模拟电子技术基础习题

模拟电子技术基础习题第三章双极型晶体管及其放大电路第四章场效应晶体管及其基本放大电路第五章集成运算放大器及其应用第六章负反馈放大电路第七章功率放大电路第九章波形发生和变换电路第八章有源滤波器第一章电子系统基础知识第二章半导体二极管及其应用电路第十章直流稳压电源1-1哪些是我们在以后学习模拟电路中重点要掌握的内容？解：重点要掌握的内容有：电子器件和放大电路、运算放大器的应用、放大电路的性能指标。1-2试对照图1-2电子信息系统的框图和图1-10自动感应节能灯电路图，分别写出信号、信号处理、信号加工、负载和电源的具体组成部分。（以元器件为核心）解：0.1～10HZ、1mV左右的微弱电压是信号，集成运算放大器LM324进行信号处理，晶体管V和双向晶闸管进行信号控制，负载是EL灯，220V电源电压经过VD1、VD2、VD3组成直流电源。第一章思考题与习题一、填空题1.半导体是导电能力介于__导体__和___绝缘体___之间的物质。2.利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__特性，制成热敏电阻。3.PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特性称为PN结_单向导电性_特性。4.PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。5.二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__电压。第二章半导体二极管及其应用电路6.二极管最主要的特点是__单向导电性__，使用时应考虑的两个主要参数是___最大整流电流___和__最高反向工作电压___。7.半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的__单向导电性能越好___的性能越好。8.半导体二极管分为点接触型，面接触型和平面型3种，通常__面接触型___流过电流最大，___点接触型___流过电流最小。对工作频率而言，__点接触型的___最高，__平面型的__最低。9.理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___，这两种状态相当于一个___理想的开关___。10.稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。11.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___，反向特性曲线将__下移__。12.当温度升高时，二极管的正向电压将__减小___，反向击穿电压___减小___，反向电流___增加___。13.整流电路的作用是___将交流电压转变成直流电压__，核心元器件是__二极管___。14.滤波电路的作用是__脉动的直流电压变成平滑的直流电压___，滤波电路包含有__储能__元件。15.单相半波整流和单相桥式整流相比，脉动比较大的是___单相半波整流__，整流效果好的是__单相桥式整流__。16.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反接，则__电路烧毁__，如果任意一个二极管虚焊，则__变成单相半波整流___。二、选择题1.在半导体材料中，其正确的说法是（C）。A．P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电B．N型半导体中由于多数载流子为电子，所以它负正电C．P型和N型半导体材料本身都不带电。2.二极管的导通条件是（B）。A．B．死区电压C．击穿电压3.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加，它的电流（C）。A．基本不变B．增加C．增加以上4.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增加，它的电流（C）。A．基本不变B．增加C．增加以上5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A）。A．增大B．不变C．减小0DUDUDU6.当温度为时，二极管的导通电压为0.7V，若其他参数不变，当温度升高到时时，二极管的导通电压将（B）。A．等于0.7VB．小于0.7VC．大于0.7V7.二极管电路如图2-51所示，V，二极管均为理想元件，则输出电压为（A）。A．0VB．3VC．6VD．9V图2-518.二极管电路如图2-52所示，二极管均为理想元件，则输出电压为（A）。A．-2VB．0VC．4VD．10V9.稳压管电路如图2-53所示，稳压管VS1的稳压值为9V，VS2的稳压值为15V，输出电压等于（B）。A．15VB．9VC．24V图2-52图2-5310.电路如图2-54所示，VD1～VD3为理想二极管，HA、HB、HC是三只相同的白炽灯，其中最亮的灯是（A）。A．HBB．HCC．HA图2-5411.理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承受的最大反向电压为（B）。A．小于B．等于C．大于22U22U22U12.图2-55所示三个整流电路(a)、(b)、(c)，变压器二次电压，负载电压的波形如图(d)所示，符合该波形的电路是（C）。图2-55三、判断题1.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）2.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）3.在二极管的反向截止区，反向电流随反向电压增大而增大。（×）4.如果稳压管工作电流，则管子可能被损坏。（×）5.桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都只有负载电流一半。（√）6.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每个二极管承受的反向电压相同。（×）四、分析计算题解：第三章思考题与习题一、填空1.晶体管从结构上看可以分成___PNP____和___NPN___两种类型。2.晶体管工作时有___两种___载流子参与导电，因此晶体管又称为___双极型___晶体管。3.晶体管具有放大作用的外部条件是____发射____结正向偏置，____集电____结反向偏置。4.设晶体管的压降不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则__100___。若基极电流增大至25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA，则___120___。5.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，穿透电流则其集电极电流___0.98mA____，电流放大系数___49____。