K9F1G08X0A中文翻译文档

K9F1G08X0A中文翻译文档本文主要是翻译给NANDflash初学者且看到电子方面英语就有点头痛的人们看的，其实内容并不复杂，如果有什么问题，可以邮件交流（就这篇文档内容），交流之后才能互相提高。我是硬件工程师，交流的层面最好是在硬件方面，当然有软件方面的问题，我也非常乐意学习。本来是希望翻译一篇MLC的NANDflash的文档，因为考虑到目前MLC才是NANDflash发展的重点，但是基于已经把这篇文档翻译了很多了，所以就不想再放弃它了。再说MLC和SLC大部分操作什么的都类似，只是参数和校验等一些地方不同，因此也就作罢。免骂（责）和其它声明：1、我尽可能的将英语按照意译的方式进行翻译，但是科技英语有的时候还真不是那么好意译，所以有的地方看起来就会像是在看英语一样，感觉有些拗口，希望看到这些地方的时候请您不要骂我，就算是在心里面的也不要。2、还有，基于某些地方，我觉得外国人也写的很不畅，所以翻译过来也似乎感觉好像那里也会有问题，这种地方若被您发现，请您也不要骂我，同前面。3、希望不会误人子弟。4、版权所有，未经允许不得转载。上海渐华科技发展有限公司李文荣[e-mail]文件使用pdfFactory试用版本创建×8Bit/256M×8BitNANDFlashMemory产品清单PartNumberVccRangeOrganizationPKGTypeK9F1G08R0A-J1.65~1.95VFBGAK9F1G08U0A-PTSOP1K9F1G08U0A-FWSOP1K9F1G08U0A-JFBGAK9F2G08U1A-I2.7V～3.6V×852-ULGA特征●供电电压：2.7V～3.6V●快速写周期时间-1.8V器件（K9F1G08R0A）：1.65~1.95V-编程时间：200us（典型值）-3.3V器件（K9F1G08U0A）：2.7V～3.6V-块插除时间：2ms（典型值）●架构●命令/地址/数据复用输入/输出端口-存储器单元阵列：（128M＋4,096K）bit×8bit●数据硬件保护-数据寄存器：（2K＋64）bit×8bit-电源变换期间切断编程/插除-高速缓冲寄存器：（2K＋64）bit×8bit●可靠地CMOS浮置栅极技术●自动编程和插除-持续：100K编程/插除周期-页编程：（2K＋64）Byte-数据保持：10年-块插除：（128K＋4K）Byte●命令寄存器操作●页读操作●完美编程表现的高速缓冲编程操作-页大小：2K-Byte●智能Copy-Back操作-随机读：25us（Max）●惟一的ID版权保护-顺序访问：35ns（Min）-3.3V器件50ns（Min）-1.8V器件●封装：-K9F1G08X0A-JCB0/JIB063-BallFBGA(9.5×12)-Pb-free封装-K9F1G08U0A-PCB0/PIB048-pinTSOP1(12×20/0.5mm间距)Pb-free封装-K9F1G08U0A-FIB048-pinWSOP1(12×17×0.7mm)Pb-free封装*K9F1G08U0A-F(WSOPI)和K9F1G08U0A-F(TSOPI)是相同器件，只是封装不同-K9K2G08U1A-ICB0/IIB052-ULGA（12×17×0.65mm）综述128M×8bit的K9F1G08X0A是一个1Gbit并带备用的32Mbit容量的存储器。它的NAND单元为固态大容量市场提供最节省-高效解决方案。一个编程操作可在200us内在2112字节的页上执行，而擦除操作可在2ms内在128K字节的块内执行。在数据页上的数据可在30ns（1.8V器件50ns）内读出一个字节。I/O引脚可作为地址和数据输入输出以及命令输入。在线写控制器自动操作所有编程和擦除功能，包括脉冲重复，和内部校验及数据余量。写密集型系统通过提供带实时映射算法的ECC，可利用K9F1G08X0A的扩展的可靠性的100k编程/擦除周期。K9F1G08X0A是大容量非易失性存储应用如固态文件存储和其它要求非易失性的便携应用的最佳解决方案。PDF文件使用pdfFactory试用版本创建~I/O7数据输入/输出这些I/O引脚用来输入命令，地址和数据，以及通过读操作输出数据。当芯片未被选择时，这些I/O引脚浮置成高阻态，输出无效CLE命令锁存使能CLE控制命令输入到命令寄存器中。当CLE为高时，在/WE信号的上升沿，命令通过I/O口锁存到命令寄存器中。ALE地址锁存使能ALE控制地址输入到内部地址寄存器中。当ALE为高时，在/WE信号的上升沿，命令通过I/O口锁存到命令寄存器中。/CE芯片使能信号片选信号控制芯片是否被选中。当芯片处于忙状态，/CE为高被忽略，并且芯片不会回到standby状态。/RE读使能/RE为串行数据输出控制，当它处在活动状态时，则数据驱动至I/O总线上。数据在/RE的下降沿过后tREA时间后有效，并且内部列地址计数器自动加1。/WE写使能/WE控制向I/O口写入。命令，地址和数据在/WE的上升沿锁存。/WP写保护/WP引脚在电源切换期间提供无意的写/擦除保护。当/WP为低时，内置高电压发生器复位。R/B准备/忙输出R/B输出指示器件操作的状态。当为低时，它指示一个编程，擦除会随机读操作正在进行，并在完成后返回一个高状态。它是一个开路集电极输出，当器件未被选择或输出无效时，它并不会浮置成高阻态。