AlInGaN薄膜及GaN基DBR的生长和特性研究

厦门大学硕士学位论文AlInGaN薄膜及GaN基DBR的生长和特性研究姓名：尚景智申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：张保平20090501AlInGaN薄膜及GaN基DBR的生长和特性研究作者：尚景智学位授予单位：厦门大学相似文献(10条)1.期刊论文徐甦.周明华.张兴旺.雷乐成金属有机物化学气相沉积法制备负载型纳米TiO2光催化剂及性能评价-高校化学工程学报2005,19(1)纳米粉末TiO2是有效的光催化剂,但存在回收困难、分散性差、颗粒易团聚等问题,极大地限制了其在废水处理中的实际应用.为解决上述问题,采用常压金属有机物化学气相沉积技术在活性炭表面沉积构成纳米TiO2固定化非均相光催化剂.XRD图谱表明煅烧温度为773K时负载的TiO2晶型结构为锐钛矿,873K时出现金红石相.TEM分析表明负载量为8%(wt)时负载的TiO2颗粒的粒径为10～20nm;载体负载前后BET面积减少仅为6%.以对氯苯酚(4-CP)为污染物进行了光催化降解实验,结果表明制备的负载型TiO2的光催化活性不仅接近商业粉末光催化剂P25,而且可以重复使用10次其光催化活性保持不变,显示了较好的废水处理应用前景.2.学位论文王文涛金属有机物化学气相沉积反应腔建模与仿真2008金属有机物化学气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，简称MOCVD)是制备半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种技术。该技术广泛应用于基于氮化鎵的异质结发光二极管、激光器件、高功率芯片和太阳能电池等领域。其中MOCVD反应腔的设计是保证薄膜材料的质量、厚度均匀性的关键因素。本文首先简要的介绍了国内外MOCVD反应腔的研究现状，阐述了MOCVD系统的组成以及分类，结合两种典型的垂直式和水平式反应腔体的特点，提出了一种具有自主知识产权的MOCVD分布缓冲式反应腔体结构。其次，在基本的流体力学和传热学理论基础上，结合MOCVD的气相化学反应和表面化学反应机制，建立了一个多物理场耦合模型来描述MOCVD反应腔体内的物理化学现象，采用有限体积法对建立的模型进行数值求解，并根据文献试验数据对所建立的模型进行了验证。最后采用建立的MOCVD反应腔数值模型，对自行设计的MOCVD分布缓冲式反应腔体进行模拟分析。依据腔体结构的特点，建立轴对称的模型，通过商业软件采用有限体积法对反应腔体内的流动、传热、物质输运和化学反应等多物理耦合场进行分析，通过模拟的方式直接得出反应室内薄膜的生长率。通过改变其中腔体的几何参数，生长工艺条件对这种分布缓冲式反应腔体进行优化设计，分析设计了几处跟反应腔有关的冷却设计。利用数值模拟的方法对设计进行分析，缩短了设计周期，降低了设计成本。3.期刊论文杨文彬.张立同.成来飞.华云峰.张钧.YangWenbin.ZhangLitong.ChengLaifei.HuaYunfeng.ZhangJun金属有机物化学气相沉积法制备铱涂层的形貌与结构分析-稀有金属材料与工程2006,35(3)采用金属有机物化学气相沉积法,在不通入活性气体的条件下,研究了三乙酰丙酮铱先驱体挥发温度对铱涂层显微结构的影响.在500℃的金属铌和陶瓷石英基片上制备出亮银白色的多晶相铱涂层.分析表明:铌和石英基片上沉积的铱涂层均由两层不同结构的薄膜构成,220℃挥发先驱体沉积出由纳米级颗粒疏松堆积构成的涂层,185℃挥发先驱体沉积出致密的涂层.铱涂层表面光滑均匀,无明显缺陷.4.期刊论文戴邵康.于淼.陶伯万.高磊.DaiShaokang.YuMiao.TaoBowan.GaoLei金属有机物化学气相法制备YBCO超导薄膜研究-低温与超导2010,38(3)运用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD),在LaAlO_3(LAO)单晶上沉积YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)超导薄膜.通过使用优化的进液装置,使金属有机源连续、稳定地输送至蒸发皿进行闪蒸.通过优化总气压、氧分压等生长条件,获得高质量的YBCO薄膜.在固定的温度条件下,调节反应总气压和氧分压,在总压为380Pa,氧分压为180Pa获得YBCO薄膜临界电流密度J_c=0.6MA/cm~2.随着氧分压增大,YBCO薄膜产生a轴取向,(005)峰向左偏移,且薄膜中的Cu/Ba由1.0变化至1.63.在Cu/Ba=1.48时,YBCO薄膜结构与性能较优.5.期刊论文刘世良.赵立峰.彭冬生.谢长生金属有机物化学气相沉积法沉积镍膜的影响因素-材料保护2004,37(6)为了获得高速沉积镍膜的工艺参数,以羰基镍[Ni(CO)4]为前驱体,用金属有机物化学气相沉积法进行试验,以SEM,DSC,XRD测试分析技术探讨了载气、温度和羰基镍的摩尔分数对沉积速率的影响;也探讨了温度及羰基镍的摩尔分数对镍膜微观形貌的影响.