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ULN2003双极型线性集成电路1达林顿晶体管阵列ULN2003是一个单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路。它是由7对NPN达林顿管组成的，它的高电压输出特性和阴极箝位二极管可以转换感应负载。单个达林顿对的集电极电流是500mA。达林顿管并联可以承受更大的电流。此电路主要应用于继电器驱动器，字锤驱动器，灯驱动器，显示驱动器（LED气体放电），线路驱动器和逻辑缓冲器。ULN2003的每对达林顿管都有一个2.7kΩ串联电阻，可以直接和TTL或5VCMOS装置。主要特点*500mA额定集电极电流（单个输出）*高电压输出：50V*输入和各种逻辑类型兼容*继电器驱动器SOP-16DIP-16逻辑框图示意图(每对达林顿管)123456781615141312111091B2B3B4B5B6B7BE1C2C3C4C5C6C7CCOMINPUTBOUPUTCCOME7.2kΩ3kΩ2.7kΩULN2003双极型线性集成电路2极限参数(Tamb=25°C)参数符号参数范围单位集电极和发射极之间的电压VCE50V输入电压VI30A集电极电流峰值Io500mA总的发射端电流IOK500mA功率消耗Pd950Tamb=25°C495Tamb85°CmWmW工作温度Topr-20~+85°C贮存温度Tstg-65~+150°C注：除非特别指定，所有的电压都相对于发射极/基极端E。电气特性参数(除非特别指定，Tamb=25°C)参数测试图符号测试条件最小值典型值最大值单位VCE=2V，Ic=200mA2.4VCE=2V，Ic=250mA2.7输入电压6VI(ON)VCE=2V，Ic=300mA3VII=250µA，Ic=100mA0.91.1II=350µA，Ic=200mA11.3集电极-发射极饱和电压5VCE(SAT)II=500µA，Ic=350mA1.21.6V1VCE=50V，II=050集电极切断电流2ICEXVCE=50V，II=0，Tamb=70°C100µA前进箝位电压8VFIF=350mA1.72V关闭状态输入电流3II(OFF)VCE=50V，IC=500mA,Tamb=70°C5065µA输入电流4IIVI=3.85V0.951.35mAVR=50V50反向箝位电流7IRVR=50V，Tamb=70°C100µA输入电容--CIVI=0，f=1MHz1525pF传播迟延时间，低电平到高电平输出9tPLH0.251µs传播迟延时间，高电平到低电平输出9tPHL0.251µs转换后高电平输出电压10VOHVs=50V，Io=300mAVs-20mVULN2003双极型线性集成电路3测试电路图ICEXVCEOpenOpenICEXVCEOpenVI图1ICEX测试电路图图2ICEX测试电路图ICVCEOpenII(off)OpenII(on)OpenVI图3II(off)测试电路图图4II(on)测试电路图VCEOpenICIIIcHFE=IIVCEOpenICIIIcHFE=VI(on)注：II是固定的测量VCE(sat)，也可测量HFE.图5HFE,VCE(sat)测试电路图图6VI(on)测试电路图VROpenIRIFOpenVF图7IR测试电路图图8VF测试电路图ULN2003双极型线性集成电路4tPHLtPLH50%50%50%50%INPUTOUTPUT图9.传播延迟时间波形PulseGenerator(NoteA)Vs2mH200Ω1N3064CL=15pFInputOutput(NoteB)1.5V1.5V90%10%90%10%10nsInputOutputVIH=3V0VVOHVOL注：A.脉冲发生器有以下特性：PRR=12.5kHz,Zo=50ΩB.CL包括探针和模具电容图10.锁存测试电路图和电压波形ULN2003双极型线性集成电路5典型特性曲线图ULN2003双极型线性集成电路6典型应用电路图12345678161514131211109VVccTTLOutputLamptestTTLtoLoad12345678161514131211109VVccTTLOutputRp通过上拉电阻增加驱动电流