Vcc电源VCC是器件的电源供应。Vss地N.C未连接引线内部未连接备注：连接每个器件的Vcc和Vss到公共电源输出。不要让Vcc和Vss悬空。PDF文件使用pdfFactory试用版本创建备注：列地址：寄存器的开始地址*L必须设置为“低”。*器件会忽略任何多于其要求的输入地址。PDF文件使用pdfFactory试用版本创建（1,107,296,256bit）存储器，由65,536行（页）乘2112×8列组成。多于的64列地址为2048到2111。一个2112字节数据寄存器和一个2112字节高速缓冲寄存器各自串接在一起。这些串接的寄存器连接到存储器单元，方便在I/O缓冲器和存储器单元之间在页读操作和页编程操作时交换数据。该存储器阵列是由32个串连的单元组成的一个NAND结构。每32个单元存在不同的页里。一个块存储区由两个NAND结构串组成。一个NAND结构包含32个单元。总共1081344个NAND单元存在一个块内。编程和读操作都是基于页执行的，擦除操作则是基于块执行的。该存储器由1024个分离的可擦除的128K字节的块组成。它表示位擦除操作在K9F1G08XOA是不允许的。K9F1G08X0A地址复用到8个I/O口。这个方案引人注目的减少了引脚数目，以及允许系统在线升级更大容量密度时保持连贯性。命令，地址和数据在/CE为低时，拉低/WE，通过I/O端口写入，它们在/WE的上升沿时被锁存住。命令锁存使能（CLE）和地址锁存使能（ALE）是命令和地址，通过I/O口用来作各自的复用。有些命令要求一个总线周期。例如，复位命令，状态读命令等等，仅要求一个周期总线。一些其它的命令，如页读、块擦除和页编程，要求两个周期：一个周期用来建立，另一个用来执行。这132M物理空间需要28个地址，因此需要4个周期用来寻址：2个周期用来作列地址，2个周期作行地址。页读和页编程需要相同的4个地址周期，在要求的命令输入之后。然而，在块擦除操作中，仅2个行地址需要用到。器件的操作是通过进入到命令寄存器中的规定的指令选择的。表1定义了K9F1G08X0A的规定的指令。器件在每个块存储区中提供高速缓冲编程。在高速缓冲编程模式下，当数据存储在数据寄存器准备被编程时，可将数据写入到高速缓冲寄存器。当有很多页数据准备编程时，通过高速缓冲编程模式，编程性能也许会得到引人注目的提高。除增强型的体系结构和接口外，器件具有copy-back编程特征，能将一页数据拷到另一页上，而无需和外部缓冲存储器之间传输数据。自从这个耗费时间的连续访问和数据输入周期不再需要了，作为固态磁盘应用的系统表现明显增强了。表1.命令设置功能第一个周期第二个周期忙期间可得的命令读00h30h读用作copy-back00h35h读ID90h－复位FFh－O页编程80h10h高速缓冲编程*280h15hcopy-back编程85h10h块擦除60hD0h随机输入数据*185h－随机输出数据*105hE0h读状态70hO备注：1.随机输入/输出数据可在页里面执行。2.高速缓冲编程和copy-back编程仅支持3.3V期间。注意：除表1之外的任何未定义的命令输入都被禁止。PDF文件使用pdfFactory试用版本创建到+2.45-0.6到+4.6参考于VSS的任何引脚的电压VCC-0.2到+2.45-0.6到+4.6VK9F1G08X0A-XCB0-10to+125偏置上的温度K9F1G08X0A-XIB0TBIAS-40to+125℃K9F1G08X0A-XCB0储存温度K9F1G08X0A-XIB0TSTG-65to+125℃短路电流IOS5mA备注：1.I/O口上的最低DC电压为-0.6V。在跳变时，该电平可能会有一个持续不过30ns的最大-2.0V的过冲。I/O口上的最大DC电压为VCC＋0.3V。在跳变时，该电平可能会有一个持续不过20ns的最大为VCC＋2.0V的过冲。2.假如参数超过上述绝对最大标称值，器件可能会产生永久性的损坏。功能操作必须限制在这篇规格书内的操作部分所阐述的条件之内。长期地在绝对最大标称值条件下工作也可能会影响器件的可靠性。推荐工作条件（电压参考于地，K9F1G08X0A-XCB0：TA=0to70℃,K9F1G08X0A-XIB0：TA=-40to85℃）K9F1G08R0A（1.8V）K9F1G08U0A（3.3V）参数符号MinTyp.MaxMinTyp.Max单位VCC1.651.81.952.73.33.6V供电电压供电电压VSS0000000VDC和工作特性（推荐工作条件，除非另有提出）备注：VIL在跳变过程中可能会有20ns内的-0.4V的下冲和VCC+0.4V的上冲。PDF文件使用pdfFactory试用版本创建有效块存储区备注：1、K9F1G08X0A在第一次装载时可能会有一些坏块。附加的坏块可能会在使用时开发。有效的块数量基于坏块的确认而确认。无效的块指的是包含一个或多个坏的位的块。不能对标签了的坏块进行擦除或编程。参考附加的技术笔记来对坏块进行适当的管理。2、第一个块，地址00h，是一个有效块，无需对其进行1k编程/擦除周期的错误校验。*：在K9K2G08U1A里的每一片K9F1G08U0A最多会有20个坏块。AC测试条件（K9F1G08X0A-XCB0：TA=0to70℃,K9F1G08X0A-XIB0：TA=-40to85℃K9F1G08R0A：VCC=1.65~1.95V,K9F1G