材料科学基础(上)

材料科学基础（上）期末考试1单选(2分)影响间隙固溶体的固溶度最主要的因素有得分/总分A.电负性B.原子半径差C.组元晶体结构D.电子浓度正确答案：B2单选(2分)面心立方、体心立方和密排六方的晶胞原子数分别为得分/总分A.2、4、4B.4、4、6C.4、2、6D.4、2、4正确答案：C3单选(2分)混合位错的柏氏矢量得分/总分A.与位错线正方向无关B.与位错线平行C.与位错线垂直D.与位错线不平行，也不垂直正确答案：D4单选(2分)面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为得分/总分A.8、8、6B.12、6、8C.12、12、12D.12、8、12正确答案：D5单选(2分)部分位错是得分/总分A.柏氏矢量大于点阵矢量B.柏氏矢量等于点阵矢量整数倍C.柏氏矢量等于点阵矢量D.柏氏矢量小于点阵矢量正确答案：D6单选(2分)堆垛层错得分/总分A.无畸变能B.是面缺陷C.对晶体没有影响D.引起较大的畸变正确答案：B7单选(2分)非立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面得分/总分A.有可能相互平行B.夹角不确定C.有可能相互垂直D.45°相交正确答案：C8单选(2分)面心立方、体心立方和密排六方的致密度分别为得分/总分A.74％、68％、74％B.68％、68%、68%C.74％、74%、74%D.68％、74%、68%正确答案：A9单选(2分)面心立方、体心立方、密排六方的八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA得分/总分A.都不相同B.面心立方与体心立方相同C.密排六方与体心立方相同D.面心立方与密排六方相同正确答案：D10单选(2分)刃位错的柏氏矢量得分/总分A.与位错线平行B.与位错线垂直C.与位错线正方向无关D.与位错线不平行，也不垂直正确答案：B11单选(2分)螺位错的柏氏矢量得分/总分A.与位错线正方向无关B.与位错线不平行，也不垂直C.与位错线平行D.与位错线垂直正确答案：C12单选(2分)异号、平行位错之间相互得分/总分A.吸引B.排斥C.交割D.缠绕正确答案：A13单选(2分)六方晶系包括________点阵得分/总分A.体心六方B.密排六方C.简单六方D.底心六方正确答案：C14单选(2分)点阵常数为a的面心立方晶体中，（100）晶面间距为得分/总分A.B.aC.D.正确答案：D15单选(2分)体心立方密排面的堆垛方向和次序为得分/总分A.110,ABB.110,ABCC.{111},ABD.[001],ABC正确答案：A16多选(2分)科肯道尔效应得分/总分A.揭示了宏观扩散规律与微观扩散机制间的内在联系B.会对扩散偶产生不利影响，应尽量避免C.扩散偶界面两侧原子迁移速度不相等D.扩散系统中每一种组元都有各自的扩散系数正确答案：A、C、D17多选(2分)刃位错的滑移是得分/总分A.能在任意经过位错线的原子面上运动B.原子面上的整体平移C.正、负刃位错运动方向相反D.依次逐排的运动正确答案：C、D18多选(2分)混合位错滑移得分/总分A.需要外力平行于位错线或具有平行的分量B.需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分C.滑移量＝柏氏矢量的模D.位错线沿法线方向运动正确答案：B、C、D19多选(2分)作用在混合位错线上的力得分/总分A.垂直位错线B.与柏氏矢量大小有关C.总是与外力方向相同D.就是外加切应力正确答案：A、B20多选(2分)螺位错滑移得分/总分A.需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量B.滑移面不唯一C.滑移量＝柏氏矢量的模D.需要外力平行于位错线或具有平行的分量正确答案：A、B、C、D21多选(2分)影响化合物类型的因素有得分/总分A.电子浓度B.原子半径差C.电负性D.组元晶体结构正确答案：A、B、C、D22多选(2分)螺位错的滑移是得分/总分A.依次逐排的运动B.原子面上的整体平移C.能在任意经过位错线的原子面上运动D.左螺、右螺位错运动方向相反正确答案：A、C、D23多选(2分)晶态的陶瓷材料的特点包括得分/总分A.