三极管NPN和PNP开关电路一、三极管开关属于电流控制开关,Ib控制Ic,与MOSFET管电压控制相反:NPN和PNP的电流方向、电压极性相反。1)NPN:以B→E电流控制C→E电流。正常放大时,即VCVBVE2)PNP:以E→B电流控制E→C电流。正常放大时,即VEVBVC总之,VB在中间,VC和VE在两边。而且BJT各极的电压与电流方向是一致的,不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。NPN和PNP区别:箭头所指,即电流流向。如图:NPN:若有一个小电流流入基极,PNP:若有一个小电流流出基极,那么集电极和发射极就会通。那么集电极和发射极就会通。*因为PNP的反向电流所以使用I/O口直接控制时,因注意I/O口的最大承受电压,最好E极电压等于I/O口的高电平。对于E电压比较大的情况下可以使用文章最后的电源控制电路。二、NPN、PNP三极管开关形式的典型接法。如图所示:只有一个上拉下拉电阻的区别。如果是GND~VCC的信号驱动,左图即可。如果是强弱电流驱动,选右图。NPN适合做低端驱动,PNP适合做高端驱动。类似的NMOS和PMOS也是如此。因此,为了获得相应的控制电位差,把npn的射级对地,你比较容易获得一个开启信号。如果你把npn的集电极直接接vcc,那么你就需要VCC甚至VCC以上的信号才能开启,驱动起来不方便,更重要的是,随着负载上电压的变化,你的Ib不稳定。因此一般来说,低端关在低端高端管在高端。有没有特殊情况呢?是有的,比如npn在高端加自举电路维持一个稳定的ib。暂不讨论。说明:大多数的小信号硅质三极管在饱和时,VCE(饱和)值约为0.2V,纵使是专为开关应用而设计的交换三极管,其VCE(饱和)值顶多也只能低到0.1V左右,而且负载电流一高,VCE(饱和)值还会有些许的上升现象,虽然对大多数的分析计算而言,VCE(饱和)值可以不予考虑,但是,必须明白VCE(饱和)值并非真的是0。