技术公司电源MTBF测试规范

深圳培训网标准评估电源产品的可靠性。2.0适用范围适用于测试工程师、可靠测试工程师、技术员和工程测试人员对本司电源产品类的MTBF测试的标准依据。3.0定义MTBF——Meantimebetweenfailure.平均故障间隔时间.MIL-HBDK-217F：美国军用手册——电子器件可靠性预估.4.0权责测试组:测试工程师依据本规范对样机阶段确认测试内容进行测试验证并出具测试报告.5.0规范内容5.1参数说明：πQ：QualityFactor品质因数,很多产品的品质等级分为：MIL-SPEC和Lower两种，如下表说明，如该零件满足2种品质等级标准时，可用MIL-SPEC确定πQ的数值；如此标准被放弃或属于商业类制程时，我们用Lower确定πQ的数值。PartswithMulti-LevelQualitySpecificationsPartQualityDesignatorsMicrocircuits微电子S,B,B-1,Other:QualityJudgedbyscreeningLevelDiscreteSemiconductors半导体JANTXV,JANTX,JANCapacitors,EstablishedReliability(ER)电容，建立可靠性D,C,S,R,B,P,M,LResistors,EstablishedReliability(ER)电阻，建立可靠性S,R,P,MCoils,Molded,R.F.,Reliability(ER)线圈、模型、RF，建立可靠性S,R,P,MRelays,EstablishedReliability(ER)继电器，建立可靠性R,P,M,LπE：EnvironmentFactor环境因数，所有元件可靠模型包括环境应力的影响（除了致电离辐射）。如下说明，仅目前常用的几种类型使用环境πE类型描述良好的地面条件GB不移动的，温度和湿度受控制并能得到很好的保持,此类环境包括实验室工具与设备，医疗电子设备，商用和科学电脑配件，导弹以及相应的支持设备和发射井。深圳培训网一般的环境条件，如产品安装于固定的位置，有足够的风冷条件并尽可能不靠近其他发热设备。此类包括有控制飞机飞行的固定雷达系统和通讯设备。移动的使用环境GM产品装置在轮状装备上或轨型交通设备上，手工运输，。此类包括战术导弹地面支持设备、移动通讯设备、战术喷火系统、手持通讯设备、激光探测器等。λP：某一器件或部件的总失效率。5.2元器件计算公式与参数选定5.2.1IC类、数字或线性逻辑或门，MOS驱动器5.2.1.1适用范围：各类IC、线性或数字门电路、集成电路模块等5.2.1.2计算公式：λP=(C1×πT+C2×πE)×πQ×πL5.2.1.3参数计算公式：C1：MOSLinearandDigitalGate/LogicArrayDieComplexityFailureRateDigitalLinearPLA/PALNo.GatesC1No.TransistorsC1No.GatesC11to1000.0101to1000.010Upto5000.00085101to1,0000.020101to3000.020501to1,0000.00171,001to3,0000.040301to1,0000.0401001to50000.0034…….…….……..πT：TemperatureFactor计算公式：πT=0.1×exp(-Ea/(8.617×10-5)×(1/(TJ+273)-1/298))其中：Ea：EffectiveActivationEnergy(eV)DigitalMOS:0.35;LinearMOS:0.65TJ:WorsecasteJunctionTemperatureorAverageActiveDeviceChannelTemperature.C2：PackageFailureRate计算公式：C2=2.8×10-4×（Np）1.08Np:NumberofFunctionalPinsπE：GB:0.50;GF:2.0;GM:4.0深圳培训网：一般选择（OtherCommercialorUnknownScreeningLevels）:10πL:LearningFactor，因使用的IC生产经验均大于2年，故选择：1.05.2.2半导体类5.2.2.1使用范围：低频二极管（开关二极管、快恢复二极管、功率整流器、电压调整器-稳压管、电流调整器-稳流管、瞬态抑制器、肖特基）5.2.2.2计算公式：λP=λb×πT×πS×πC×πQ×πE5.2.2.3参数说明：λb：BaseFailureRateDiodeType/ApplicationλbSwitching0.0010FastRecoveryPowerRectifier0.025PowerRectifier/Schottky0.0030PowerDiode0.0050VoltageRegulatorandVoltageReference(AvalancheandZener)0.0020…….