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第一章常用半导体器件第一章常用半导体器件§1.1半导体基础知识§1.2半导体二极管§1.3晶体三极管§1.4场效应管§1半导体基础知识一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应一、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。1、什么是半导体？什么是本征半导体？导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。无杂质稳定的结构2、本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。共价键一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。动态平衡两种载流子外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。热力学温度0K时不导电。二、杂质半导体1.N型半导体磷（P）杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？2、P型半导体3硼（B）多数载流子P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？三、PN结的形成及其单向导电性物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。扩散运动P区空穴浓度远高于N区。N区自由电子浓度远高于P区。扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。PN结的形成因电场作用所产生的运动称为漂移运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。漂移运动由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。PN结加正向电压导通：耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。PN结加反向电压截止：耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。PN结的单向导电性必要吗？♦PN结的电流方程—伏安特性方程mVqkTUeIiTUuST26,)1(IS：反向饱和电流UT：温度电压当量反向截止正向特性反向击穿齐纳击穿雪崩击穿四、PN结的电容效应1、势垒电容PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。2、扩散电容PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。dbjCCC结电容：结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！结电容正偏时以扩散电容为主；反偏时基本等于势垒电容§2半导体二极管一、二极管的组成二、二极管的伏安特性及电流方程三、二极管的等效电路四、二极管的主要参数五、稳压二极管一、二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率二极管大功率二极管稳压二极管发光二极管一、二极管的组成点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。二、二极管的伏安特性及电流方程材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.5~0.8V1µA以下锗Ge0.1V0.1~0.3V几十µA)(ufi开启电压反向饱和电流击穿电压mV)26()1e(TSTUIiUu常温下温度的电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。从二极管的伏安特性可以反映出：1、单向导电性TeSTUuIiUu，则若正向电压)1e(TSUuIi2、伏安特性受温度影响T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移正向特性为指数曲线反向特性为横轴的平行线增大1倍/10℃STIiUu，则若反向电压三、二极管的等效电路理想二极管近似分析中最常用理想开关：导通时UD＝0截止时IS＝0导通时UD＝Uon截止时IS＝0导通时△i与△u成线性关系应根据不同情况选择不同的等效电路！1、将伏安特性折线化？100V？5V？1V？2、微变等效电路DTDDdIUiur根据电流方程，Q越高，rd越小。当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。ui=0时直流电源作用小信号作用静态电流例：电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：静态:二极管的直流电流ID＝（2－UD）/R＝2.6mA交流:动态电阻rd≈UT/ID＝10Ω故：动态电流有效值Id＝Ui/rd≈1mA四、二极管的主要参数最大整流电流IF：最大平均值最大反向工作电压UR：最大瞬时值反向电流IR：即IS最高工作频率fM：因PN结有电容效应第四版——P20器件的参数是其特性的定量描述，是合理选择器件的依据。讨论：解决两个问题如何判断二极管的工作状态？什么情况下应选用二极管的什么等效电路？uD=V－iRQIDUDRuViDDV与uD可比，则需图解：实测特性对V和Ui二极管的模型有什么不同？写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。（P68)五、稳压二极管1、伏安特性进入稳压区的最小电流不至于损坏的最大电流由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。2、主要参数稳定电压UZ、稳定电流IZ最大功耗PZM＝IZMUZ动态电阻rz＝ΔUZ/ΔIZ若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！限流电阻斜率？例：已知UZ、[IZmin,IZmax]、RL，求限流电阻R的取值范围。Uo=UZIDz[IZmin,IZmax]IZRUURIZzRDLUIIR例现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解（1）两只稳压管串联时，可得：1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时，可得：0.7V和6V等两种稳压值。§1.3晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数一、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度很低，且很薄面积大晶体管有三个极、三个区、两个PN结。小功率管中功率管大功率管为什么有孔？二、晶体管的放大原理（集电结反偏），即（发射结正偏）放大的条件BECECBonBE0uuuUu扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散电流分配：IE＝IB＋ICIE－扩散运动形成的电流IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流CBOCEOBCBC)(1IIiiII穿透电流集电结反向电流直流电流放大系数交流电流放大系数为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？三、晶体管的共射输入特性和输出特性CE)(BEBUufi为什么UCE增大曲线右移？对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？1、输入特性2、输出特性B)(CECIufiβ是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下?对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？饱和区放大区截止区BiCi常量CEBCUii晶体管的三个工作区域晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB，即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。状态uBEiCuCE截止＜UonICEOVCC放大≥UonβiB≥uBE饱和≥Uon＜βiB≤uBE四、温度对晶体管特性的影响BEBBBECEO)(uiiuIT不变时，即不变时℃五、主要参数•直流参数：、、ICBO、ICEOc-e间击穿电压最大集电极电流最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE安全工作区•交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率）•极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEOECII1ECii讨论一：由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、β。CECCMuiP2.7CEBCUiiuCE=1V时的iC就是ICMU（BR）CEO§1.4场效应管（FET）一、结型场效应管（JFET）二、绝缘栅型场效应管（IGFET）三、场效应管的主要参数四、场效应管与晶体管的比较一、结型场效应管（JFET）N沟道结型场效应管N沟道结构示意图栅极g(gate)漏极d(drain)源极s(source)导电沟道1、工作原理•栅-源电压uGS0,PN结反偏,无载流子，属于高阻区栅-源电压uGS控制耗尽层宽度，进而控制沟道宽度漏-源电压uDS0：形成和控制漏电流•N型半导体中多子导电，不经过PN结栅-源电压uGS对导电沟道的影响，uDS＝0|uGS|↑耗尽层加宽导电沟道变窄耗尽层闭合夹断uGS=0uGS≤UGS(off)UGS(off)uGS0uGS=UGS(off)★UGS调节导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流uGS(uGS(off),0)，uDS对漏极电流iD的影响uDS↑iD↑uGDUGS(off)uGD=UGS(off)uGDUGS(off)导电沟道不等宽uGD=uGS(off)夹断区增加，iD为恒流,受UGS控制漏-源极间出现电势差出现预夹断uDS↑)(offGSGSDSUuu)(offGSGSDSUuu★UDS产生漏极电流,使导电沟道不等宽2、结型场效应管的特性曲线输出特性曲线：可变电阻区恒流区夹断区击穿区常数GSUDSDufi)(可变电阻：受uGS控制预夹断轨迹：)(offGSGSDSUuu)(offGSU2()(1)GSDDSSGSoffuiIUIDSS：饱和漏极电流转移特性曲线：常数DSUGSDufi)(工作原理相同：P沟道的多子是空穴与N沟道相比，P沟道对应的电压、电流极性正好相反讨论一:P沟道与N沟道结型场效应管的区别二、绝缘栅型场效应管IGFET结型场效应管：栅-源间的电阻107仍不够高；高度集成工艺比较复杂。绝缘栅型场效应管N沟道(增强型,耗尽型)P沟道(增强型,耗尽型)IGFET的栅极与源极(漏极)间用SiO2绝缘，由于栅极为金属铝,又被称为MOS管(Metal-Oxide-