第六章均匀平面波对分界面的垂直入射一、对理想导体的垂直入射设左半空间是理想介质,01,右半空间是理想导体,2,设入射波电场为:zjimxieEeEˆ反射波电场为:zjrmxreEeEˆ则入射波磁场为:jkzimyzjimxzieEeeEeeHˆ1ˆˆ1反射波磁场为:jkzrmyzjrmxzreEeeEeeHˆ1ˆ)ˆ(1由理想导体的边界条件:相位差为ixrxrxixzrxixtEEEEEEE0)(0)(00得反射波电场为:zjimxreEeEˆ反射波磁场为:jkzimyreEeHˆ1理想媒质中的合成场为(复数形式))sin(2ˆ)(ˆkzEejeeEeEEEimxjkzzjimxri合)cos(2ˆ)(ˆkzEeeeEeHHHimyjkzzjimyri合实数表示:)sin()sin(2ˆ])sin(2ˆRe[tkzEeekzEejEimxtjimx合)cos()cos(2ˆ])cos(2ˆRe[tkzEeekzEeHimytjimy合讨论:1、合成波的性质电场强度振幅)sin(2kzEEim合磁场强度振幅)cos(2kzEHim合按正弦规律变化任意时刻t,在nkz或2nz处(n=0,1,2),(波节)电场为0,磁场为最大值imE2;在2)12(nkz或4)12(nz处(n=0,1,2),(波腹)电场为最大值,磁场为0。(1)合成波在空间没有移动,只是在原来的位置振动,这种波为驻波;(2)电场和磁场最大值位置错开4。2、导体表面的场和电流0sinsin2ˆ00zimxztkzEeE合tEetkzEeHimyzimyzcos2ˆcoscos2ˆ00合感应面电流:tEetEeeHnJimximyzzScos2ˆcos2ˆˆˆ0合3、平均能流密度0]cossin)(4ˆRe[21]*Re[212kzkzEjeHESimzav合合结论:当平面波垂直入射到理想导体表面时,在介质空间的合成波(驻波)不传播能量,只存在能量转化。二、对两种理想介质分界面的垂直入射xiEtEiH入tH透rE0yz反rH0102电磁波在介质分界面上将发生反射和透射,透射波在介质2中将继续沿+z方向传播。21、分别为两种媒质的本征阻抗1、设入射波场zjimyizjimxieEeHeEeE111ˆˆ1111k反射波场zjimyrzjrmxreEeHeEeE111ˆˆ透射波场zjtmytzjtmxteEeHeEeE222ˆˆ2222k则媒质1中总的电场、磁场为)(ˆ11zjrmzjimxrieEeEeEEE合)(1ˆ111zjrmzjimyrieEeEeHHH合由边界条件(理想介质分界面0,0ssJ):0021)(ztxzrxixttEEEEE0021)(ztyzryiyttHHHHHimtmimrmtmrmimtmrmimEEEEEEEEEE12212122121)(1定义:反射系数:1212imrmEE透射系数:1222iitmEEzjimxtzjimxreEeEeEeE21ˆˆ则媒质1中的合成波为:]sin2)1[(ˆ)(ˆ1111zjeEeeeEeEEEzjimxzjzjimxri合)2cos(21)1()(122111zEeEeeEEimzjimzjzjim合讨论:1、合成波的传播特点:1)表达式中第一项包含行波因子jkze,表示振幅为imE)1(、沿+z方向传播的行波。表达式中后一项表示振幅为imE2的驻波,合成波为行驻波(混合波),相当于一个行波叠加在一个驻波上;2)12,0222111nnznz)1(maximEE合4)12()12(211nznz)1(minimEE合12,04)12(1nz)1(maximEE合21nz)1(minimEE合电场的中心值不再是零,出现波节,但波节点场值也不为零。见图2、反射系数和透射系数的关系为1221212211当媒质2为理想导体时,0,可知1,即当电磁场垂直入射到理想导体表面上时,发生全反射。3、当分界面两边为导电媒质时,媒质本征阻抗为复数,即21、均为复数,故12212122imtmimrmEEEE也为复数结论:在导电媒质两边,入射波和反射波、入射波和透射波不同相。4、驻波系数(描述波的起伏程度)11minmax合合EES11SS5、平均能流密度媒质1)1(2ˆ]*Re[21212111imzavEeHES合合媒质222222ˆ]*Re[21imzttavEeHES可以证明,avavSS21例6.1.2