EEPROM-读写逻辑

EEPROM的读写逻辑一：对EEPROM的读和写1，ReadEEPROMlogic读EEPROM的数据和一般读flash数据没什么区别，DZ128有两页EEPROM空间；都共用地址0x3C00~0x3FFF；通过设定寄存器来选择cpu操作第一页或者第二页。读EEPROM函数：INT8UsEepromRead(INT16UwAddr,INT16UwLength,INT8U*pbBuffer)wAddr：读取EEPROM的首地址；wLength：读取数据长度pbBuffer：保存数据的首地址2，WriteEEPROMlogic写EEPROM函数：INT8UsEepromWrite(INT16UwAddr,INT16UwLength,INT8U*pbBuffer)wAddr：写进EEPROM首地址（只是作为一个判定的作用，代码里面都是从0开始写）wLength：数据长度pbBuffer：数据源地址向EEPROM写数据的流程如下：二，ICM对EEPROM的处理逻辑EEPROM用来保存一些掉电不会消失的数据，如一些校正参数等；ICM对EEPROM进行操作的基本逻辑是：当机器启动时，将EEPROM的相关参数保存至MCU的内部RAM中，如果发生错误则将默认值作为参考值使用，当机器掉电后将RAM中的对应参数保存到EEPROM中去。1，初始化时读EEPROM数据；当机器刚开机时，MCU会将EEPROM的信息保存到MCU的内部RAM中去；当以下条件有一个发生错误则MCU将会认为EEPROM发生错误，会将默认值作为EEPROM的参数值来被MCU引用，并且在断电前将对应参数写进EEPROM中；A，读取的数据长度参数错误B，Checksum错误注：问题这样的逻辑是有问题存在的，例如，如果发生了EEPROM的读写错误，机器将会默认值写到EEPROM中去，但是这参数不是校正后的数值，因此需要再次校正才能保证机器的工作精度；所以应该将校正后的参数值作为机器的默认值较为合理。2，掉电后向EEPROM写数据a),断电触发信号会触发MCU将RAM中的对应数据写到EEPROM中，最后两个字节为checksum数据。如上图，当+12V电压掉至10V一下后，PWR-GD会发生翻转，触发MCU中断后，MCU会将电源掉电标识位置起来；50ms任务sOutputLoadJob会将RAM中的相关信息保存到EEPROM中去；为此+12V电源掉电后，为了保证能够有足够的时间来将信息写到EEPROM中去，MCU至少还需持续工作一段时间T；T=T1+T2；T1=50ms，T2为将信息写到EEPROM的时间为148ms；为此从有保存EEPROM的触发信号到MCU断电持续的时间必须大于200ms；现在的做法是在MCU的VDD端加一个3300UF的电容来支持MCU工作；如下图对EEPROM写的时间和MCU断电时间作了一些测试：1，EEPROM的erase时间；对EEPROM有两种erase的方式，分别为sector和Masserase；Sectorerase有4bytes和8bytes两种方式，每次erase的时间约为20msMasserase是全部erase；时间为100ms左右；我们现在采用的是Masserase的方式；2，EEPROM的program时间；对与EEPROM有两种program方式，分别为Byteprogram和Burstprogram；Byteprogram：时间为9个FCLK；1个字节Burstprogram：时间为4个FCLK；32个字节我们现在采用的是Byteprogram方式测试方案：用一个管脚输出测试信号，来测试对EEPROM的erase和program所用的时间；对EEPROM进行写操作的逻辑是：先erase，后program；测试信号逻辑：开始为低电平，开始进入EEPROM函数时将其置高，开始进入ERASE时将其置低，开始PROGRAM时将其置高，完成对EEPROM写操作时将其置低；波形如CH3：MCUVDD信号；CH4：测试信号如右图所示：完成整个EEPROMsave的时间为148.6ms如右图所示：完成整个EEPROMprogram的时间为42.9ms如右图所示：完成整个EEPROMerase的时间为103.1ms如右图，VDD从EEPROMSAVE开始到VDD降至2.56V的时间：233.9ms用测试信号来侦测VDD电压降至多少伏后才停止工作；测试方式：用一个timer来输出一个PWM信号；通过观察PWM输出信号和VDD电压来得到需要的信息；测试结果：一般情况下，VDD降至1.6V后PWM波形消失；从5V降至1.6V的时间为464.2ms测试结果：按目前的硬件条件，保存EEPROM的时间是够的。