GSM之调制与开关频谱(ORFS)解析与调校大全

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资源描述

ACPR(Adjacentchannelpowerratio)在无线通信中,会量测ACPR,以衡量发射端对于邻近通道的干扰程度[1]。在WCDMA中,会以ACLR(AdjacentChannelLeakageRatio),来衡量该指标[2]:而GSM中,则是以ORFS(OutputRadioFrequencySpectrum),来衡量该指标[3-4]:1ORFS(OutputRadioFrequencySpectrum)若以频谱为分类,衡量发射端对于其他频率的干扰,可分三类:In-Channel、Out-of-Channel、Out-of-Band。In-Channel主要测试发射端对于自身通道的干扰,Out-of-Channel主要测试发射端对于邻近通道的干扰,Out-of-Band主要测试发射端对于其他频段的干扰,测试项目如下[4]:In-Channel:Frequencyerror/Phaseerror、EVM、PVTOut-of-Channel:ORFS、TxnoiseinRXbandOut-of-Band:ConductedSpuriousEmission、RadiationSpuriousEmission前述已知,ORFS同WCDMA的ACLR,都是衡量发射端对于邻近通道的干扰程度,但有别于ACLR,ORFS又可细分为两项目:调制频谱(SpectrumduetoModulation)与开关频谱(SpectrumduetoSwitching)2调制频谱,量的是中间水平区段,主要是衡量讯号在调变过程中,是否会有频谱扩散的现象。而开关频谱,量的是左右直立区段,主要是衡量讯号在上升与下降过程中,是否会有频谱扩散的现象[4]。由于WCDMA采FDD(FrequencyDivisionDuplex)机制,其讯号为连续波,因此只需量测调变过程中的频谱扩散现象,但GSM为TDD(TimeDivisionDuplex)机制,其讯号为Burst型式,下图是GSM之Burst的时域与频域表示[8]:3因此需再加测讯号在上升与下降过程中的频谱扩散现象。4也因为GSM讯号为Burst型式,因此频谱扩散同时包含了调制频谱与开关频谱,所以量测调制频谱时,需在时域上锁定水平区段之50%~90%处,如此才能去除开关频谱所造成频谱扩散现象,只量到调制频谱所造成的频谱扩散现象[7],至于锁定水平区段之50%~90%处,是为了避开TrainingSequence。TrainingSequence并非讯号,它是一组在发射前,发端端与接收端都已知的固定序列。由于讯号在传送过程中,会因多重路径影响,在信道上产生频率响应,引起ISI,导致BER上升[6]。因此需对通道做估测与等化的动作,TrainingSequence便因应而生[9]。5而量开关频谱时,不需做锁定的动作,因为开关频谱的强度,比调制频谱来的大,所以量测时,只会量到开关频谱所造成的频谱扩散,因此不用特别除去调制频谱所造成的频谱扩散。而引起ORFS劣化的因素有许多,接下来将一一分析,并阐述解决之道。6Calibration前述已知,GSM的ORFS,与WCDMA的ACLR,有着相同指标意义,都是在衡量对于邻近通道的干扰程度。而由[2]可知,以电路观点,ACLR便是衡量WCDMA整体发射端电路的IIP3,越后级的IIP3,对整体线性度影响最大,而PA正好为发射端电路的后级,因此可利用提升PA线性度,来改善ORFS。由[2,11]可知,不论是饱和PA,或是线性PA,皆可透过校正来提升线性度与效率,最常见的校正方式为DPD(DigitalPre-Distortion),先提供一个与PA输出特性曲线完全相反的特性曲线,即反函数,接着再合成,修正AMAM&M特性,最后便能产生线性的输出,如下图:若是以Agilent8960来作校正用的仪器,则必须要有I/QCapture的License,这样仪器才能得知PA的原始输出特性,并回传给手机,以便手机进一步生成反函数并合成之,产生线性输出[12,14],如下图。