考试形式¨闭卷开卷□开卷物品:教师¨班级¨学号¨姓名¨密封线上海电力学院2011/2012学年第二期[■正考□补缓考□期中考]试卷[■A卷□B卷]校区[□南汇■平凉]共3页,第1页课号:120300901课程名称:单片机原理及应用开课学院(系):电自学院类型[■正常班□重修班□免听]题号一二三四五六总分分数一、填空题(每空1分,共20分)1.真值11001001B的反码为______;其补码为_____________。2.89C51系列单片机内部数据存储器,即内RAM中位寻址区的地址范围是__________工作寄存器区的地址范围是_______________。3.单片机中断系统中共有________、_________、_________、_________、_________五个中断源。4.单片机汇编语言程序有三种基本结构,分别是:_________、______和_________,这三种结构也反映在其他的高级计算机语言中。5.定时器T1用作串行口波特率发生器时,常选用操作模式_________(从方式0、1、2、3中选择)。6.LED显示器中的发光二极管的两种连接方法是________和__________。7.MOVA,#30H划线部分寻址方式:SETB3DH划线部分寻址方式:MOVCA,@A+DPTR划线部分寻址方式:8.D/A转换器的分辨率通常用D/A转换器输入二进制的位数来表示,数字量位数越多,分辨率也就越______;ADC0809的转换方式是________(计数器、双积分、逐次逼近、并行)。二、选择题(从备选答案中选择一个正确答案,并将代号写在括号内。每题1分,共10分)1、在CPU内部,反映程序运行状态或反映运算结果的一些特征寄存器是()(A)PC(B)PSW(C)A(D)SP2、要用传送指令访问MCS-51片外RAM,它的指令操作码助记符应是()(A)MOV(B)MOVX(C)MOVC(D)以上都是3、指令ALMP的跳转范围是()(A)256B(B)1KB(C)2KB(D)64KB4、要使MCS-51能够响应定时器T1中断,串行接口中断,它的中断允许寄存器IE的内容应是()(A)98H(B)84H(C)42H(D)22H5、各中断源发出的中断请求信号,都会记在MCS-51系统中的()(A)IE(B)IP(C)TCON(D)SCON6、CPU寻址外设端口地址的方法有两种,一种是统一编址,还有一种是()(A)混合编址(B)动态编址(C)独立编址(D)变址编址7、下列四条叙述中,有错误的一条是()(A)16根地址线的寻址空间可达1MB(B)内存储器的存储单元是按字节编址的(C)CPU中用于存放地址的寄存器称为地址寄存器(D)地址总线上传送的只能是地址信息8、MCS-51外扩一个8255时,需占用()个端口地址(A)1个(B)2个(C)3个(D)4个9、用MCS-51串行口扩展并行I/O口时,串行口工作方式应选择()(A)方式0(B)方式1(C)方式2(D)方式310、某种存储器芯片是8KB*4/片,那么它的地址线根数是()(A)11根(B)12根(C)13根(D)14根三、问答题(每题5分,共25分)1、MCS-51单片机内部有几个定时/计数器?它们由哪些寄存器组成?考试形式¨闭卷□开卷□开卷物品:教师¨班级¨学号¨姓名¨密封线上海电力学院2011/2012学年第二期[■正考□补缓考□期中考]试卷[■A卷□B卷]校区[□南汇■平凉]共3页,第2页课号:120300901课程名称:单片机原理及应用开课学院(系):电自学院类型[■正常班□重修班□免听]2.程序填空MOVDPTR,#2000H(DPTR)=_____________MOVA,#80H(A)=____________MOVX@DPTR,A(2000H)=____________INCDPTR(DPTR)=____________MOVA,#90H(A)=____________MOVX@DPTR,A(2001H)=_____________MOVDPTR,#2000H(DPTR)=____________MOVXA,@DPTR(A)=_____________MOVB,A(B)=___________INCDPTR(DPTR)=__________MOVXA,@DPTR(A)=_____________3、在MCS-51中断系统中,中断优先权设定的三项原则是什么?4、在MCS-51单片机系统中,外接程序存储器和数据存储器共16位地址线和8位数据线,为何不会发生冲突?5.在MCS-51的串行通讯中,有四种工作方式,即方式0~方式3,请问它们各自的波特率如何设定?四、阅读或编写程序(每题5分,共15分)1、阅读下列程序段并回答问题。1)、该程序执行何种操作?2)、已知初值(60H)=23H,(61H)=61H,运行程序后(62H)=?(7分)CLRCMOVA,#9AHSUBBA,60HADDA,61HMOV62H,A2、编写一程序将片外数据存储器中7000H~70FFH单元全部清零。考试形式¨闭卷□开卷□开卷物品:教师¨班级¨学号¨姓名¨密封线上海电力学院2011/2012学年第二期[■正考□补缓考□期中考]试卷[■A卷□B卷]校区[□南汇■平凉]共3页,第3页课号:120300901课程名称:单片机原理及应用开课学院(系):电自学院类型[■正常班□重修班□免听]3.指出下列指令的错误,并改正:MOV@R3,AMOVDPTR,AINC@R3DECDPTRADDC#30H,A五、作图题(10分)A.作图实现用8031,74LS373,EPROM27128(16K*8bit)构成片外程序存储器扩展的最小系统。B.计算其地址范围。要求未定义的P2.6、P2.7接高电平1。六、编程题(共20分)1.编程将片内RAM30H单元开始的15字节的数据传送到片外RAM3000H开始的单元中去。(10分)2.应用单片机内部定时器T0工作在方式1下,从P1.0输出周期为2ms的方波脉冲信号,已知单片机的晶振频率为6MHZ。(10分)(1)计算时间常数X,应用公式X=216-t(f/12)(2)写出程序清单