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第1页共6页显存记忆体培训资料一、目前用在显卡上的显存封装一般有两种：1、TSOP即薄型小尺寸封装。它的周围有很多引脚。2、BGA即球栅阵列封装。二、显存的三个重要参数：1、容量：显存容量也叫显示内存容量，是的显示内存的大小。担负着系统与显卡之间数据交换及显示芯片运行3D图形时的数据缓存。一般我们采用兆（MB）做单位。2、时钟周期和工作频率：它是指显存每处理一次数据要经过的时间。时钟周期以纳秒（ns）为单位,一般用T表示。工作频率以MHz为单位,一般用F表示。它们的关系为：工作频率=1÷时钟周期x1000；显存的时钟周期一般标在显存编号的最后。3、显存位宽：一般是指显存与外部进行数据交换的接口位宽，也可以说是数据进出通道的大小。用位（bit）表示。三、显卡的三个参数只要计算公式：1、显卡的容量（MB）=单颗显存的容量x显存颗粒数量2、显卡的位宽（bit）=单颗显存的位宽x显存颗粒数量3、显卡的工作频率（MHz）=单颗显存的工作频率制作：审核：第2页共6页HY显存的认识方法规格封装显存型号显存容量显存位宽显存频率DDR14Mx16TSOP66PINHYNIXHY5DV641622AF-464MBits=8MB16bit250MHZDDR18Mx16TSOP66PINHYNIXHY5DU281622ET-4128MBits=16MB16bit250MHZDDR116Mx16TSOP66PINHYNIXHY5DU561622CT-4256MBits=32MB16bit250MHZDDR216Mx16BGA84PINHYNIXHY5PS561621AFP-28256MBits=32MB16bit350MHZDDR232Mx16BGA84PINHYNIXHY5PS121621CFP-25512MBits=64MB16bit400MHZDDR264Mx16BGA84PINHYNIXHY5PS1G1631CFP-251GBits=128MB16bit400MHZDDR38Mx32BGA136PIN或144PINHYNIXHY5RS573225AFP-2256MBits=32MB32bit500MHZDDR316Mx32BGA136PINHYNIXHY5RS123235BFP-14512MBits=64MB32bit700MHZDDR316Mx32BGA136PINHYNIXH5RS5223CFR-N0C512MBits=64MB32bit1000MHZ例：HYNIXHY5RS123235BFP-14，对应的显卡编号5RHY:HYNIXMEMORYH:HYNIXMEMORY5R表示RAM的模式5D:DDRSDRAM5P:DDR2SDRAM5R:DDR3SDRAM5F:DDR4SDRAM5G:DDR5SDRAMS表示RAM的工作电压V:VDD=3.3V,VDDQ=2.5VU:VDD=2.5V,VDDQ=2.5VW:VDD=2.5V,VDDQ=1.8VS:VDD=1.8V,VDDQ=1.8VC:VDD=1.5V,VDDQ=1.5V12表示RAM的容量64.66表示:8M28表示:16M25.26.27.56.57表示:32M11.12.51.52.53表示:64M1G,1H表示:128M2G表示:256M32表示RAM的位宽16表示:16bit32表示:32bit3表示RAM的BANK1表示：2Banks2表示：4Banks3表示：8Banksks5表示RAM的界面1：SSTL_182：SSTL_23：Reserved4：Reserved5:POD_186:POD_15B表示RAM的生产年代(即核心)A表示:第二代B表示:第三代C表示:第四代D表示:第五代F表示RAM的封装T:TSOPIIQ:表示LQFPF:FBGA(WireBond)FS:FBGA(Smallerpkgdimension)FM:DDPFBGAFC:FBGA(Flipchip)PRAM的封装材料P:Leadfree(rohs*compliant)R:Leadhalogenfree(rohs*compliant)14表示RAM的频率(即速度)1:表示1GHZ;1.1:表示900MHZ;1.2:表示800MHZ.;1.4:表示700MHZ.;1.6:表示600MHZ.;1.8:表示550MHZ2:表示500MHZ;2.2表示:450MHZ;2.5:表示400MHZ;2.8:表示350MHZ;4:表示250MHZ;5:表示:200MHZ;6:表示:166MHZ.;N0:表示1GHZ,;N1:表示1.1GHZ;N2:表示1.2GHZ;N3:表示1.3MHZ;N4:表示1.4GHZ;N5表示:1.6GHZ;;K:表示133MHZ:J表示:166MHZ;H:表示:133MHZ第3页共6页显存的认识方法规格封装显存型号显存容量显存位宽显存频率DDR14Mx16TSOP66PINSAMSUNGK4D64163HF-TC4064MBits=8MB16bit250MHZDDR18Mx16TSOP66PINSAMSUNGK4D261638I-TC40128MBits=16MB16bit250MHZDDR116Mx16TSOP66PINSAMSUNGK4D551638F-TC40256MBits=32MB16bit250MHZDDR216Mx16BGA84PINSAMSUNGK4N56163QF-GC2A256MBits=32MB16bit350MHZDDR232Mx16BGA84PINSAMSUNGK4N51163QC-ZC25512MBits=64MB16bit400MHZDDR264Mx16BGA84PINSAMSUNGK4N1G164QQ-HC201024MBits=128MB16bit500MHZDDR264Mx16BGA84PINSAMSUNGK4N1G164QE-HC201024MBits=128MB16bit500