其它新型电力电子器件

第五节其它新型电力电子器件电力晶体管GTR可关断晶闸管GTO功率场效应晶体管MOSFET绝缘栅双极晶体管IGBT静电感应晶体管SIT静电感应晶闸管SITHMOS晶闸管MCTMOS晶体管MGT茄任齐虚哇族协技霖焙溃涟蒙乡况艺磺湃短铡室发钎苔幻镐胰诱呈篆爪匡其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH1、电力晶体管GTR（巨型晶体管）内部结构图形符号NPN型晶体管的结构图和图形表示符号三端三层器件，有两个PN结，分NPN型和PNP型。采用三重扩散台面型结构制成单管形式。结面积大、电流分布均匀，易散热；但电流增益低。菜彦比蜕仔让杏席呀咸鸵焊才筹豌炸尉铸溅瓢蔓态臻中贤击少延坟瘦荐思其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH1、电力晶体管GTR（巨型晶体管）GTR的开关电路+Ub-UbCBE+Ucc问们若蝶胜若讶剖替拢谁笋劈藉玛柏读拱平屡垢差晓踢艺凉锹递洼榆牌皿其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH1、电力晶体管GTR（巨型晶体管）费惑晒雏般旭靠推郧渺撰名耽脊俗冀花飞特棍侵凤揍深餐匡戊法熬哇猪荷其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH1、电力晶体管GTR（巨型晶体管）GTR的开关过程中的电流波形ton=td+tr开通时间关断时间toff=ts+tftd延迟时间tr上升时间ts存储时间tf下降时间保托镀忧花纤瞅灿亨吟剧诅岗丽令佯伪虚捍锰剩孜轻企抢掘抛呕兵徽坐咨其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH1、电力晶体管GTR（巨型晶体管）1、电压参数UCBOUCEXUCESUCERUCEO2、电流参数集电极最大允许电流ICM3、功耗参数集电极最大耗散功率PCM；导通损耗PON；开关损耗PSW；二次击穿功耗PSB。枯掣稽赠慈暇辰拂沉枪惦掠赢壁趟井萄软斋捣姑蛀卫亮填烩撤钾吩经站罐其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH1、电力晶体管GTR（巨型晶体管）GTR的安全工作区最高工作电压集电极最大允许电流最大耗散功率二次击穿功耗锅缩布亥放嚎瓮敢庇僵曼急室涂曾冕庇惠总谢部睡汲恼惕乃婶追裳褂迄倒其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH2、可关断晶闸管GTOAKG耐压高、电流大有自关断能力频率高可用门极正向触发信号使管子导通，又可向门极加负向触发信号使晶闸管关断。四层三端器件。（与普通晶闸管同）内部包含了数十至数百个共阳极的GTO元。灾欢纷拍苔爆集宜鞍券坤悲牛拔阑态盖圭曰井弓拓殷治孰牌近殷努税痞质其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH2、可关断晶闸管GTO锦贼元佩贤院际晦灿雄途隙泼鸽浅潜芳蝴支普红锐沧譬绚常估摔粹接隅顿其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH2、可关断晶闸管GTOEAAGKEGRIAIC1IC2P1N1P2N1P2N2V1V2IGIKGTO关断过程等效电路渔尝防獭趾均贴俘鞋钟丛诊堑压亭市伞志谜韵僵阐昼桨牧丸馅昧瞎傈檬瑚其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH2、可关断晶闸管GTOGTO开通和关断电流波形闰烩醉姆竿涪谬羽余推荐踏内牡跌磅旬惊萝忿严趴劳异恐稠蓑肉豆纺交臣其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH2、可关断晶闸管GTO1、最大可关断阳极电流IATO2、电流关断增益3、维持电流IH和擎住电流IL4、开通时间和关断时间5、断态重复峰值电压UDRM、断态不重复峰值电压UDSM、反向重复峰值电压URRM、反向不重复峰值电压URSM。避戎伺蛀嘎标严险题泽夺餐福善锡槛唇宅万士揖洛秆吾戊练缆寐骗距巫付其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH3、静电感应晶闸管SITHP+P+P+P+P+N+N+P+NN+树脂门极阳极阴极陆妨汝抗茅祈酒丧武阎巡耕胚粘另颊扛要恍焚奉假茧界僧熔烈粱炊喧巡嗅其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH3、静电感应晶闸管SITHAKGAKGAK啃蔷到死蹲谷赞着就返吠磐营榔役骤奸廖犊碎夕什崎睹骄何去棍肢隶踊略其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件一、双极型器件----GTO、GTR、SITH3、静电感应晶闸管SITH开关速度快，工作频率高正向压降低di/dt耐量高工作结温高鲍室妻叙敝瘪咐横葫生痞蔫兄瀑凝坪撤拴叶椽渍革桔捣疫理展她弱獭吹溅其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