以离子键为主B.典型的非金属性质C.原子比例比较严格，可以用分子式表示D.以共价键为正确答案：A、B、C24多选(2分)硅酸盐结构包括得分/总分A.岛状硅酸盐B.层状硅酸盐C.链状硅酸盐D.网状硅酸盐正确答案：A、B、C、D25多选(2分)反应扩散得分/总分A.形成新相层，并有明确界面B.不可能出现两相共存区C.扩散引起反应的扩散过程D.反应扩散速度受原子扩散速度和反应速度共同影响正确答案：A、B、C、D26多选(2分)作用在刃位错线上的力得分/总分A.垂直位错线B.就是外加切应力C.总是与外力方向相同D.与柏氏矢量大小有关正确答案：A、D27多选(2分)影响置换固溶体的固溶度的因素有得分/总分A.电子浓度B.电负性C.组元晶体结构D.原子半径差正确答案：A、B、C、D28多选(2分)非稳态扩散指的是得分/总分A.浓度梯度随时间变化B.与时间t有关C.与距扩散距离远近有关D.各处浓度梯度随位置变化正确答案：A、B29多选(2分)扩散的路径包括得分/总分A.外表面扩散B.位错扩散C.界面扩散D.体扩散正确答案：A、B、C、D30多选(2分)点缺陷种类包括得分/总分A.杂质原子B.间隙原子C.空位D.溶质原子正确答案：A、B、C、D31判断(2分)D差别很大的晶体结构可以属于同一点阵32判断(2分)C若没有宏观扩散流，则说明没有发生扩散33判断(2分)C空位可以被完全消除。34判断(2分)D小角晶界中位错密度越大，位向差越大35判断(2分)D影响间隙固溶体固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外组元晶体结构、电负性和原子价也有影响36判断(2分)C只有螺位错才能发生攀移37判断(2分)C扩散通量是指扩散物质的流量38判断(2分)D位错塞积必然阻碍位错运动39判断(2分)DF-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错40判断(2分)C扩展位错越宽，畸变能越低41判断(2分)D按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界42判断(2分)C固溶体中同类原子之间结合力小，往往形成是有序固溶体43判断(2分)D位错塞积是位错与面缺陷间的弹性交互作用44判断(2分)C完整晶体中是不含空位的45判断(2分)C只有刃位错才能发生交滑移46判断(2分)D位错线张力类似与液体表明张力47判断(2分)D位错线张力的作用是降低体系能量48判断(2分)D位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级49判断(2分)C只有密排面才能产生层错50判断(2分)D相界两侧是异质的（不同的固体相之间的分界面）第一章原子结构及键合测验1单选(2分)离子键通过（）成键得分/总分A.价电子转移B.自由电子与阳离子C.静电偶极吸引力D.共用电子对正确答案：A2单选(2分)金属键通过（）成键得分/总分A.静电偶极吸引力B.价电子转移C.自由电子与阳离子D.共用电子对正确答案：C3多选(2分)分子键为主的晶体：得分/总分A.固态导电B.熔点低C.塑性差D.硬度低正确答案：B、D4判断(2分)D氢键有方向性5判断(2分)C金属键有方向性第二章晶体的结构（一）：测验1多选(2分)立方晶系包括：得分/总分A.体心立方B.简单立方C.底心立方D.面心立方正确答案：A、B、D2多选(2分)正交晶系包括：得分/总分A.体心正交B.面心正交C.底心正交D.简单正交正确答案：A、B、C、D3判断(2分)D相似的晶体结构可属于不同点阵。4判断(2分)D空间点阵可以划分为七大晶系，包括14种点阵类型。5判断(2分)C晶胞就是点阵中最小的单元体。第二章晶体的结构（二）：测验1单选(2分)在简单立方晶胞中画出晶面得分/总分A.B.C.D.正确答案：C2单选(2分)在简单立方晶胞中画出晶面得分/总分A.B.C.D.正确答案：A3单选(2分)点阵常数为a的简单立方晶体中，（100）晶面间距为得分/总分A.B.aC.D.正确答案：B4单选(2分)非立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面得分/总分A.