2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation5PCBSTACK一个典型的8层板结构(H=1mm)FileNameDescriptionMaterialThicknessErsm001.phoTopSolderMaskResistInk15PlatingCu22art001.phoLayer10.075/CuRCCCopper12Dielectric0.075/CuRCCResin653.3±0.2@1GHzPlatingCu20art002.phoLayer21/2OZCu17DielectricFR-41304.1±0.3@1GHzart003.phoLayer31/2OZCu17DielectricCOREFR-41004.2±0.2@1GHzart004.phoLayer41/2OZCu17DielectricFR-41854.3±0.3@1GHzart005.phoLayer51/2OZCu17DielectricCOREFR-41004.2±0.2@1GHzart006.phoLayer61/2OZCu17DielectricFR-41304.1±0.3@1GHzart007.phoLayer71/2OZCu17PlatingCu20Dielectric0.075/CuRCCResin653.3±0.2@1GHzart008.phoLayer80.075/CuRCCCopper12PlatingCu22sm008.phoBottomSolderMaskResistInk15Total1015Note:1OZ=1.4mil=35μm2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation6PCBSTACK:规则走线WIDTH/SPACE为4mil/4milCopper与Trace、Via、Pad、BoardLine等的距离应大于8mil以上同一NET上的两个VIA的距离为0,不允许出现外环重叠的情况,最坏情况为边缘相切。过孔的类型有1-2、2-7、7-8、1-8四种,其中1-2、7-8的标准为12/4mil,2-7的为19/8mil,1-8的VIA根据需要确定,一般为20/10mil,根据板厂的能力设置。2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation7PCBSTACK:ImpedanceControlReferenceGroundTypeWidthCharacteristicImpedanceToleranceLayer1Layer4Microstrip21mil50Ω+/-5ΩLayer5Layer4&Layer6Stripline4mil50Ω+/-5ΩL1:Component;L2/L3/:trace;L4:GND;L5:RF/Audiotrace;L6:power;L7:keypadtrace;L8:Keypad;布线规划RF阻抗控制2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation8PLACEMENT一个典型Placement:RF同BB相对隔开;Digital同analogy隔开Audio同RF/Digital隔开PA电流通路电源布局相同性质/电路相关部分相对集中tranceiverPAFlashBBaudioBatterCAnalogyBBAntennaPlacement原则:器件集中/隔离原则保持不同部分信号的回路的通畅和相对独立2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation9Placement:规则1RF部分:布局保证RF走线尽量短,而且不要有交叉;大功率线(PA输出和从开关到天线的连线)优先级更高;2总线考虑flash(MCP)同BB,以及其他总线设备的相对位置尽量按推荐的,保证BB到flash(MCP)的走线最顺畅;3电源(LDO)考虑电源和LDO输出线上的电容尽量靠近相应的管腿;4EMI/ESDFPC的EMI尽量靠近connector;ESD器件要就近摆放5BB周围器件(特别是模拟部分)要严格按照参考设计2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation10元器件与元器件外框边缘的距离大于10mil,一般最少为12mil,元器件距板边的距离至少12mil以上,结构定位器件除外芯片电源的滤波电容必须放在芯片PIN旁边,比如AVDDVBO、AVDDVB、AVDDBB、AVDDAUX、AVDD36、VBAT、VDRAM、VDDIO、VMEM、DVDD3V、VDD、VLCD等等。RF部分的器件摆放请参考提供的参考设计。尤其注意滤波器、开关、隔离器等器件的位置。将收发电路功能块电路分开,并采用屏蔽盖屏蔽。晶振必须放在离芯片最近的地方,但不要放在靠近板边的地方,包括13M、32.768K。基带处理芯片及外部MEMORY尽量靠近,并采用屏蔽盖屏蔽。屏蔽盖的焊接线的宽度视屏蔽盖厚度而定,但至少25mil,元器件距离屏蔽盖的焊接线距离至少12mil,同时要考虑器件的高度是否超出屏蔽盖。升压电路,音频电路、FPC远离天线充电电路远离RF、Audio以及其它敏感电路。AUDIO部分滤波电路的输入输出级应该相互隔离,不能有耦合Placement:更多的详细规则2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation11Layout:原则Layout基本原则:同样性质的线尽量压缩;不同性质的线之间尽量用GND+VIA隔开;保证信号回路的相对独立;保证地的完整性,每个GNDPIN需要可靠连接到主GND平面(L4);敏感线的包GND和隔离处理;EMI/ESD考虑;2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation12Layout:RFPart可靠的接地,PA电流可靠的回流路径;充足的GNDVIA,特别是PA和switchplexer下面;注意阻抗控制线,铺GND时用12milclearance;避免PA的输入和输出之间,开关的输入和输出之间的耦合;Transceiver下面在表层不要有线;为减小寄生电容,挖GND处理:天线的PAD下面全部挖空,表层RF线和PAD下面,以L4为参考GND;Vramp/AFC/IQ线/clk线避免被其他信号干扰或干扰别人;2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation13Layout:BB处理模拟部分外围走线要紧凑,避免交叉和干扰(特别注意VRBG,AVDDAUX,AVDDBB,AVDDVB,AVDDVBO);保证模拟部分有一个相对干净的GND(L3);不同模拟GND要单点接地处理;避免数字部分的线对模拟的干扰;2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation14Layout:总线处理JEPGICFlashBB尽量压缩;从BB先到Flash(SRAM).再到其他总线设备;2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation15Layout:VBAT处理星型走线:不同的分支到PA,到BBchip,到AudioPA等;根据流经的电流大小来控制不同分支的宽度和打孔数量;VBAT线需要避开其他线,特别是audio线;BB内部的LDO分别给RF,digital,analogy供电;相应的VBAT也要用不同分支来供电;2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation16Layout:audio处理Audio的线(特别是MIC的线)一定要同其他的线充分隔离,保证上下层都是比较完整的GND,整个用GND包起来;滤波前后的线不能相互之间有耦合;audioPA的输出功率较大,注意线宽;2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation17Layout:ESD考虑让元器件离板边保持一定的距离;敏感线(reset,PBINT)走板内层和不要太靠近板边;可能的话,PCB四周保留一圈露铜的地线,四周足够多的GND孔;ESD器件接地良好,直接(通过VIA)连接到地平面;受保护的信号线保证先通过到ESD器件,路径尽量短;侧健ESD保护电路2011年2月21日ProprietaryandConfidentialInformation18Layout:EMI考虑尽量把高速信号线(13M时钟线等),电源线等易产生辐射和干扰的线走在板中间层,用地平面隔开和保护;对于音频、RST、RF-RAMP信号等敏感信号,容易被干扰而影响性能尽量用地隔开和保护;解耦电容必须尽量靠近相应的器件,走线先到电容,来保证解耦的有效性;RF、digital、audio电路之间注