tanner L-edit 软件基本操作知识

一、Tanner软件简介：TannerPro是一套集成电路设计软件，包括S-Edit,T-Spice,W-Edit,L-Edit与LVS,各软件的主要功能整理如表1.1所示。Tanner软件简介TannerPro的设计流程可以用右图1.1来表示。三、Tanner软件的安装•详细安装过程可以参看我编写的Tanner13.0安装流程（13.0版图在windows7里面可以安装，下面表格为Tanner对电脑的要求）三、使用L_edit绘制版图（1）打开L-Edit程序：在“开始”菜单“程序”里可以找到，也可以在桌面创建快捷方式。（2）出现界面如下（3）L-Edit会自动将工作文件命名为Layoutl.sdb并显示在窗口的标题栏上，如上图所示（4）文件---保存，保存在自己所选目录下，注意不含中文，这里选择E:\L_edit，并命名为EX1。三、使用L_edit绘制版图（5）取代设定：选择“文件”--“替换设置”，从Browse选择“D:\ProgramFiles\TannerEDA\L-EditandLVS\SPR\Lights\Layout\lights.tdb”，主要是采用其内的DRC信息、layers信息。三、使用L_edit绘制版图（6）编辑组件L-Edit编辑方式是以组件(Cell)为单位而不是以文件(File)为单位的，每一个文件可有多个Cell,而每一个Cell可表示一种电路布局图或说明，每次打开新文件时也自动打开一个Cell并将之命名为Ce110其中，编辑画面中的十字为坐标原点。三、使用L_edit绘制版图（7）环境设定：绘制布局图，必须要有确实的大小，因此绘图前先要确认或设定坐标与实际长度的关系。选择“设置”命令，打开“设计”对话框，在其中的Technology选项卡中出现使用技术的名称、单位与设定，本范例中的技术单位Technologyunits为以Lambda为单位，而Lambda单位与内部单位InternalUnit的关系可在Technologysetup选项组中进行设定，我们设定一个Lambda为1000个InternalUnit，也设定一个Lambda等于一个Micron。三、使用L_edit绘制版图（8）选择绘图形状：绘制布局图，除了选择要绘制的图层外，还要在Drawing工具栏中选择绘图方式，如右图所示：三、使用L_edit绘制版图（9）选择绘图形状：绘制布局图，除了选择要绘制的图层外，还要在Drawing工具栏中选择绘图方式，如图10.9所示，例如，选择工具，按鼠标左键拖曳可画方形。如要绘制一个方形的Poly图层，横向占据1个格点(1um),纵方向占据10个格点(10um)，结果如图，注意左下角有状态栏，标明绘制的形状、图层、宽度(W)、高度(H)、面积(A)与周长(P)。按住“Home”键可以全屏显示三、使用L_edit绘制版图（10）设计规则检查：由于绘制的图样是要制作集成电路的掩膜图样，必须配合设计规则绘制图层，才能确保制程时的效率。选择工具---DRC命令，打开DesignRuleCheck对话框，如右图所示，报错“最小宽度少于两个Lambda”三、使用L_edit绘制版图（11）检查错误：打开“设置”--DRC设置，则可以观看详细的设计规则，，从Ruleslist列表框中选择3.1PolyMinimumWidth选项中可以观看该条设计规则设定poly最小宽度为2个lambda，依此修改poly宽度为2个lambda，那么如何修改呢？三、使用L_edit绘制版图（12）修改对象：可选择编辑---编辑物项命令，在Showbox表框中选择bottomleftcorneranddimensions选项，如图所示，再将Width微调框改为2.000，单击“确定”按钮，即可修改完成。也可以利用Alt键加鼠标拖曳的方式来修改对象大小。修改宽度为两个格点后，再进行设计规则检查，这时已无错误三、使用L_edit绘制版图（13）修改对象：可选择编辑---编辑物项命令，在Showbox表框中选择bottomleftcorneranddimensions选项，如图所示，再将Width微调框改为2.，单击“确定”按钮，即可修改完成。也可以利用Alt键加鼠标拖曳的方式来修改对象大小。修改为宽度为两个格点后，再进行设计规则检查，这时已无错误三、使用L_edit绘制版图（13）修改对象：此已经无错误三、使用L_edit绘制版图（14）绘制多边型：在长方形Poly旁间隔1个格点处，选择Drawing工具栏中的多边形工具，可利用鼠标左键拖曳并点出多边型的端点，单击结束，如右图三、使用L_edit绘制版图（14）设计规则检查DRC报错，查看DRC设置，发现两个相邻poly之间距离最小为2个lambda三、使用L_edit绘制版图（15）改错、移动对象：点中多边形，选择菜单栏中的“画”，然后“移动至..”，如右图设置x为1.000，即右移一格即可或者选中多边形后，按住鼠标中间键不放向右移动一格也可。再做DRC检查则无错误。四、使用L_edit绘制pmos版图（1）选取图层：在画面左边有一个Layers面板，其中有一个下拉列表，可选取要绘制的图层，例如，Poly,则Layers面板会选取代表Poly图层的红色。在L-Edit中的Poly图层代表制作集成电路中多晶硅(PolySilicon)所需要的掩膜图样。本范例绘制PMOS布局图会用到的图层包括(NWell图层)、(Active图层)、(NSelect图层)、(PSelect图层)、(Poly图层)、(Metal1图层)、(Metal2图层)、(ActiveContact图层)、(Via图层)，其各自的绘制四、使用L_edit绘制pmos版图（2）绘制NWell图层：：L-Edit编辑环境是预设在P型基板上，故读者不需要定义出P型基板范围，而在P型基板上制作PMOS的第一步，流程上要先做出NWell区，即需要设计掩膜以限定NWell的区域。