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菜鸟轻松选择MOSFET选型的法宝一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的。还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这些指标是“最大”或是“典型”值,因为有些数据表并没有说清楚。电压等级确定MOSFET的首要特性是其漏源电压VDS,或“漏源击穿电压”,这是在栅极短路到源极,漏极电流在250μA情况下,MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。VDS也被称为“25℃下的绝对最高电压”,但是一定要记住,这个绝对电压与温度有关,而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。你还要明白,最高VDS是直流电压加上可能在电路里存在的任何电压尖峰和纹波。例如,如果你在电压30V并带有100mV、5ns尖峰的电源里使用30V器件,电压就会超过器件的绝对最高限值,器件可能会进入雪崩模式。在这种情况下,MOSFET的可靠性没法得到保证。在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。例如,一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些MOSFET变得象650VMOSFET。很多MOSFET用户的设计规则要求10%~20%的降额因子。在一些设计里,考虑到实际的击穿电压比25℃下的额定数值要高5%~10%,会在实际设计中增加相应的有用设计裕量,对设计是很有利的。对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。这个电压是在给定的最大RDS(on)条件下,能够确保MOSFET完全导通的电压。这就是为什么导通电阻总是与VGS水平关联在一起的原因,而且也是只有在这个电压下才能保证器件导通。一个重要的设计结果是,你不能用比用于达到RDS(on)额定值的最低VGS还要低的电压,来使MOSFET完全导通。例如,用3.3V微控制器驱动MOSFET完全导通,你需要用在VGS=2.5V或更低条件下能够导通的MOSFET。导通电阻,栅极电荷,以及“优值系数”MOSFET的导通电阻总是在一个或多个栅源电压条件下确定的。最大RDS(on)限值可以比典型数值高20%~50%。RDS(on)最大限值通常指的25℃结温下的数值,而在更高的温度下,RDS(on)可以增加30%~150%,如图1所示。由于RDS(on)随温度而变,而且不能保证最小的电阻值,根据RDS(on)来检测电流不是很准确的方法。图1RDS(on)在最高工作温度的30%~150%这个范围内随温度增加而增加导通电阻对N沟道和P沟道MOSFET都是十分重要的。在开关电源中,Qg是用在开关电源里的N沟道MOSFET的关键选择标准,因为Qg会影响开关损耗。这些损耗有两个方面影响:一个是影响MOSFET导通和关闭的转换时间;另一个是每次开关过程中对栅极电容充电所需的能量。要牢记的一点是,Qg取决于栅源电压,即使用更低的Vgs可以减少开关损耗。作为一种快速比较准备用在开关应用里MOSFET的方式,设计者经常使用一个单数公式,公式包括表示传导损耗RDS(on)及表示开关损耗的Qg:RDS(on)xQg。这个“优值系数”(FOM)总结了器件的性能,可以用典型值或最大值来比较MOSFET。要保证在器件中进行准确的比较,你需要确定用于RDS(on)和Qg的是相同的VGS,在公示里典型值和最大值没有碰巧混在一起。较低的FOM能让你在开关应用里获得更好的性能,但是不能保证这一点。只有在实际的电路里才能获得最好的比较结果,在某些情况下可能需要针对每个MOSFET对电路进行微调。额定电流和功率耗散基于不同的测试条件,大多数MOSFET在数据表里都有一个或多个的连续漏极电流。你要仔细看看数据表,搞清楚这个额定值是在指定的外壳温度下(比如TC=25℃),或是环境温度(比如TA=25℃)。这些数值当中哪些是最相关将取决于器件的特性和应用(见图2)。图2全部绝对最大电流和功率数值都是真实的数据对于用在手持设备里的小型表面贴装器件,关联度最高的电流等级可能是在70℃环境温度下的电流,对于有散热片和强制风冷的大型设备,在TA=25℃下的电流等级可能更接近实际情况。对于某些器件来说,管芯在其最高结温下能够处理的电流要高于封装所限定的电流水平,在一些数据表,这种“管芯限定”的电流等级是对“封装限定”电流等级的额外补充信息,可以让你了解管芯的鲁棒性。对于连续的功率耗散也要考虑类似的情况,功耗耗散不仅取决于温度,而且取决于导通时间。设想一个器件在TA=70℃情况下,以PD=4W连续工作10秒钟。构成“连续”时间周期的因素会根据MOSFET封装而变化,所以你要使用数据表里的标准化热瞬态阻抗图,看经过10秒、100秒或10分钟后的功率耗散是什么样的。如图3所示,这个专用器件经过10秒脉冲后的热阻系数大约是0.33,这意味着经过大约10分钟后,一旦封装达到热饱和,器件的散热能力只有1.33W而不是4W,尽管在良好冷却的情况下器件的散热能力可以达到2W左右。图3MOSFET在施加功率脉冲情况下的热阻实际上,我们可以把MOSFET选型分成四个步骤。第一步:选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。第二步:确定额定电流第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOSFET处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOSFET并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。在沟道技术中,晶片中嵌入了一个深沟,通常是为低电压预留的,用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响,开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如,飞兆半导体开发了称为SuperFET的技术,针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要,因为当标准MOSFET的击穿电压升高时,RDS(ON)会随之呈指数级增加,并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在击穿电压达到600V的情况下,实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说,这意味着封装尺寸的大幅减小。第三步:确定热要求选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻,以及最大的结温。器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散,即按定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流,因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是,在处理简单热模型时,设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值,并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率,使器件的温度升高,而且有可能损坏器件。半导体公司都会对器件进行雪崩测试,计算其雪崩电压,或对器件的稳健性进行测试。计算额定雪崩电压有两种方法;一是统计法,另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。不少公司都有提供其器件测试的详情,如飞兆半导体提供了“PowerMOSFETAvalancheGuidelines”(PowerMOSFETAvalancheGuidelines--可以到Fairchild网站去下载)。除计算外,技术对雪崩效应也有很大影响。例如,晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,最终提高器件的稳健性。对最终用户而言,这意味着要在系统中采用更大的封装件。第四步:决定开关性能选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。基于开关性能的重要性,新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电荷;而这会使器件尺寸增大。为了减少开关损耗,新的技术如沟道厚底氧化已经应运而生,旨在减少栅极电荷。举例说,SuperFET这种新技术就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg),最大限度地减少传导损耗和提高开关性能。这样,MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt),
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