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16.若将一位错线的正向定义为原来的反向，此位错的柏氏矢量是否改变？位错的类型性质是否变化？一个位错环上各点位错类型是否相同？17.有两根左螺旋位错线，各自的能量都为E1，当他们无限靠拢时，总能量为多少？18.如图3-1表示两根纯螺位错，一个含有扭折，而另一个含有割阶。从图上所示的箭头方向为位错线的正方向，扭折部分和割阶部分都为纯刃型位错。a)若图示滑移面为fcc的（111）面，问这两对位错线段中（指割阶和扭折），哪那一对比较容易通过他们自身的滑移而去除？为什么？b)解释含有割阶的螺型位错在滑动时是怎样形成空位的。19.假定有一个b在晶向的刃型位错沿着（100）晶面滑动，a)如果有另一个柏氏矢量在[010]方向，沿着（001）晶面上运动的刃型位错，通过上述位错时该位错将发生扭折还是割阶？b)如果有一个b方向为[100]，并在（001）晶面上滑动的螺型位错通过上述位错，试问它将发生扭折还是割阶？21.有两个被钉扎住的刃型位错A-B和C-D，他们的长度x相等，且具有相同的b大小和方向（图3-2）。每个位错都可看作F-R位错源。试分析在其增值过程中两者间的交互作用。若能形成一个大的位错源，使其开动的c多大？若两位错b相反，情况又如何？27.图3-6所示某晶体滑移面上有一柏氏矢量为b的位错环并受到一均匀切应力的作用，a)分析各段位错线所受力的大小并确定其方向；b)在作用下，若要使它在晶体中稳定不动，其最小半径为多大？28.试分析在fcc中，下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？35.试描述位错增殖的双交滑移机制。如果进行双交滑移的那段螺型位错长度为100nm，而位错的柏氏矢量为0.2nm，试求实现位错增殖所必需的切应力（G=40GPa）。42.设有两个晶粒与一个β相晶粒相交于一公共晶棱，并形成三叉晶界，已知β相所张的两面角为100°，界面能为0.31Jm-2，试求相与β相的界面能β。设在三个晶粒的三叉结点处的表面张力平衡。证明：313123231212sinsinsinFe3C属于（）（A）正常价化合物；（B）电子化合物；（C）间隙相；（D）间隙化合物•NaCl晶体属于（）（A）间隙固溶体；（B）置换固溶体；（C）间隙化合物；（D）离子晶体•原子迁移到晶体表面而使晶体内部留下空位所形成的缺陷是（）（A）佛伦克尔缺陷；（B）肖特基缺陷；（C）间隙原子缺陷；（D）自由空位缺陷•有两根左螺旋位错线，各自的能量都为E1，当他们无限靠拢时，总能量为（）（A）2E1；（B）3E1；（C）4E1；（D）无法确定•刃型位错在正应力作用下可以进行（）（A）滑移；（B）交叉滑移；（C）攀移；（D）交叉攀移•在正常情况下面心立方晶体中原子的堆垛顺序为（）（A）ABABAB；（B）ABCABC；（C）ACBACB；（D）AABBCC•以下容易形成置换固溶体的因素是（）（A）溶质与溶剂原子半径差大；（B）溶质与溶剂原子的晶体结构相同；（C）溶质与溶剂原子的电负性差大；（D）溶质的原子价要高•电子浓度是（）（A）溶质价电子数目与总原子数目之比；（B）溶剂价电子数目与总原子数目之比；（C）价电子数目与原子数目之比；（D）原子数目与价电子数目之比•在一块晶体中有一根刃型位错M和一根相同长度的螺型位错N，伯氏矢量也相同，则它们的能量有（）（A）EMEN；（B）EMEN；（C）EM=EN；（D）无法确定•间隙相是由金属和非金属元素在电负性（）（a.相差较大；b.相差较小；c.相差不大）时，且原子半径之比（）（a.大于0.59；b.小于0.59；c.等于0.59）时形成的中间相，它的晶体结构比较（）（a.复杂；b.简单；c.难确定），并且两组元晶体结构（）（a.不同；b.相同；c.难确定），它们的硬度和熔点（）（a.很高；b.很低；c.一般）•在面心立方晶体中当位错b1=a/2[-101]，b2=a/6[-211]，b3=a/6[-1-12]时，能否合发生b1→b2+b3?•产生交滑移的位错一般为（）（A）正刃型位错；（B）正刃型位错；（C）螺型位错；（D）混合位错