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SIP封装技术现状与发展前景作者：李振亚，赵钰，LIZhen-ya，ZHAOYu作者单位：中国电子科技集团公司第四十三所,合肥,230022刊名：电子与封装英文刊名：ELECTRONICS&PACKAGING年，卷(期)：2009，9(2)被引用次数：2次参考文献(5条)1.KingL.TaiSystem-In-Package(SIP):ChallengesandOpportunities20002.I.J.U.Knickerbocker.P.S.AndrDevelopmentofnextgenerationsystem-on-package(SOP)technologybasedonsiliconcarrierswithfine-pitchchipinterconnection2005(04)3.查看详情4.查看详情5.hristopherM.Scanlan.NozadKarimCSystem-in-PackageTechnology,ApplicationandTrends相似文献(4条)1.会议论文杨邦朝.顾勇.马嵩.胡永达系统级封装(SIP)的优势以及在射频领域的应用2009SIP(SysteminPackage),指系统级封装.它强调的是将一个尽可能完整的电子系统或子系统高密度地集成于一个封装体内.它与系统芯片(SOC)互补,实现一种新的更高层次的混合集成,具有设计灵活、相对成本低、周期短等优势,其优势使之更加适合于未来电子整机系统.文中分析了RFSIP在无源元件集成、高密度互连、微磁电结构和可靠性等方面的关键技术,介绍了SIP技术在射频领域的典型应用实例.2.期刊论文童志义.TONGZhiyi后摩尔时代的封装技术-电子工业专用设备2010,39(6)介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术.采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减.将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台.在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步.随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代.3.期刊论文柳现发.王绍东.吴洪江.洪求龙.LiuXianfa.WangShaodong.WuHongjiang.HongQiulong一种高集成LTCC射频前端电路-微纳电子技术2008,45(9)设计并制作了一种基于LTCC技术的系统级封装多通道射频前端电路.讨论了优化系统结构设计和LTCC材料选择,采用小信号S参数和谐波平衡法进行系统原理仿真设计,用三维电磁场法进行多层LTCC基板微波电路仿真分析.依托先进的LTCC制造工艺技术,该射频前端电路高密度集成了MMIC和CMOS芯片、贴片元件、多种形式的嵌入式滤波器以及控制线、微带线、带状线等元件,实现了微波信号放大、下变频和控制,具有体积小、重量轻、低噪声、低功耗、多通道的特点.该电路性能优良,增益62dB,噪声系数2.8dB,输入驻波比小于1.8,与采用混合集成电路技术的同类产品相比体积大幅度减小.4.会议论文杨邦朝.马嵩.顾勇.胡永达.唐伟系统级封装(SIP)技术的现状与发展2009随着电子信息技术的发展和社会的需求,电子产品不断向小型化、轻量化、高性能、多功能和低成本的方向发展.在过去几十年里,HIC、MCM、SOC等技术在微电子领域内起到了重要作用.现在,SIP这种新型的封装技术由于其设计灵活、周期短、兼容性好、成本低等特点而脱颖而出,引起了国内外高度的重视.成为弥补MCM、SOC等技术不足的一种理想封装技术.本文通过对SIP、SOP、SOC、MCM技术进行对比分析,总结出SIP新型封装技术的优缺点及其应用领域和发展前景.引证文献(2条)1.何鹏.林铁松.杭春进电子封装技术的研究进展[期刊论文]-焊接2010(1)2.余炳晨消费电子产品发展趋势及封装技术的应用[期刊论文]-电子与封装2009(6)本文链接：授权使用：刘宇(wfhyzgdzkj29)，授权号：8c5fc270-dbc8-4019-9b17-9e290112669c下载时间：2010年11月9日