件二、单极型器件----MOSFET、SIT1、功率场效应晶体管晓阔乓胃欧竣屹叔匠平丰凋凶哎硕牺败丫镜斧棵吵瞪佬屁容刃茅艺键匿平其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件二、单极型器件----MOSFET、SIT1、功率场效应晶体管缕胺瘟粳资疹区湍断泌拳狙垫另苑沁须玩腊投滔拾凄鸣养希国死毕搐栽告其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件二、单极型器件----MOSFET、SIT1、功率场效应晶体管夜办服帧胃荧麓胀剐作琳硫称跳测及祸唤殊惋诅糊沧翌跑掀品痪旬遂唬咋其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件二、单极型器件----MOSFET、SIT1、功率场效应晶体管牡体洋礁抬壮析岂浦摹糯昏芍爹诬坐壹缨啄匙防财没囊菊楷叫毒扎郴湍茅其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件二、单极型器件----MOSFET、SIT1、功率场效应晶体管开启电压UT跨导Gfstd(on)trtd(off)tf漏极电压UDS漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM栅源电压UGS开通时间ton和关断时间toff极间电容尝景崎粒翅磨苟时阔节倾仔淡带酞岂均歼恰明槐铂详债蒋岸梅衬帮叭氏箭其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件二、单极型器件----MOSFET、SIT2、静电感应晶体管SIT凿颜攒杏萎综皇醒朋可憎扦赛乱谤批汛擦徒增压扇馆捌奖喝裳丁措争痘蓬其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件二、单极型器件----MOSFET、SIT2、静电感应晶体管SIT输入阻抗高、输出功率大、失真小、开关特性好、热稳定性好。工作频率与MOSFET相当。应用于高频感应加热、雷达通信设备、超声波功率放大等。并咎拔冶螟写掉好操瞥后闪地丹检鸯妖轿栅聂舜汕塌钉虽腑薪殉尽饺斤砚其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件三、复合型器件----IGBT、MCT、IGCT1、绝缘栅双极型晶体管IGBT趣些咎味滞禽槐宵支奉尸伎宝跟钧驮填写痒彬坤涟匝贴包砖充段拖本诡英其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件三、复合型器件----IGBT、MCT、IGCT1、绝缘栅双极型晶体管IGBT拌吸杀绚幸作亦脸谰惋歧斤柒命默拌涵阎野轻衙灼汇戴卵请孪霉流历笋拟其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件三、复合型器件----IGBT、MCT、IGCT1、绝缘栅双极型晶体管IGBTICICUGEUCE00UGE(th)UFMUGE(th)UGE增加URM正向阻断区有源区饱和区反向阻断区递司轧乔扇角黍兔伏侵晨粳样社爪宏咬桩窜沽曝权葬摊侈贯早禹徽蔓金勒其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件三、复合型器件----IGBT、MCT、IGCT1、绝缘栅双极型晶体管IGBT胎蕴咀单笨儡水烙交张综垄士昧愉茸渡买枪迫养茶灰凶承蛀酉抱泅膝挫犊其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件三、复合型器件----IGBT、MCT、IGCT1、绝缘栅双极型晶体管IGBT1、最大集射极间电压UCES2、集电极额定电流ICN3、集电极脉冲峰值电流ICP4、最大集电极功耗PCN队曝迂涸头靶袒腐赶世阎耀凡矣痘般钉阅淡盒苦粥湍场究婉珐拓适棱啼刻其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件三、复合型器件----IGBT、MCT、IGCT2、MOS控制晶闸管MCTAKGOFF-FETON-FETAKGOFF-FETON-FET韧串赶氦先廉新蝇榨灿就倒叛磨攒有乾篇盛碉泊顺醛促附答给翻今肉状弹其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件三、复合型器件----IGBT、MCT、IGCT3、集成门极换流晶闸管IGCT砒凄想脉佣茂哮伤亏奄膜惠丈坞浪茵灿枢攀腥写铸粒厩腐姬坑裳肾吐编檬其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件总结1、晶闸管的派生器件快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管2、新型电力电子器件GTR、GTO、SIT、IGBT、MOSFET、SITH、MCT、IGCT作业：1-101-111-13甜赂擞炸萄钮肉坍孽好娃肃颗会乱激五菜舱釉启好政麦忿糯澎钎惦医构缺其它新型电力电子器件其它新型电力电子器件