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名词解释形状记忆合金：形状记忆效应是指具有一定形状的固体材料，在某种条件下经过一定的塑性变形后，加热到一定温度时，材料又完全恢复到变形前原来形状的现象。即它能记忆母相的形状。具有形状记忆效应的合金材料即称为形状记忆合金。热弹性马氏体相变：在某些合金材料中会出现一种叫做热弹性马氏体的晶相组织，这种组织的特点是：它的相变驱动力很小，很容易发生相变。它能随着温度的升高而弹性地缩小或长大，故称其为“热弹性马氏体”。约瑟夫逊（Josephson）效应：约瑟夫逊从理论上对于超导体－势垒－超导体的情况进行了认真的计算。得出了一系列难以想象的结果：在势垒两边电压为零的情况下，电子对能够以隧道效应穿过绝缘层，产生直流超导电流，此现象叫直流约瑟夫逊效应(d.c.Josephsoneffect)。超导隧道结这种能在直流电压作用下，产生超导交流电流，从而能辐射电磁波的特性，称为交流约瑟夫逊效应。注：把右侧正常金属改成超导体迈斯纳效应：处于超导状态时，超导体内部磁感强度为零。这种现象称为迈斯纳效应超晶格：超晶格材料是由两种或两种以上性质不同的薄膜相互交替生长并而形成的多层结构的晶体，在这种超晶格材料中，由于人们可以任意改变薄膜的厚度，控制它的周期长度。一般来说，超晶格材料的周期长度比各薄膜单晶的晶格常数大几倍或更长，因而取名“超晶格”。组分超晶格：超晶格材料的一个重复单元由两种不同材料组成，其电子亲和势、禁带宽度均不相同。掺杂超晶格：若在同一半导体材料中，用交替改变掺杂类型的方法形成的超晶格称为掺杂超晶格。应变超晶格：当两种不同材料构成超晶格时，若两种材料晶格常数相差较大时，会在界面处产生缺陷，得不到好的超晶格材料。但是，当多层薄膜厚度十分薄时，晶体生长时会产生很少的缺陷，即是在弹性形变限度内，晶格本身的应变使缺陷消除，可制备好的超晶格材料－－应变超晶格材料压电效应：当对某些晶体在某些特定方向上加力时，在施力方向的垂直平面上出现正、负束缚电荷，这种现象称为压电效应。正压电效应：当晶体受到机械力作用时，一定方向的表面产生束缚电荷，电荷密度大小与所加应力大小成线性关系，这种由机械效应转换为电效应的过程称为正压电效应。负压电效应：当某些晶体在外电场激励下，会使晶体在某些方向上产生形变（或谐振）现象，且二者之间亦存在线性关系，这种由电效应转换为机械效应的过程称为逆压电效应。热释电效应：由于温度作用而使极化发生，这就是晶体的热释电性或热释电效应。产生热释电效应的条件：1.具有自发极化的晶体。2.晶体结构的极轴与结晶学的单向重合的晶体。绝对湿度：表示单位体积内，空气里所含水蒸气的质量，其定义为m/v相对湿度：在一定的温度条件下，混合气体中存在的水蒸气分压(pv)。而饱和蒸气压是指在同一温度下，混合气体中所含水蒸气压的最大值(ps)。温度越高，饱和水蒸气压越大。在某一温度下，其水蒸气压同饱和蒸气压的百分比，称为相对湿度RH=p/ps*100%温差电势:由A、B两种不同的导体两端相互紧密连接在一起，组成一个闭合回路。当两接触点处于不同温度时，回路中可产生电动势形成电流-热电效应。热电偶产生的热电动势是两种不同的导体的接触电势（玻尔贴电势）和单一导体的温差电势（汤姆逊效应）接触电势：不同导体材料中有不同浓度的电子，当两种导体AB连接时，在接触处会产生电子扩散，设导体A比B中电子浓度大，那么单位时间内由A到B的电子数比B到A的电子数多，此时Ａ端正电，Ｂ端负电，从而产生电势差－接触电势。磁阻效应：若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。物理磁阻效应：不考虑半导体样片形状和结构影响。将通电的半导体置于均匀磁场中，运动的载流子由于受到洛伦兹力的作用而发生偏转，从而使电流通过的距离变长，载流子受到的散射几率增大，迁移率下降，导致沿外加电场方向的电流密度减小，电阻率增加，这种现象称为物理磁阻效应。几何磁阻效应：在相同磁场作用下，由于半导体样片几何形状的不同而出现电阻值不同变化的现象称为几何磁阻效应。取向极化:无外电场：固有电偶极矩热运动，混乱分布，介质不带电。加外电场：外场取向与热混乱运动达到平衡。离子位移极化：离子晶体在电场作用下离子间的键合被拉长。本征吸收：当光照射半导体时，价带中的电子吸收足够能量的光子后被激发到导带成为自由电子，同时在价带中留下自由空穴，从而才产生了电子-空穴对，即光生载流子。杂质吸收：光照射在惨杂半导体上时，束缚在杂质能级上的电子或空穴也能吸收光子能量而跃迁到导带或价带成为自由电子或空穴，常把这一过程称为杂质吸收。内光电效应:入射光子被半导体吸收后产生电子或空穴等光生载流子参与导电，从而引起半导体的电性质发生变化，这种性质称为内光电效应。光电导效应：高阻半导体受光照射时，由于产生光生载流子，而使半导体的电阻率减小，电导增大，这一现象称为光电导效应。光伏特效应：光照射半导体PN结时，会在PN结出产生电子-空穴对，在PN结内建立电场作用下，电子被扫向n区，空穴被扫向p区，从而在PN结两侧产生光生电动势，这一现象称为光生伏特效应，简称光伏效应。自发辐射:若有能量为hν12=E2-E1的光子与原子作用，处于基态的原子吸收光子能量而进入激发态。激发态是不稳定的高能状态，电子会自动地从高能级跃迁回低能级，并释放出光能，原子也从激发态回到基态。像这种不受外界作用，原子自发地从高能态回到基态引起的光子发射过程称为自发辐射。受激辐射:当处于激发态的原子受到一个能量也为hν12的光子作用时，受激原子立即跃迁到基态，并发射一个能量为hν12的光子，这种在光的辐射场的扰动下，受激原子从激发态向基态跃迁而发光的过程称为受激辐射。光弹效应：在垂直于光波传播方向上施加应力，材料将产生双折射，其强弱正比于应力—光弹效应。法拉第磁光效应平面偏振光通过带磁性物体时，顺光方向加一磁场H，偏振面将发生偏转—即为磁光效应极化：电介质在外电场作用下，其正负电荷不再重合，而是发生分离，即产生了极化现象，形成了电偶极子。其中，电偶极矩:μ=qδ电极化强度:数值孔径:N•A称为光纤的数值孔径。N•A决定了能被传播的光束的半孔径角的最大值θc，半孔径角大于θc的光则透入包层，不能在纤芯中传播，因此数值孔径实际上反映了光纤的集光能力。纤芯与包层的折射率差越大，数值孔径越大，光纤的集光能力越强。湿滞回差:湿度传感器在由低湿到高湿的吸湿过程中和由高湿到低湿的脱湿过程中,不仅响应时间不同,而且感湿特性曲线不能重合而构成一闭合迴线,把器件的这一特性称为湿滞特性,而把吸湿与脱湿过程的感湿特性曲线构成的迴线称为湿滞迴线.器件的湿滞特性常以湿滞迴差来表示．表示器件在吸湿和脱湿两种过程感湿特征量数值相同时所指示的环境相对湿度的最大差值．PV1222c1201NAsinnnn=