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微电子器件期末总结1.提高半导体的掺杂浓度，p-n结的势垒高度将会升高，p-n结势垒厚度将会降低2.通过pn结的电子电流小于空穴电流3.与双极型晶体管不同，场效应晶体管是电压控制器件，是多数载流子器件4.p-n结的基本特点是具有单向导电性，pn结正向偏置时导通，反向偏置时截止5.pn结正向导通电压Vf主要与Bg有关，Eg越宽Io就越小，同种条件下所需Vf则越大6.一般的双极晶体管的发射区基区集电区的杂志浓度大小顺序为发射区基区集电区7.pn结点击穿产生机构有两种：雪崩击穿、齐纳击穿8.pn结正向电流的来源是多姿，所以正向电流较大，反向电流来源是勺子，所以反向电流较小，如果给反偏pn结提供大量少子，就能使反向电流9.场效应管三个电极中，D表示漏极，S表示源极，G表示栅极10.MOSFET的亚阈状态是不出现沟道的一种工作模式，亚阈电流与极电压之间有指数关系1.pn结正向电压呈现出的电容，有扩散电容和势垒电容3.MOSFET的阈值电压随着温度的升高将下降6.晶体管的品种繁多，按其结构可分为双极型晶体管和场效应晶体管7.三极管在电子电路应用中有两种接法：共基极和共射极，标准偏置为发射极正偏集电极反偏8.双极晶体管中少子复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做的较薄9.空间电荷区内建电场方向由N型空间电荷区指向P型空间电荷区10.p型区1.pn结两边准费米能级之差等于pn结所加电压大小√2.突变pn结因为是由均匀掺杂的n型半导体和p型半导体构成的，所以势垒区中的电场分布也是均匀的。（×）3.单边突变的pn结的势垒区主要是在掺杂浓度较高的p+型一边。（×）4.对于耗尽型的长沟道场效应晶体管，在栅极电压一定时，提高源-漏电压总可以使沟道夹断。X5.场效应晶体管沟道区域的掺杂浓度越大，器件的阈值电压就越高。（√）6.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。√7.当外加反向电压增加时，pn结的结电容将会增大。X8.增强型MOSFET是在不加栅极电压时存在有沟道、能够导电的一种场效应晶体管；耗尽型MOSFET是在不加栅极电压时无沟道、不导电的一种场效应晶体管。（×）9.因为在反向电压下p-n结势垒区中存在有较强的电场，所以通过p-n结的反向电流主要是多数载流子的漂移电流。X10.BJT的共基极直流电流增益α0，是除去集电极反向饱和电流之外的集电极电流与发射极电流之比。（√）11.pn结势垒区中存在有空间电荷区和强的电场。√12.非平衡少子浓度衰减到产生……的时间，成为非平衡载流子的寿命。13.p-n结所包含的主要区域是势垒区及其两边的少数载流子扩散区。√14.当耗尽型场效应晶体管的沟道被夹断以后，沟道就不能够再通过电流了，漏极电流将变为0。X15.场效应晶体管沟道区域的掺杂浓度越大，器件的阈值电压就越高。√16.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。√17.当外加反向电压增加时，pn结的结电容将会增大。X18.耗尽型MOSFET是在不加栅极电压时无沟道、不导电的一种场效应晶体管。X名词解释1.势垒电容：pn结势垒区微分电荷与微分电压之比2.晶体管特征频率：把电流放大系数降到1时所对应的频率3.耗尽近似：假设空间电荷区内的自由载流子已完全扩散掉，电离杂质构成空间电荷区内电荷的唯一来源4.内建电场：晶体管中仅由载流子扩散运动形成的空间电荷区中的电场5.强反型层：半导体表面的少数载流子浓度等于体内多数载流子浓度时，半导体表面形成的薄层6.厄尔利电压：集电结电压VCB=0时的VA之值7.单边突变结：一侧重参杂，一侧轻掺杂形成的pn结（突变结中一侧的掺杂浓度远大于另一侧）8.基区宽度调制效应：VCE增加使集电结上的反向偏压增加，集电结势垒区宽度增加，从而中性区宽度WBV减小，基区少子浓度梯度增加，导致电流放大系数和集电极电流增大9.空间电荷区：pn结处于平衡状态时，结面附近有空间电荷存在的薄的区域10.雪崩击穿：反向电压大到满足雪崩击穿条件时发生的击穿11.沟道夹断：Vos大于等于Vosat时，沟道厚度在漏极处减薄到零，即沟道消失，该处只剩下耗尽层12.什么沟道效应：沟道长度缩短到小于或接近源和漏耗尽层宽度之和时，MOSFET中产生的一系列现象13.结定律14.输运系数：定量描述基区少子在输运过程中因复合引起的电流亏损大小的物理量15.扩散电容：势垒区边缘的电离杂质电荷随外加电压变化形成的电容16.自己总结的，错了别怪我，打死别泄露