第三章静态电磁场及其边值问题的解3.1真空中静电场的基本方程3.1.1场的基本方程由亥姆霍兹定理,矢量场的散度和旋度决定其性质,因此,静电场的基本方程即为电场的散度、旋度计算式。一、真空中静电场的散度高斯定理1、真空中静电场的散度可以证明,真空中静电场的散度为)(处电荷密度为)(处无电荷rrrrE0/0静电场高斯定理微分形式说明:1)电场散度仅与电荷分布有关,其大小)(r;2)对于真空中点电荷,有()0(0)Err0/(0)Erqr或()2、高斯定理高斯定理的积分形式0000)()(1)(/)()(QsdrEQdvrsdrEdvrdvrEsvsvv讨论:1)物理意义:静电场E穿过闭合面S的通量只与闭合面内所包围电荷量有关(场与所有电荷有关);2)静电荷是静电场的散度源,激发起扩散或汇集状的静电场;3)无电荷处,源的散度为零,但电场不一定为零。二、真空中静电场的旋度环路定理BARRlrlRRqRdRqRldeqldEBA1144ˆ402020当A点和B点重合时,0cldE静电场环路定理的积分形式由斯托克斯公式,0E环路定理的微分形式讨论:1)物理意义:在静电场中将单位电荷沿任一闭合路径移动一周,静电场力做功为零静电场为保守场;2)静电场旋度处处为零,静电场中不存在旋涡场,电力线不构成闭合回路。三、真空中静电场性质小结1、微分形式积分形式lsldrEQsdrEErE0)(/)(0/)(002、静电场性质:有源无旋场,是保守场3、静电场的源:电荷讨论:对于静电场,恒有0E,而0)()(rE为标量辅助函数静电场可以由一标量函数的梯度表示。补充内容:利用高斯定理求解静电场00)(1)(QdvvsdrEvs1、求解关键:高斯面的选择2、高斯面的选择原则:1)场点位于高斯面上2)高斯面为闭合面3)在整个或分段高斯面上,E或sdE为恒定值。3、适用范围:呈对程分布的电荷系统。3.1.2电位函数一、电位函数与电位差1、电位函数0)(0EE可用一标量函数表示E讨论:1)电位函数为电场函数的辅助函数,是一标量函数2)“-”号表示电场指向电位减小最快的方向3)在直角坐标系中,zyxezeyexEˆˆˆ2、电位差(电压)电位差反映了电场空间中不同位置处电场的变化量。电位差的计算:ˆˆˆlllBBABABAAeelEedEdllEdlEdl为增加最快的方向电场空间中两点间电位差为:ABABldE说明:1)意义:A、B两点间的电位差等于将单位点电荷从B点移动到A点过程中电场力所做的功;2)两点间的电位差有确定值,只与首尾两点位置有关,与路径无关。3、电位参考点电位函数不唯一,导致电场分布具有不确定性设)(cEc为使空间各点电位具有确定值,必须选定空间某一点作为参考点,且令参考点的电位为零。由于空间各点与参考点的电位差为确定值,所以该点的电位也就具有确定值。选择电位参考点的原则:1)应使电位表达式有意义;2)应使电位表达式最简单;3)同一个问题只能有一个参考点;4)电位参考点的电位值一般为零。二、电位函数的求解1、点电荷的电位Qpqp)11(4ˆ4)(020QpQprppQpQpQPrrqrdreqldEldE选取Q点为电位参考点,则0QQpprrq1140若参考点Q在无穷远处,即Qr,则rqr04)(点电荷在空间产生的电位说明:若电荷分布在有限区域,一般选择无穷远点为电位参考点。2、无限长线电荷的电位EpQp)ln(ln2ˆ200pQlQprlrrerE电位参考点不能位于无穷远点,否则表达式无意义,根据表达式最简原则,选取1r柱面为电位参考点,即1Qr,得plprln20无限长线电流在空间产生的电位3、分布电荷在空间产生的电位体电荷:vcdvRrr)(41)(0面电荷:sscdsRrr)(41)(0线电荷:llcdlRrr)(41)(0说明:若参考点在无穷远处,则0c。综上所述,电位是一标量电位是一相对量,与参考点的选取有关电位差是绝对的引入电位函数的意义:简化电场的求解——间接求解法在某些情况下,直接求解电场强度很困难,但求解电位函数则相对简单,因此可以通过先求解电位函数,再由关系E得到电场解。