6.当晶体管工作在___放大__区时，才成立，此时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置。7.当晶体管工作在___饱和___区时，。此时，发射结___正向__偏置，集电结___正向___偏置。8.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以____集电___极的电位最高，___发射___极的电位最低，___基极___极和___发射___极电位差等于___0.7V___。9.当PNP硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以___发射____极的电位最高，___集电___极的电位最低，等于___0.7V___。10.晶体管放大电路中，三个电极的电位分别为，，，试判断晶体管的类型是___PNP_____，材料是____锗___。11.温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。12温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移，输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔将变____大___。13.查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。mW/CMPmA/CMIV/(BR)CEOU型号类型材料低频大功率管3AD50CPNPGe100003000303CD030EPNPSi300001500120高频小功率管3DG100ANPNSi10020203DG130ANPNSi70030030V41VV2.12VV5.13V14.某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压为6.5V；当输入电压为15mV时，输出电压为7V。则该电路的电压增益为___100____。15.直流放大器能放大___交、直流信号___，交流放大器能放大___交流信号____。16.当静态工作点设置偏低时，会引起___截止____失真，单级共射放大电路输出电流波形的___底部___半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调___小____。17.当静态工作点设置偏高时，会引起___饱和___失真，单级共射放大电路输出电压波形的____底部__半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调____大____。18.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响最大的是____温度升高____。19.三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。20.三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放大的是___共基____电路，有电流放大无电压放大的是____共集_____电路，既有电压放大又有电流放大的是_____共射____电路。21.分压式偏置的共射极放大电路图3-19中的作用是____稳定静态工作点____。22.多级放大电路常见的耦合方式有____阻容耦合____、____直接耦合____、____变压器耦合____。23.直接耦合放大电路既能放大____直流____信号，又能放大____交流____信号，但它存在零漂的问题需要考虑解决。24.多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益变___大___，通频带变___窄___。二、选择题1.当晶体管的两个PN结都反偏时，则晶体管处于（A）。A．截止状态B．饱和状态C．放大状态D．击穿2.当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于（B）。A．截止状态B．饱和状态C．放大状态D．击穿3.测得放大电路中某晶体管的三个电极对地电位分别为6V、5.3V和-6V，则该晶体管的类型为（A）。A．硅PNP型B．硅NPN型C．锗PNP型D．锗NPN型4.测得放大电路中某晶体管的三个电极对地电位分别为8V、2.3V和2V，则该晶体管的类型为（D）。A．硅PNP型B．硅NPN型C．锗PNP型D．锗NPN型5.测得放大电路中某晶体管的三个电极对地电位分别为6V、5.3V和12V，则该晶体管的类型为（B）。A．硅PNP型B．硅NPN型C．锗PNP型D．锗NPN型6.测得放大电路中某晶体管的三个电极对地电位分别为6V、5.7V和-6V，则该晶体管的类型为（C）。A．硅PNP型B．硅NPN型C．锗PNP型D．锗NPN型7.检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最简单的方法是测量（B）。A．B．C．D．8.放大器中晶体管在静态时进入饱和区的条件是（A）。A．B．C．死区电压D．导通电压9.工作在放大状态的双极型晶体管是（A）。A．电流控制型B．电压控制型C．不可控元件10.用直流电压表测得晶体管电极1、2、3的电压分别为，，，则三个电极为（C）。A．1为e；2为b；3为cB．1为e；2为c；3为bC．1为b；2为e；3为cD．1为b；2为c；3为eBQIBEQUCQICEQUBSBIIBSBIIV11VV3.12VV53V11.用直流电压表测得晶体管电极1、2、3的电压分别为，，，则三个电极为（B）。A．1为e；2为b；3为cB．1为e；2为c；3为bC．1为b；2为e；3为cD．1为b；2为c；3为e12.处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是（C）。A．B．C．D．13.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是（B）。A．B．C．D．14.晶体管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的（D）。A．B．C．D．15.放大电路的三种组态，都有（C）放大作用。A．电压B．电流C．功率D．都没有V21VV62VV7.23VECBVVVCBEVVVEBCVVVBECVVVECBVVVCBEVVVEBCVVVBECVVVCiCEuEiBi16.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，正常工作时，它的集电极电流等于（A）。A．0.98mAB．1.02mAC．0.8mAD．1.2mA17.固定偏置放大电路中，晶体管的，若将该管调换为的另一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流将（A）。A．增加B．