7另外,由[2]可知,理论上可透过校正,去除DCOffset,但若未完全去除,则可能会流入PA,使PA的动态范围缩减,即线性度下降,则ORFS便会劣化,因此需在PA输入端,加DC-Block,以避免DCOffset流入PA,除非是已内建于PA里面,例如RFMD的RF3225。8由[2,11]可知,在高通的7系列平台,EDGE会以极化调制与饱和PA,来兼具线性度与耗电流的要求,但8系列之后的平台,所支持的线性PA,其Gain并非传统线性PA的固定式,而是步阶式,由下图可知,会有三个Gain值,分别表示LowPowerMode,MidPowerMode,以及HighPowerMode,而Gain采步阶式后,其效率已不输饱和PA,因此8系列之后的平台,EDGE一律采用线性PA[2]。9但是,即便采用线性PA,其EDGE并不像WCDMA一般,采用I/QModulation:而是同7系列平台一般,仍采用极化调制,但AM讯号与PM讯号会在收发器内就合成,直接经过线性PA作放大动作[14]。10因此可知不论线性PA或饱和PA,其EDGE都会将AM讯号与PM讯号分两路径传送,故AM讯号与PM讯号会有相位差,若其相位差过大,则会影响调变的精确度,使得调制频谱劣化,故需透过校正,将相位差缩减至30ns内[15]由上图可知,相位差为零时,其调制频谱最好,而当相位差超过30ns时,其调制频谱便超标。因此EDGE可透过校正,减小AM讯号与PM讯号的相位差,改善调制频谱。而虽然GSM只有FM讯号,没有相位差问题,但透过校正,可改善PA的AMAM特性,进而改善开关频谱,以及改善PA的AMPM特性,进而改善调制频谱[16]。11TimingControl,Voltage/TemperatureCompensation由前述已知,开关频谱量的是讯号在上升与下降过程中,是否会有频谱扩散的现象,因此其上升/下降曲线的平缓度,不但会影响开关频谱,连带也会影响PVT(PowerVersusTime)与谐波,由下图可知,若Vramp越陡峭,则开关频谱越差[16]。因此若为高通平台,可透过调校NV,来增加Vramp曲线的平缓度,以改善开关频谱[17]。1213另外,也可调校PA启动的时间(蓝色曲线),使其与Vramp(黄色曲线),在时域上有适当间距,以进一步改善开关频谱[19]。14至于Vramp曲线的优化,则是尽量调校成RaisedCosine,且在上升曲线有一个类似台阶的形状,如此会有最佳的开关频谱[19-21]15当然,也可透过硬件调校,来改善开关频谱,由[2]可知,因为DAC的非线性效应,所以多半会在收发器内,内建低通滤波器,来抑制谐波但抑制效果不见得符合期望,因此会在Vramp上,再加一组RC低通滤波器,以更进一步抑制谐波[18-19],可利用调校电阻与电容值,来改变Vramp曲线,进而改善开关频谱。而Layout时,也要将Vramp走线用GND包好,且远离XO/TCXO,高速数字讯号,以及电源相关走线,避免使开关频谱劣化[17]。16另外,开关频谱也会在高低温与高低压情况下,而有所劣化,因此需做补偿[17,20]以温度而言,未做补偿前,低温的开关频谱会较差,因为低温会导致PA的Gain上升,导致输出功率增加,这会使开关频谱劣化。而做温度补偿后,高温的开关频谱会较差,因为高温会导致PA的Gain下降,因此收发器需打出更大的DAC值,以达到期望的输出功率,这使得PA输入功率增加,导致PA线性度下降,使开关频谱劣化。值得注意的是,做温度补偿前,Thermistor需先校正,否则便无法做温度补偿。17而以电压而言,未做补偿前,高压的开关频谱会较差,尤其是线性PA,因为相较于饱和PA,线性PA的输出功率更容易受电压影响,因此高压时会导致输出功率增加,这会使开关频谱劣化。