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V1.0©2013率开关，要应用于小于15W的AC/DC反激式开关电源PL3326通过去除光耦以及级制电路，简化了充电器/适配器等传统的恒流/恒压的设，从而实高精度的电压和电流调节，调节波形如图1所示PL3326的复合模式的应用使得芯片能够实静态耗音频噪音高效率内置的频率可以很好的降芯片的EMI以及EMI滤波成本，而且高集成的率MOSFET能够降外部PCB的面积以及系统的成本PL3326时有多种保护能逐周期峰值电流检测压保护过压保护VDD钳过载保护等图1型的恒流/恒压波形管脚分布图管脚分布图管脚分布图管脚分布图PL3326高精度恒压高精度恒压高精度恒压高精度恒压/恒流恒流恒流恒流原边制原边制原边制原边制PWM率开关率开关率开关率开关要特点要特点要特点要特点•内置高集成度的率MOSFET•+/-5%恒压调节•全电压范围内实高精度电流调节•去除光耦和级制电路•内置高精度恒流调节的线电压补偿•内置变压器电感补偿•可编程的输线补偿•内置可高效率的自适应多模式PWM/PFM制•启电流•内置软启•内置前沿消•逐周期电流限制•压保护•内置短路保护以及输过压保护应用应用应用应用•手机/无绳电话充电器•数码相机充电器•小率电源适配器•消费类的备用电源DatasheetPL3326V1.0©2013是款恒流/恒压原边制的高性能离线反激式开关电源，外部仅需少量元件内部集成了包括率MOSFET以及原边制模块等高压率调节器PL3326适用于小于15W的AC/DC应用场合无需光耦以及级制电路就能实高精度的恒流/恒压能系统稳态时也无需额外的补偿电路，从而能够得到精准的电压/电流制传统的级调节方式相比，PL3326能够降系统元器件数量，PCB面积以及整个系统成本，且可以高系统的效率及稳定性PL3326复合模式的应用使得芯片能够实静态耗音频噪音高效率在恒流模式以及系统重载，芯片会工作在PFM模式，系统正常时，PL3326工作在PWM模式这种绿色模式会大大高系统的效率，时能够节省能耗PL3326有多种保护能以应系统的各种异常状态要包括限流保护压保护过压保护VDD钳等系统发生异常时，芯片将被保护，直到系统恢复正常状态PL3326供DIP8封装2特性特性特性特性内置高集成度的率MOSFET为/-5%恒压调节全电压范围内精准的恒流调节去除光耦和级恒流恒压制电路内置高精度恒流调节的线电压补偿内置变压器电感补偿可编程的输线补偿内置可高效率的自适应多模式PWM/PFM制启电流内置软启内置短路保护内置前沿消过流保护过压保护VDD钳保护压保护过载保护DatasheetPL3326V1.0©2013的管脚图如图所示:4管脚述管脚述管脚述管脚述管脚管脚管脚管脚述述述述VDD芯片电源输入COMP误差放大器输，用于路补偿FB通过电阻分压连接到辅绕组，该管脚用于检测输信号并调节芯片的恒流/恒压CS通过检测连接CS到地电阻的电压来反映原边电感电流DRAIN高压MOSFET的漏端，连接到变压器GND芯片地DatasheetPL3326V1.0©2013电压(1脚)VDD-0.3到VDDclampVCOMP输入(2脚)COMP-0.3到7VCS输入(4脚)CS-0.3到7VFB输入(3脚)FB-0.3到7V最大工作结温Tjmax150℃存储温度Tsto-55到150℃焊接温度(Solder典n其主10secs)Tlea260℃注释注释注释注释超过最大额定值可能损毁器件超过荐工作范围的芯片能特性能保证长时间工作于最大额定条件可能会影响器件的稳定性6荐工作条件荐工作条件荐工作条件荐工作条件参数参数参数参数最小最小最小最小最大最大最大最大单单单单工作温度-40为105℃7结构框图结构框图结构框图结构框图DatasheetPL3326V1.0©2013电气特性电气特性电气特性电气特性(无特殊说明，测试条件VDD=16V主TA=25℃）参参参参数数数数符号符号符号符号测试条件测试条件测试条件测试条件最小最小最小最小型型型型最大最大最大最大单单单单电源电压电源电压电源电压电源电压(VDD)启电流IDD_sdVDD=16V1.120uA工作电流IDD_opFB=2V主CS=0V主VDD=20V11.5mAVDD进入压阈值UVLO(ON)VDD降8.19.09.8VVDD退压阈值UVLO(OFF)VDD升13.514.515.5VVDD过压阈值OVPVDD升直到栅极关断2627.529VVDD齐纳穿电压VDD_zbIDD=10mA3032.535