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上海电力学院2011/2012学年第二学期期末考试试卷标准答案（评分要点）和评分标准[■A卷□B卷][A卷□、B卷□]课号：120300901课程名称：单片机原理及应用开课学院（系）：电自学院答卷教师：黄云峰共2页，第1页（答案纸与试卷纸要分开放）一、填空题（每空1分，共20分）1．10110110、101101112．20H~2FH、00～1FH3．INTO、INT1、T0、T1、串行口4．顺序、分支、循环5．方式26．共阴极接法、共阳极接法7．立即数寻址；直接位寻址；基址加变址寻址。8．越高、逐次逼近方式二、选择题（从备选答案中选择一个正确答案，并将代号写在括号内。每题1分，共10分）1、B2、B3、C4、A5、B6、C7、A8、D9、A10、C三、问答题（每题5分，共25分）1、答：MCS-51单片机内部有两个16位可编程的定时/计数器，简称定时器0（T0）和定时器1（T1）。它们分别由方式寄存器TMOD、控制寄存器TCON和数据寄存器TH0、TL0，TH1、TL1组成。2、MOVDPTR,#2000H(DPTR)=2000HMOVA,#80H(A)=80HMOVX@DPTR,A(2000H)=80HINCDPTR(DPTR)=2001HMOVA,#90H(A)=90HMOVX@DPTR,A(2001H)=90HMOVDPTR,#2000H(DPTR)=2000HMOVXA,@DPTR(A)=80HMOVB,A(B)=80HINCDPTR(DPTR)=2001HMOVXA,@DPTR(A)=90H3、答：中断屏蔽；中断嵌套；中断排队。4、答：因为控制信号线的不同：外扩的RAM芯片既能读出又能写入，所以通常都有读写控制引脚，记为OE和WE。外扩RAM的读、写控制引脚分别与MCS-51的RD和WR引脚相连。外扩的EPROM在正常使用中只能读出，不能写入，故EPROM芯片没有写入控制引脚，只有读出引脚，记为OE，该引脚与MCS-51单片机的PSEN相连。5、答：方式0的波特率固定为fosc/12；方式2的波特率固定为fosc/32或fosc/64；方式1或方式3的波特率为：波特率=2SMOD*定时器/计数器1的溢出速率/32四、阅读或编写程序（每题5分，共15分）1、答：1）、该程序是单字节BCD码运算，是将（61H）—（60H）→62H2）、（62H）=D8H2、ORG1000HMOVDPTR，#7000HCLRAMOVR0，ALOOP：MOVX@DPTR,ADJNZR0,LOOPSJMP$3．改后结果MOV@R1,AMOVXDPTR,AINCADECR0ADDCA,#30H五、作图题（10分）1．A．作图如教材P137图4-10略B．地址范围是C000H~FFFFH。上海电力学院2011/2012学年第二学期期末考试试卷标准答案（评分要点）和评分标准[■A卷□B卷][A卷□、B卷□]课号：120300901课程名称：单片机原理及应用开课学院（系）：电自学院答卷教师：黄云峰共2页，第2页（答案纸与试卷纸要分开放）六、编程题（20分）1。解：程序清单如下：（10分）STRAT:MOVR0,#30HMOVR7,#0FHMOVDPTR,#3000HLOOP:MOVA,@R0MOVX@DPTR,AINCR0INCDPTRDJNZR7,LOOPRET2．解：（1）X=216-t(f/12)=216-1×10-3×6×106/12=OFEOCH（2）程序清单如下：ORG3000HSTART:MOVTMOD,#01HMOVTL0,#OCHMOVTHO,#OFEHSETBTR0LOOP:JBCTFO,DONESJMPLOOPDONE:MOVTL0,#OCHMOVTHO,#OFEHCPLP1.0SJMPLOOP