πT：TemperatureFactor1对于：Switching,FastRecovery,PowerRectifier,TransientSuppressorπT=exp(-3091×(1/(TJ+273)-1/298))2对于：Voltageregulator,VoltageReference,andCurrentRegulatorπT=exp(-1925×(1/(TJ+273)-1/298))**TJ:JunctionTemperature(℃)πS：ElectricalStressFactor1VoltageRegulator,VoltageReference,CurrentRegulatorπS=1.02AllOthersπS=0.054whenVs≤0.3;πS=Vs2.43when0.3Vs≤1.0;**Vs=VoltageStressRation=VoltageApplied/VoltageRatedπC：ContactConstructionFactorContactConstructionπC深圳培训网一般选择Lower:5.5orPlastic:8..0πE:GB:1.0;GF:6.0;GM:9.05.2.2.4使用范围：晶体管，低频，双极性；NPN、PNP（频率200MHz）5.2.2.5计算公式：λP=λb×πT×πA×πR×πS×πQ×πE5.2.2.6参数说明：λb：BaseFailureRate0.00074πT：TemperatureFactorπT=exp(-2114×(1/(TJ+273)-1/298))**TJ:JunctionTemperature(℃)πA：ApplicationFactorApplicationπALinearAmplification1.50Switching0.70πR：PowerRatingFactor1=0.43whenRatedPower≤0.1W2=(Pr)0.37WhenRatedPower0.1WπS：VoltageStressFactorπS=0.045×exp(3.1×VS)(0VS≤1.0)VS=AppliedVCE/RatedVCEOVCE=Voltage,CollectortoEmitterVCEO=Voltage,CollectortoEmitter,BaseOpenπQ：一般选择Lower:5.5orPlastic:8..0πE：GB:1.0;GF:6.0;GM:9.05.2.2.7适用范围：晶体管，低频，SiFET；N-ChannelandP-ChannelSiFET(频率≤400MHz)5.2.2.8λP=λb×πT×πA×πQ×πE5.2.2.9参数说明：λb：BaseFailureRateTransistorTypeλb深圳培训网：TemperatureFactorπT=exp(-1925×(1/(TJ+273)-1/298))**TJ:JunctionTemperature(℃)πA：ApplicationFactorApplication(Pr,RatedOutputPower)πALinearAmplification(Pr2W)1.5SmallSignalSwitching0.7PowerFETsNon-linear,(Pr≥2W)2≤Pr5W2.05≤Pr50W4.0…………πQ：一般选择Lower:5.5orPlastic:8..0πE：GB:1.0;GF:6.0;GM:9.05.2.2.10适用范围：光藕、LED(LightEmittingDiode)5.2.2.11计算公式：λP=λb×πT×πQ×πE5.2.2.12参数说明：λb：BaseFailureRateOptoelectronicTypeλbPhoto-Transistor0.0055Poto-Diode0.0040LED0.00023…………πT:TemperatureFactorπT=exp(-2790×(1/(TJ+273)-1/298))**TJ:JunctionTemperature(℃)πQ:一般选择Lower:5.5orPlastic:8.0πE:GB:1.0;GF:2.0;GM:8.05.2.3电阻类5.2.3.1计算公式：λP=λb×πT×πP×πS×πQ×πE5.2.3.2参数选择：深圳培训网（适用范围）λbπT计算公式πS计算公式RC固定阻值、合成物、绝缘0.0017Column:1Column:2RM固定阻值、薄膜、贴片、建立可靠性0.0037Column:2Column:1RD固定阻值、薄膜（功率型）0.0037N/A；πT=1Column:1RTH热敏电阻、绝缘0.0019N/A；πT=1N/A；πS=1RV可变化阻值、合成物0.0037Column:2Column:1…………πT:TemperatureFactorColumn1:πT=exp(-0.2/(8.617×10-5)×(1/(T+273)-1/298))Column2:πT=exp(-0.08/(8.617×10-5)×(1/(T+273)-1/298))T:ResistorCaseTemperature.Itcanbeapproximatedasambientcomponenttemperatureforlowpowerdissipationnon-powertyperesistors.πS:PowerStressFactorColumn1:πS=0.71×e1.1×(S)Column2:πS=0.54×e2.04×(S)S=ActualPowerDissipation/RatedPowerπP:PowerFactorπP=(PowerDissiptation)0.39πQ:一般取“CommercialorUnknownScreeningLevel”:10πE:GB:1.0;GF:4.0;GM:16.05.2.4电容类5.2.4.1计算公式：λP=λb×πT×πC×πV×πSR×πQ×πE5.2.4.2参数选择：CapacitorStyleDescription（适用范围）λbπT计算公式πC计算公式πV计算公式CRHFixedsupermetallizedplasticFil