V频率频率频率频率(FOSC)IC最大频率Freq_Max556065KHz频率范围△f/Freq为/-5%电流检测电流检测电流检测电流检测(SENSE)导通LEB时间TLEB500ns过流阈值Vocp98010001020mV输入阻ZSENSE100Ko具m软启T_sst10ms恒流恒流恒流恒流////恒压制恒压制恒压制恒压制(CC/CV)EA的基准电压Vref_EA1.9822.02VEA的直流增益Ga典n70dB最大输线补偿电流I_COMP_MAXFB=2V主COMP=0V38uA采样端LEB时间SLEB2us率率率率MOSFETMOSFET漏源穿电压BVdss600V导通电阻RdsonStat典c主Id=0.5A/VGS=10V4.6ΏDatasheetPL3326V1.0©2013型应用型应用型应用型应用应用说明应用说明应用说明应用说明:PL3326小率的适配器/充电器应用供了很有效的解决方案，新颖的恒流/恒压制使得系统需要级反馈电路，并能实高精度的恒流/恒压输，从而满足更严格的能源损耗要求9.1启电流和工作电流启电流和工作电流启电流和工作电流启电流和工作电流PL3326有的启电流，因而可以采用大的启电阻以及小的VDD电容以降应用中的率损耗PL3326的工作电流小1mA，再特有的复合模式制，从而高了系统的效率，特是系统处于轻载条件9.2软启软启软启软启系统电，当VDD达到UVLO(OFF)主芯片开始工作，振荡频率及CS端的峰值电压会逐步增，因而会降外部元件在芯片启过程中的电压应力芯片每重启都伴着软启9.3恒压恒压恒压恒压/恒流调节恒流调节恒流调节恒流调节恒压/恒流的调节要是基于系统工作在DCM模式工作于DCM模式的反激式开关电源，可以通过辅绕组来采样输电压率管导通时，原边电流逐步增，率管关闭，原边电流传输到级，并形成级电流SpkIPpkSPSpkINNI•=(1)PpkI率管关闭的原边峰值电流通过级绕组和辅绕组之间的耦合，输电压可以式得到VNVNsVauxauxo∆−=•(2)auxV是辅绕组的电压，V∆是级极管的压降图2辅绕组电压波形DatasheetPL3326V1.0©2013基于内部的时序制，辅绕组的电压可以通过连接于辅绕组和FB之间的分压电阻采样得到在恒压工作模式中，内部误差放大器采样的电压进行调节，从而得到恒定的输电压在恒流工作模式中，管系统的输电压大小主芯片会保持输电流恒定9.4可编程恒流点及输率可编程恒流点及输率可编程恒流点及输率可编程恒流点及输率在小于15W的应用中，CS端的采样电阻会得到的恒流点输率的大小可通过调节CS端的采样电阻实，采样电阻越大，恒流点越小，时输率也越小9.5开关频率及电感补偿开关频率及电感补偿开关频率及电感补偿开关频率及电感补偿PL3326的开关频率大小取决于系统负载状态以及芯片工作模式恒压模式中芯片通常工作在最大频率假设系统的效率是100%，那么输率可由式给OPpkswmIVoIfLPo•==221(3)Lm是原边绕组的电感值，PpkI是原边绕组的峰值电流从式中可看，Lm的变化会导率的变化，时也影响恒流模式中的输电流的恒定性，在大规模应用中会使得芯片的一性变差了降原边绕组电感量变化产生的效应，芯片内置了补偿电路，使得电感值和频率的乘积恒定，并矫正电感量的误差，从而得到准确的恒流点9.6可编程的输线补偿可编程的输线补偿可编程的输线补偿可编程的输线补偿由原边反馈原理可知，输电压通过辅绕组采样得到，这样会影响恒压的精度，高负载调节率，芯片内置了输线补偿电路，那么系统在空载和满载状态时，输电压可保持恒定的应用中，通过调节连接于FB端的分压电阻可得到的线补偿量，FB端的分压电阻越大，那么补偿量也越大9.7保护能保护能保护能保护能PL3326内置了多种保护能，包括逐周期限流保护，VDD钳保护，软启，压保护，短路保护，开路保护，过压保护，过载保护等当PL3326的VDD电压降到UVLO(ON)，或者VDD电压升到OVP阈值，芯片将工作，时会进入重启状态DatasheetPL3326V1.0©2013(BSC)0.06(BSC)C0.2000.3600.0080.014D9.00010.1600.3540.400E6.0967.1120.2400.280E17.3208.2550.2880.325e2.540(BSC)0.1(BSC)L2.9213.8100.1150.150E27.62010.9200.3000.43011注意项注意项注意项注意项聚元有权在任何时刻修改产品信息，恕另行通知客户在单前应确保产品信息的及时更新和完整性