而做电压补偿后,低压的开关频谱会较差,因为Vcc走线在Layout上,由于长度与线宽因素,因此会有些许的IRDrop,而低压会使输出功率下降,因此做电压补偿后,收发器需打出更大的DAC值,以达到期望的输出功率,这导致耗电流增加,IRDrop也增加,很可能3.4V的Vcc,扣掉IRDrop后,只剩3.2V,而由上图可知,Vcc若越小,则PA线性度越差,因而导致开关频谱劣化[22]。18另外,GSM采GMSK调变[24],为恒包络讯号,因此只有上升/下降曲线的平缓度,会影响开关频谱,但EDGE采8PSK调变,为非恒包络讯号,因此除了上升/下降曲线的平缓度,会影响开关频谱之外,其水平区段,也会影响开关频谱,所以虽然EDGE的输出功率较GSM低,但开关频谱会比GSM来的大[11,17]。19因此在送认证前,可在上述的温度与电压条件下,量测其EDGE的ORFS,而且要以Single-slot来量测,因为其输出功率比Multi-slot来得大,如此才可确保ORFS在认证中心不会超标。20PA(PowerAmplifier)由前述已知,可利用提升PA线性度,来改善ORFS,除了透过校正外,调校硬件的匹配电路,也是方法之一[17]。以Load-Pull观点,PA与ASM(AntennaSwitchModule)间的匹配,影响PA线性度最大,因此可先从此处开始调校,调校的程序与方法,可参照[25],在此就不赘述。另外,由于PA的输入功率范围一向很广,以RFMD的RF3225为例,其输入功率范围为0dBm~6dBm,这表示收发器的输出功率,即便扣掉MismatchLoss与InsertionLoss,仍符合PA的输入功率范围,因此一般而言,较少调校此处的匹配。21然而由[2]可知,PA的输入端,其实也是DA(DriverAmplifier)的Load-pull:因此这部分的匹配若没调校好,会使DA的线性度不够,导致在PA输入端,ORFS已偏高的情况发生,再加上PA是主要的非线性贡献者,如此便会导致PA输出端的ORFS更差[2,23]。22另外,前述已知,RFMD的RF3225,其输入功率范围为0dBm~6dBm,而高通的RTR6285A,其输出功率为14dBm[26],这表示若两者搭配,则必须在PA输入端加衰减器,因此可加大衰减器的衰减量,使PA输入功率减小,来降低PA的非线性效应,进而改善ORFS[17]。然而值得注意的是,若衰减器是直接以电阻兜成,则需特别注意电阻值,由上图可知,虽然衰减量同样都是3dB,但所对应的阻抗,差了1000倍,若对应阻抗为50000奥姆,其实已等同于开路,讯号无法传递至PA,因此需特别注意。23而PA输入端的匹配电路,其摆放位置需依平台而定,例如若为MTK的MT6252,则需靠近收发器,但若为高通的WTR1605L,则需靠近PA[27-28]。但PA输入端的衰减器,则一律需靠近收发器[19]。若以上匹配皆已调校至50奥姆,但ORFS仍过高,则可再调校ASM至天线的匹配,因为由[2]可知,PA输出端一直到天线弹片,其实都是PALoad-Pull的一部分,因此可透过此处的调校,来提升PA的线性度。但此处的调校,会同时影响发射端与接收端的性能,因此调校完后,需再确认接收端性能是否劣化。24而调校完以上的匹配电路后,可先透过校正,更进一步提升PA线性度,接着将DAC值打到最大,以衡量在Connector所能量到的最大饱和功率,以确认PA线性度是否足够,一般而言,GSM850/EGSM900的最大饱和功率,至少要有34dBm,而DCS1800/PCS1900的最大饱和功率,至少要有32dBm。因为最大饱和功率越高,不但线性度越好,而且其线性PA的输出功率,也越不易受电压影响,可进一步提升输出功率的稳定度,减少ORFS因高低压而有所劣化的情况。若最大饱和功率仍过低,则可先检查Connector单体,做传导测试时,其Connector与天线弹片间,需呈现开路状态,否则输出功率会泄漏一部分至天线弹片,导致仪器量测到的功率始终偏低。25另外,虽然饱和PA所产生的带外噪声,比

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