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第三章8086的寻址方式和指令系统略第四章存储器和高速缓存技术4.1计算机的内存有什么特点？内存由哪两部分组成？外存一般指哪些设备？外存有什么特点？答：1.内存可被CPU直接访问，内存的存取速度快，内存的空间大小受到地址总线位数的限制。2.内存由ROM和RAM两部分组成。3.外存一般指软盘、硬盘、磁带机上的磁带及光盘。4.外存的特点是大容量，所存信息即可修改，又可长期保存。但外存速度慢，要配置专用设备。4.2用存储器件组成内存时，为什么总是采用矩阵形式？请用一个具体例子进行说明。答：1.为了简化选择内存内部单元的地址译码电路及减少译码线数量。2.例如，要组成1K字节的内存，若不用矩阵组织这些单元，而是将它们一字排开，就要1024条译码线才能实现对这些单元的寻址。译码电路也因此而很复杂。若用32×32来实现排列，就只要32条行选择线和32条列选择线就可以了。因此其译码电路也将变得较为简单。4.3为了节省存储器的地址译码电路，一般采用哪些方法？答：①存储器件按矩阵排列；②内存按模块结构设计；③模块内再进行分组处理。4.4在选择存储器件时，最重要的考虑因素是什么？此外还应考虑哪些因素？答：1.最重要的考虑因素是：易失性、只读性、位容量和速度。2.此外还应考虑：功耗、可靠性和价格等因素。4.5什么叫静态RAM？静态RAM有什么特点？答：1.在电源不断电的情况下，信息一旦写入后不会丢失的RAM就叫静态RAM。2.静态RAM的特点有：不需刷新，因此简化了外部电路；但位容量较类似方法设计的动态RAM少，且功耗较大。4.6静态RAM芯片上为什么往往只有写信号而没有读信号？什么情况下可以从芯片读得数据？答：1.因为在存储器中，当允许信号有效之后，一定是进行读/写操作，非写即读。因此，只用写信号WE就可以即控制写操作，又控制读操作。在写操作时，写脉冲发生器送来一个负脉冲作为写入信号；在读操作时，写脉冲发生器不产生负脉冲，而是使WE端处于高电平，此高电平就用来作为读出信号。2.当芯片允许信号CE=0及写信号WE=1时，可以从芯片上读得数据。4.7在对静态存储器进行读/写时，地址信号要分为几个部分？分别产生什么信号？答：1.地址信号分为三个部分。如：A19~A14，A13~A12，A11~A0。2.例中A19~A14用来作为模块选择信号，地址译码器判断A19~A14给出的模块选择信号和本模块的约定信号是否匹配，如匹配，则再根据MRDC或MWTC产生内部的模块选择信号；A13~A12产生4个矩阵的芯片允许信号；A11~A0则作为矩阵内部的行地址和列地址。4.8动态RAM工作时有什么特点？和静态RAM比较，动态RAM有什么长处？有什么不足之处？动态RAM一般用在什么场合？答：1.动态RAM工作时需要对其存储的信息定时(约2ms)刷新一次。因此需要刷新控制电路来支持。2.动态RAM的优点(长处)为：动态RAM的位密度高；动态RAM的功耗较低；动态RAM的价格低廉，适合于大容量使用。3.动态RAM的缺点(不足之处)为：要配置刷新逻辑电路；在刷新周期中，内存模块不能启动读周期或写周期。4.动态RAM一般用在大容量、低功耗场合。4.9动态RAM为什么要进行刷新？刷新过程和读操作比较有什么差别？答：1.因为动态RAM是利用电容的存储作用来保存信息的，但电容由于放电或泄漏，电荷保存时间较短(约2ms)，若不及时补充电荷会使存放的数据丢失，因此需定时刷新以补充所需要的电荷。2.刷新过程是由刷新逻辑电路定时完成的，且每次对所有模块的一行同时刷新，数据不输出，数据总线处于高阻状态。读过程是随机的，每次选中一个存储单元(8位)，且数据输出到数据总线上。4.10动态RAM控制器完成什么功能？Intel8203从功能上分为哪两部分？叙述这两部分的工作原理。答：1.动态RAM控制器要完成的功能有：刷新定时器产生刷新周期并提供各种时序信号，并对CPU的读/写操作及刷新操作进行仲裁；刷新地址计数器提供刷新用的行地址，并通过多路转换器进行地址切换。2.Intel8203从功能上分为：地址处理部分和时序处理部分两个。3.地址处理部分用来处理动态RAM正常读/写时的地址信号(正常的行/列地址合用一组地址线的区分)和刷新过程中的地址信号(区分正常的行地址及刷新周期的行地址)。时序处理部分通过一个基准时钟来产生各种时序；通过一个仲裁器来解决刷新请求和内存正常读/写请求之间的矛盾。内部有两级同步电路用来对外部请求信号实现同步。4.11ROM、PROM、EPROM分别用在什么场合？答：①ROM用在一个计算机系统完成开发以后，容纳不再修改的程序和数据。且批量产量要大的场合。②PROM用于非批量的场合。③EPROM用于软件或系统的开发阶段及批量很小的场合。