结果表明,以氩气为载气比氦气为载气更容易获得高沉积速率;在沉积温度为150℃左右可获得沉积速率较快、微观形貌较好的薄膜;随羰基镍摩尔分数的增加,沉积速率也明显增大,同时薄膜的微观形貌也变得较为粗大,但达到30%之后,沉积速率增速减缓.6.期刊论文李璠.王立.戴江南.蒲勇.方文卿.江风益.LiFan.WangLi.DaiJiangnan.PuYong.FangWenqing.JiangFengyi常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质-光学学报2006,26(10)采用常压金属有机物化学气相沉积技术(AP-MOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在c-Al2O3衬底上生长出了ZnO:H薄膜.用X射线双晶衍射和光致发光谱对ZnO:H薄膜的结晶性能和光学性质进行表征.结果表明,ZnO:H薄膜(002)和(102)面的Ω扫描半峰全宽分别为46.1mrad和81.4mrad,表明该薄膜具有良好的结晶性能;室温下,ZnO:H薄膜具有较强的紫外光发射(380nm),在低温10K光致发光谱中观测到位于3.3630eV处与氢相关的中性施主束缚激子峰(I4)及其位于3.331eV处的双电子卫星峰(TES).采用退火的方法,通过观测I4峰的强度变化,研究了氢在ZnO:H薄膜中的热稳定性.发现随着退火温度的升高,I4峰的强度逐渐减弱,表明在高温下退火,氢会从ZnO薄膜中逸出.7.期刊论文王雅芳.罗键.WANGYa-fang.LUOJianAlGaInP/GaInP多量子阱MOCVD外延片光学特性测试-厦门大学学报（自然科学版）2010,49(1)利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了不同周期的四元合金半导体材料AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)外延片,通过实验找到了在周期数和阱/垒宽度比等结构参数上生产AlGaInP/GaInPMQW的比较理想的结果.对常温下AlGaInP/GaInPMQW外延片的光学性质进行深入的分析和实验研究,发现当阱/垒宽度比a=0.56时,出光强度趋于饱和,当周期数目N=20时,FWHM减小到11.9nm,可在一定程度上达到改善MQW结构设计和提高材料生长质量的目的.8.会议论文石玉龙.彭红瑞.谢广文.谢雁金属有机物等离子化学汽相沉积Ti(CN)涂层及其应用19999.学位论文王晟MOCVD设备气体输运与加热控制系统设计2008随着半导体技术的不断发展，半导体材料得到了广泛的使用，尤其是宽禁带的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料在发光二极管、激光器、光探测器和大功率电子器件等方面都有着很好的应用前景。MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，金属有机物化学气相沉积)是用于生长Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体最主要的设备，但是国内目前对于它的研究还比较少，所以具有很大的研究价值。本论文在充分了解和研究了国内外主流的几款MOCVD系统的前提下，总结出MOCVD系统的结构特点和运行过程，提出了对MOCVD气路系统和加热系统进行控制的方法，全文主要从三个方面对MOCVD系统进行了研究：首先，对MOCVD的原理、MOCVD系统的结构以及MOCVD系统的运行过程进行了详细的研究，给出了本项目组设计的MOCVD系统整体结构，对系统的各组成部分和系统的运行过程进行了详细的介绍。其次，针对MOCVD系统气路部分的三个关键控制量：MO源钢瓶压力控制、Run管路和Vent管路的压差控制以及Run管路的气体补偿控制,提出了相应的控制方案。最后，对MOCVD系统温度控制的特点进行了分析，对比了感应加热和红外辐射加热的优缺点，提出以红外辐射加热的方式来对加热电炉进行设计，随后对加热电炉发热体材料和绝缘材料进行了选择，给出了加热电炉的整体结构设计方案，并对加热电炉水冷系统的结构进行了设计。10.期刊论文严晗.刘胜.甘志银.宋晓辉.徐静平.YANHan.LIUSheng.GANZhi-yin.SONGXiao-hui.XUJing-ping基于碳纳米管模板的氮化镓纳米线束合成-纳米技术与精密工程2009,7(3)通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束.对所生长的纳米结构进行了扫描电镜和X射线能谱分析,结果显示氮化镓纳米晶体可以与碳纳米管形成纳米线束状复合物.纳米线柬状复合物直径为100～200nm,长度为1.5～2.5μm,纳米线的两端呈现尖角状.由于氨气很容易吸附在碳纳米管表面.可知所获得的纳米结构的初始生长机制为碳纳米管的表面氮化.该研究也证明金属有机物化学气相沉积将是用于制造化合物纳米结构材料的一项有效的技术.本文链接：授权使用：太原理工大学(tylgIP)，授权号：6db2c803-1c5e-4035-ae07-9dc7012c1d19下载时间：2010年8月3日