三、电位的微分方程1、方程的建立有源区00EE即20电位的泊松方程无源区020电位的拉普拉斯方程(不同坐标系下方程的表示略)电位的边界条件10l120Edl212nnsDDDE而有1212snn若0s有2121120nn3.1.3电容一、电容1、孤立导体的电容定义:孤立导体所带电量与其电位之比,即UQC电容C只与导体几何性质和周围介质有关,与q和无关;例:空气中半径为a的孤立导体球aQCaQ00442、两个带等量异号电荷导体的电容(双导体电容)21QCC只与导体几何性质、导体间距和导体周围介质有关;例:平行板电容器电容(导体球、圆柱等)dsdsEdsQCsss00213.1.4电场能量一、空间总电场能量1、分布电荷总能量空间电荷分布)(r,在空间中产生的电位为)(r,空间总电场能量为:vedvrrW)()(21说明:1)此公式只适用于静电场能量求解;2)21不表示能量密度;3))(r为空间中自由电荷分布;4)积分范围为整个空间,但可退化到电荷分布区域。2、带电导体系统总能量若电量为q的电荷分布在导体上,导体电位为)(r,空间总静电场能量为qWe21i导体所带电量N个导体,iiieqW21i导体电位二、电场能量密度vsvvvedvEDsdDdvDDdvrDdvrrW21][21][21)(21)()(21第一项:22111,[]DdsrDdsrrr,[]0srDds1()()2eevvWDrErdVwdV21122ewDEE电场能量密度例3.1.6P102三、静电力(虚位移法)虚功原理如下:设空间一定位形结构的带电体系,静电能为。假想该电荷体系的空间位形结构在静电力作用下发生小的虚位移,静电力作的虚功为:(力为广义力)该虚功等于电荷体系能量的减少若系统与外界电源相连,外界电源供给的能量为sdW,则该系统的能量关系为siiedWFdgdW3.2恒定电场分析(恒定电流空间中存在的电场)一、恒定电场基本方程基本量JE、基本方程:有源无旋场00cldEE恒定电场空间中电荷分布不变0t由电流连续性方程,vsvsdJdvJdvtJ000)(0J)()(rErJ,有00)(EE均匀导电媒质,=常数由000)(02EEEE二、欧姆定律体积元:电导率,电场E由欧姆定律ˆˆ/UEdlIJdsJsElRdldsˆˆ()slδδAFlδlδleWeWeeeeW/JEEJ单位矢量讨论:1)在理想导体)(内,恒定电场为0;2)恒定电场可以存在于非理想导体内;3)在导电媒质内,恒定电场E和J的方向同。三、焦耳定律在导电媒质中,电场力使电荷运动,所以电场力要做功,设电荷量V,运动速度为v,则电场力在时间t所做的功为wtvEVldFw功率VEJtwdP电场力做功,将电场能量转化为电荷运动机械能,最终以热量形式损耗掉。导电媒质中单位体积功率损耗为2EEJVPp——焦耳定律的微分形式体积为V的导电媒质内的损耗功率为vdvJEP——焦耳定律的积分形式四、恒定电场边界条件J的边界条件nnsJJnJJsdJ21210ˆ)(0E的边界条件ttlEEnEnEldE2121ˆˆ0电位边界条件0211122nn讨论:21212211tgtgtgtg若2,则01在理想导体表面上,E和J都垂直于边界面。静电场和性质的比较:相同点:不同点:1、场性质相同,均为保守场;1、源不同;2、场不随时间改变;2、存在区域不同,静电场只能3、均不能存在于理想导体内部。存在于导体外,恒定电场可以存在于非理想导体内。静电场恒定电场静电比拟EDldEsdDls00EJldEsdJls00GCEEJD3.3恒定磁场分析3.3.1真空中恒定磁场基本方程1、磁场基本方程csHdlJdsHJ00SBdsB恒定磁场性质:1)无源场,磁感应线无头无尾且不相交;2)有旋场,电流是磁场的旋涡源,磁感应线构成闭合回路。注意:1)空间中任意一点的磁场的旋度只与当地的电流密度有关;2)定理中,电流为回路所围电流的代数和,H为回路C内外的电流共同产生。2、边界条件12121212ˆ()0ˆ()nnnnsttseBBBBeHHJHHJ若0sJ,则120ttHH3.3.2矢量磁位一、矢量磁位的引入0()()0BBArA(Tm)二、库仑规范要求:B与()Ar间满足一一对应关系1、矢量位的任意性设()()()ArArr()r为任意标量场()()()ArArr而()0r有()()ArArB而()()()ArArr2()()()0ArArr上式表明()Ar和()Ar为性质不同的两种矢量场,这意味着满足()BAr的()Ar有无限多个。2、库仑规范条件由上所述,必须引入新的条件对()Ar进行限定。由亥姆霍兹定理可知,矢量场的性质由起旋度和散度决定,()Ar的旋度已知,必须对其散度进行限定。令()0Ar库仑规范条件注意:规范条件是人为引入的限定条件三、矢量磁位的求解1、矢量磁位满足的方程