绘制NWell布局图必须先了解是使用哪种流程的设计规则，本范例是使用MOSIS/ORBIT2.0USCNADesignRules观看NWell绘制要遵守的设计规则。可选择工具---DRCSetup命令，打开SetupDesignRules对话框(或单击按钮)，再从其中的Ruleslist列表框选择1.1WellMinimumWidth选项，可知NWell的最小宽度有10个Lambda的要求四、使用L_edit绘制pmos版图（2）绘制NWell图层（接前一张）：选取Layers面板下拉列表中的NWell选项，使工具被选取，再从Drawing工具栏中选择工具，在Cell0编辑窗口画出占据横向24格纵向15格的方形NWell，如右图：四、使用L_edit绘制pmos版图（3）截面观察：：L-Edit有一个观察截面的功能，可观察利用该布局图设计出的组件的制作流程与结果。选择工具---截面命令(或单击按钮)，利用“pick”选择需要的截面，点击OK即可以了，注意processdefinefile选择D:\ProgramFiles\TannerEDA\L-EditandLVS\SPR\Lights\Layout\lights.xst四、使用L_edit绘制pmos版图（4）绘制Active图层：：设计了NWell的布局区域之后，接着设计有源区(Active)图层图样，Active图层在流程上的意义是定义PMOS或NMOS的范围，Active以外的地方是厚氧化层区(或称为场氧化层)，故需要设计掩膜以限定Active的区域，但要注意PMOS的Active图层要绘制在NWell图层之内。注意知Active的最小宽度有3个Lambda的要求。这里大小为横向10格纵向5格四、使用L_edit绘制pmos版图（5）设计规则检查，报错为“NotSelectedActive”，查看设计规则，Active图层必须要与PSelect图层或NSelect重叠，而不能单独存在，否则设计规则检查会有错误。（6）绘制PSelect图层，注意Active的边界要与PSelect的边界至少要有两个Lambda的距离，这是环绕(Surround)规则。这里画横向18格，纵向9格。要注意的是Active与PSelect交集处被定义为pdiff层，pdiff与NWell也有一个环绕规则，，pdiff的边界与NWell的边界至少要距离5个Lambda。四、使用L_edit绘制pmos版图（7）标尺工具的使用：点击90°标尺，数一下格子，则很容易得出边长四、使用L_edit绘制pmos版图（8）绘制Poly图层：接下来绘制Poly图层，Poly图层在流程上的意义是定义成长多晶硅(PolySilicon)，需要设计掩膜以限定多晶硅区域。同样，绘制Poly图层必须先了解是使用哪种流程的设计规则，Poly的最小宽度有两个Lambda的要求。这里画出横向2格，纵向7格四、使用L_edit绘制pmos版图（9）设计规则检查：有两个相同错误，错误，Poly图层必须延伸出Active区域有最小两个Lambda，而这里只有一个，因此增长为2个即可四、使用L_edit绘制pmos版图（10）绘制ActiveContact图层:：PMOS的源区、基区各要接上电极，才能在其上加入偏压。各组件之间的信号传递，也需要靠金属线连接，在最底层的金属线是以Metal1图层表示。在金属层制作之前，组件会被沉积上一层绝缘层(氧化层)，为了让金属能接触至扩散区(源极与极汲)，必须在此绝缘层上蚀刻出一个接触孔，此接触孔是为了能使金属层能与扩散区接触，Metal1与扩散区之间的接触孔以ActiveContact图层表示，查阅设计规则，发现其宽度限定为两个Lambda的大小，这里绘画为横向两格、纵向两格四、使用L_edit绘制pmos版图（11）设计规则（每步之后必须要做DRC），按照提示操作、修改四、使用L_edit绘制pmos版图（12）绘制Metal1图层：NMOS的源极与汲极都要接上电极，才能在其上加入偏压，各组件之间的信号传递也需要靠金属线连接，在最底层的金属线以Metal1图层表示。Metal1有最小宽度的限制，其宽度限定最小为3个Lambda，在Cell0编辑窗口的ActiveContact周围画出占据横向4格、纵向4格的方形左右两个扩散区各画一个Metal1区块四、使用L_edit绘制pmos版图（12）重新命名：：将Cell0的名称重新命名，可选择单元—重命名命令，打开RenameCell0对话框，将cell名称改成pmos，就此，pmos绘制完毕四、使用L_edit绘制pmos版图（13）nmos绘制与pmos相似，只是不需要绘制Nwell。其中，Active宽为14个格点，高为5个格点；Poly宽为2个格点，高为9个格点；NSelect宽为18个格点，高为9个格点；两个ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点；两个Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。四、使用L_edit绘制pmos版图（14）转化：将反相器布局图成果转化成T-Spice文件，可选择工具—ExtractSetup命令(或单击按钮)，打开SetupExtract对话框，单击其中的按钮，在弹出的对话框中Browser选择D:\ProgramFiles\TannerEDA\L-EditandLVS\SPR\Lights\Layout\lights.ext，再到Output选项卡，SPICEincludestatement文本框输入“．includeE:\L_edit\bsim3_sample.md，点击提取按钮就可以了。四、使用L_edit绘制pmos版图（15）T-Spice模拟：将nmos布局图转化出的结果nmos.spc利用T-Spice来进行模拟，栅极（4）一个阶跃信号，漏极（1）加方波信号。可序如下：加载包含文件——Vdd电压值设定——设定A的输入信号——分析设定——输出设定——进行模拟，设定完的结果如图。