三极管的参数

三极管的参数半导体三极管的参数分为三大类:直流参数交流参数极限参数1.直流参数①直流电流放大系数=IC/IE=IB/1+IB=/1+a.共基极直流电流放大系数：半导体三极管的参数b.共射极直流电流放大系数：=（IC－ICEO）/IB≈IC/IBvCE=constβ在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC/IB，如下左图所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见下右图。三极管的直流参数CB代表集电极和基极②极间反向电流a.集电极基极间反向饱和电流ICBOO是Open的字头，代表第三个电极E开路它相当于集电结的反向饱和电流。三极管的直流参数b.集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO和ICBO之间的关系：ICEO=（1+）ICBO相当于基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0时曲线所对应的Y坐标的数值,如图所示。三极管的直流参数三极管的交流参数2.交流参数a.共发射极交流电流放大系数=IC/IBvCE=const在放大区值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上通过垂直于X轴的直线求取IC/IB。或在图上通过求某一点的斜率得到。具体方法如图所示。①交流电流放大系数三极管的交流参数b.共基极交流电流放大系数α=IC/IEVCB=const当ICBO和ICEO很小时，≈、≈，可以不加区分。三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。②特征频率fT三极管的极限参数(3)极限参数①集电极最大允许电流ICMIc/mAIB/uAIcmVCE=7V=IC/IB如图所示，当集电极电流增加时，就要下降，当值下降到线性放大区值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。三极管的极限参数②集电极最大允许功率损耗PCM集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM=ICVCB≈ICVCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。三极管的极限参数③反向击穿电压:反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图所示。BR代表击穿之意，是Breakdown的字头。几个击穿电压在大小上有如下关系：V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO三极管的极限参数a.V(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压。下标CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。b.V(BR)EBO集电极开路时发射结的击穿电压。c.V(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。