MHZDDR38Mx32BGA136PIN或144PINSAMSUNGK4J55323QG-BC14256MBits=32MB32bit700MHZDDR316M×32BGA136PINSAMSUNGK4J52324QE-BC14512MBits=64MB32bit700MHZDDR316M×32BGA136PINSAMSUNGK4J52324QE-BJ1A512MBits=64MB32bit1000MHZDDR316M×32BGA136PINSAMSUNGK4J52324QH-HJ1A512MBits=64MB32bit1000MHZDDR332M×32BGA136PINSAMSUNGK4J10324QD-HL141024MBits=128MB32bit700MHZDDR332M×32BGA136PINSAMSUNGK4J10324QD-HC121024MBis=128MB32bit800MHZDDR416M×32BGA136PINSAMSUNGK4U52324QE-BC07512MBits=64MB32bit32bit1400MHZDDR516M×32BGA170PINSAMSUNGK4G52324FG-HC04512MBis=64MB2500MHZ例：SAMSUNGK4J52324QE-BJ1A对应的显存编号办表示SAMSUNGMEMORYK4表示DRAMJ表示RAM的模式N:gDDR2SDRAMW:gDDR3SDRAMJ:GDDR3SDRAMU:GDDR4SDRAMG:GDDR5SDRAM52表示RAM的容量62,63,64,65,66,67:表示8MB26,27,28,2A表示:16MB54,55,56,57,58,5A表示:32MB50,51,52表示:64MB10,1G表示128MB32表示RAM的位宽16:表示16bit32:表示32bit64:表示64bit4表示RAMBANKS1:1Banks2:2Banks3:4Banks4:8BanksQ表示RAM的工作电压X、Q、K、5表示：VDD=1.8VVDDQ=1.8V4、8、9、Y:表示：VDD=2.5VVDDQ=2.5V7、H表示：VDD=3.3VVDDQ=2.5V6、N、F表示：VDD=1.5VVDDQ=1.5VE表示RAM的生产年代（即核心）M：第一代A：第二代B：第三代C：第四代D：第五带E：第六代F：第七代G：第八代H：第九代I：第十代Q：第十七代Z：第二十六代B表示RAM的封装Z:84FBGA(LeadFree)A:136FBGA(Leaded)B:136FBGA(LeadFree)H:FBGAE:FBGAT：表示TSOP（有铅）封装L：表示TSOP（无铅）封装J表示RAM的temperaturepower(vdd)C:commercialnormalJ:commercialhighL:commerciallow1A表示RAM的频率（即速度）4表示：250MHZ2表示：500MHZ5表示：200MHZ33表示：330MHZ2A表示：350MHZ14表示：700MHZ12表示：800MHZ11表示：900MHZ1A表示：1000MHZ5C表示：1.8GHZ6A表示：1.5GHZ7A表示：1.4GHZ第4页共6页显存的认识方法规格封装显存型号显存容量显存位宽显存频率DDR116Mx16TSOP66PINQIMONDAHYB25D256163CE-4.0256MBits=32MB16bit250MHZDDR216Mx16BGA84PINQIMONDAHYB18T256161AF-25256MBits=32MB16bit400MHZDDR232Mx16BGA84PINQIMONDAHYB18T512161B2F-25512MBits=64MB16bit400MHZDDR264Mx16BGA84PINQIMONDAHYB18TC1G160C2F-201024MBits=128MB16bit500MHZDDR316Mx32BGA136PINQIMONDAHYB18H512321BF-14512MBits=64MB32bit700MHZDDR38Mx32BGA136PINQIMONDAHYB18H256321AF-14256MBits=32MB32bit700MHZDDR332Mx32BGA136PINQIMONDAHYB18H1G321AF-111024MBits=128MB32bit900MHZ例:Qimonda(Infineon)HYB18H512321BF-10对应的显存编号10QIMONDARAM编号的开头表示RAM电压18表示:VDD=VDDQ=1.8V25表示:VDD=VDDQ=2.5V39表示:VDD=VDDQ=3.3V表示RAM结构T表示:DDR2D表示:DDR1H表示:DDR3注：T也表示DDR3144Pin的RAM表示RAM的容量256表示:32MB128表示:16MB64表示:8MB512表示:64MB1G表示：128MB表示RAM封装T、E表示：TSOPC、F表示：FBGA表示显存DIE版(即RAM核心版本)A:表示A核心B：表示B核心表示RAM速度10表示：1GHZ12表示：800MHZ16表示：600MHZ2表示：500MHZ25表示：400MHZ33表示：300MHZ4表示：250MHZ11表示：900MHZ14表示：700MHZ18表示：550MHZ22表示：450MHZ28表示：350MHZ36表示：275MHZ5表示：200MHZ6表示：166MHZJ表示：166MHZK表示：133MHZH表示：133MHZHYB18H51232B1F表示RAM位宽16表示:16bit32表示:32bit表示RAM的Revision第5页共6页NVIDIABGA标识1、G73-VZ-N-A2或B1GF7300GTG73-VZ：表示GF7300GTN：表示无铅A2或B1：表示芯片版本2、G73-VZ-H-N-A2或B1GF7300GTG73-VZ：表示GF7300GTH：表示