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半导体及二极管1.半导体的导电特性本征半导体硅锗两种载流子：空穴自由电子N型半导体P型半导体PN结的形成多数载流子的扩散运动形成PN结扩散运动与漂移运动PN结的单向导电性结加正向电压PN（导通）结加反向电压PN（截止）2.半导体二极管二极管的伏安特性二极管的主要参数（1）最大整流电流IF（2）反向击穿电压VBR（3）反向电流IR二极管基本电路及其分析方法（1）二极管正向V-I特性的建模理想化模型恒压降模型（2）模型分析法应用举例1）静态工作情况分析2）限幅电路3）开关电路4）低电压稳压电路齐纳二极管（稳压管）简单的稳压电路半导体三极管及放大电路基础1.半导体三极管（晶体管）NPN型三极管结构及符号PNP型三极管结构及符号晶体管中的载流子运动和电流分配晶体管的电流方向、发射结和集电结的极性晶体管的输入特性曲线晶体管的输出特性曲线晶体管的主要参数(1)电流放大系数(2)集-基极反向电流ICBO(3)集-射极反向电流ICEO集-基极反向电流ICBO集-射极反向电流ICEO（穿透电流）(4)集电极最大允许电流ICM(5)集电极最大允许耗散功率PCM2.基本放大电路晶体管工作在放大状态必须：￭发射结为正向偏置￭集电结为反向偏置共射极基本放大电路共射极基本放大电路的简化及习惯画法（1）静态分析直流通路（2）动态分析放大电路输出端接有负载电阻的电路晶体管的H参数小信号等效模型晶体管的小信号模型的简化共射极放大电路的小信号等效电路求共射极放大电路的输入电阻求共射极放大电路的输出电阻3.静态工作点的稳定