有可能相互垂直B.45°相交C.有可能相互平行D.夹角不确定正确答案：A5多选(2分)晶面指数表示得分/总分A.不同晶面的指数肯定不同B.晶体中一个晶面C.晶体中所有平行的晶面D.晶面的指数是唯一的正确答案：B、C第二章晶体的结构（三）：测验1单选(2分)体心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为得分/总分A.0.29、0.15B.0.414、0.29C.0.414、0.15D.0.15、0.29正确答案：D2单选(2分)面心立方、体心立方、密排六方的八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA得分/总分A.密排六方与体心立方相同B.都不相同C.面心立方与密排六方相同D.面心立方与体心立方相同正确答案：C3单选(2分)面心立方、体心立方和密排六方的晶胞原子数分别为得分/总分A.2、4、4B.4、2、6C.4、4、6D.4、2、4正确答案：B4单选(2分)面心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为得分/总分A.0.414、0.225B.0.414、0.29C.0.414、0.15D.0.29、0.15正确答案：A5单选(2分)面心立方密排面的堆垛方向和次序为得分/总分A.110,ABCB.[001],ABC.{111},ABD.111,ABC正确答案：D第三章晶体缺陷（一）：测验1多选(2分)点缺陷是得分/总分A.一个方向上尺寸很小B.二个方向上尺寸很小C.零维缺陷D.三个方向上尺寸都很小正确答案：C、D2多选(2分)点缺陷种类包括得分/总分A.弗兰克缺陷B.反位原子C.空位片D.肖脱基缺陷正确答案：A、B、D3判断(2分)C完整晶体中是不含空位的。4判断(2分)C常温下，空位可以被完全消除。5判断(2分)D点缺陷是热力学平衡缺陷。第三章晶体缺陷（二）：测验1单选(2分)螺位错的柏氏矢量得分/总分A.与位错线垂直B.与位错先正方向无关C.与位错线平行D.与位错线不平行，也不垂直正确答案：C2多选(2分)位错的基本类型包括得分/总分A.混合位错B.刃位错C.位错环D.螺位错正确答案：A、B、D3判断(2分)C随着位错线的弯曲，柏氏矢量是可变的。4判断(2分)D位错的密度可以分为体密度和面密度。5判断(2分)D一根位错先不能终止与晶体内部。第三章晶体缺陷（三）：测验1多选(2分)混合位错滑移得分/总分A.滑移量＝柏氏矢量的模B.位错线沿法线方向运动C.需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D.需要外力平行于位错线或具有平行的分量正确答案：A、B、C2多选(2分)螺位错的滑移是得分/总分A.左螺、右螺位错运动方向相反B.原子面上的整体平移C.依次逐排的运动D.在任意经过位错线的原子面上运动正确答案：A、C3判断(2分)D半原子面缩短是正攀移4判断(2分)C只有螺位错才能发生攀移5判断(2分)D攀移和交滑移都是躲避障碍物的运动方式V第三章晶体缺陷（四）：测验1多选(2分)研究位错应力场的基本假设包括得分/总分A.各向同性B.完全弹性体，服从胡可定律C.可研究位错线核心区至外围全范围D.连续介质，可以用连续函数表达正确答案：A、B、D2多选(2分)混合位错的应力场得分/总分A.远离位错线时，应力场逐渐减弱B.既有正应力，也有切应力C.轴向对称，与θ角无关D.可分解为刃型位错分量和螺型位错分量正确答案：A、B、D3判断(2分)D位错线附近区域畸变严重，因而不符合连续介质模型的相关假设4判断(2分)C位错的应变能越高，位错稳定性越好5判断(2分)C柏氏矢量的模越小，位错的应变能越高第三章晶体缺陷（五）：测验1多选(2分)位错线张力得分/总分A.使位错自发收缩B.与位错柏氏矢量大小有关C.方向垂直与位错线D.是一虚拟力正确答案：A、B2多选(2分)作用在螺位错线上的力得分/总分A.就是外加切应力B.垂直位错线C.与柏氏矢量大小有关D.总是与外力方向相同正确答案：B、C3判断(2分)D位错线张力类似与液体表明张力4判断(2分)D作用在位错线上的力与柏氏矢量大小有关5判断(2分)D作用在位错线上的力与外力大小有关第三章晶体缺陷（六）：测验